Cours diodes

of 18/18
APPROCHE THEORIQUE INTRODUCTION A L'ELECTRONIQUE A4 THEORIE DES SEMI-CONDUCTEURS EPSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers *.pdf - Version août 2000 - Date conversion : 20/09/01 PAGE 1 / 11 SOMMAIRE A4.1 Théorie des atomes A4.2 Semi-conducteur pur A4.3 Dopage d'un semi-conducteur A4.4 Effet diode, la jonction P - N A4.5 Mécanisme de conduction d'une diode A4.5.1 Le plus à la zone P A4.5.2 Le plus à la zone N A4.6 Effet Zener, une jonction fortement dopée A4.7 Effet transistor, du microscope à l'ohmmètre A4.8 Effet transistor, du microscope à l'ampèremètre A4.9 Effet transistor, du microscope à l'effet transistor A4.10 Effet de champ A4.11 Bibliographie (Les renvois entre crochets [*] y font référence) A4.1 Théorie des atomes Pour comprendre quelque peu le fonctionnement des composants électroniques réalisés à l'aide des matériaux ou alliages semi-conducteurs, il nous faut avoir en tête la théorie des atomes. L'explication actuelle que nous donne les physiciens sur la matière met en jeux la composition de celle-ci. La matière serait composée d'atomes d'un diamètre d'environ 1 10 -10 à 1 10 -12 mètre de diamètre, distincts entre eux par leur nombre de particules dont ils sont eux-mêmes composés. Ces atomes sont classés précisément par l'évolution du nombre de ces particules, le premier atome n'en contenant que deux jusqu'aux derniers qui en contiennent plus de cent. C'est le tableau périodique des éléments créé par Dmitri Mendeleïev (1834 - 1907). Il est admis que les particules qui composent l'atome sont organisées avec un noyau, dont le diamètre est d'environ 1 10 -14 mètre, qui contient des protons et des neutrons accompagné autour d'un nuage de petits électrons qui gravitent au loin, à des distances bien définies appelées couches électroniques. Chaque proton ou neutron, appelés tous deux nucléons, est d'un diamètre et d'une masse environ 2000x supérieure à un électron. Les forces qui interagissent entre toutes ces particules ainsi que celles qui interviennent entre les différents atomes d'un objet vont fortement influencer le comportement d'un matériau en fonction des contraintes qu'il subit. En ce qui concerne l'électricité et ces effets, ce sont essentiellement les électrons qui gravitent sur la dernière couche électronique qui sont impliqués. La nature à fabriqué des atomes ne possédant jamais plus de 8 électrons périphériques (pour un état stable). Le tableau périodique des éléments nous le confirme. La représentation la plus usuelle d'un atome est celle proposée par le physicien Niels Bohr (1885-1962) qui est une représentation très pratique pour un électronicien qui va encore le simplifier. IMAGE A4.1, J.KANE, PHYSIQUE, 1994, INTEREDITIONS, PARIS
  • date post

    12-Apr-2017
  • Category

    Documents

  • view

    445
  • download

    1

Embed Size (px)

Transcript of Cours diodes

  • APPROCHE THEORIQUE INTRODUCTION A L'ELECTRONIQUE A4 THEORIE DES SEMI-CONDUCTEURS

    EPSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers *.pdf - Version aot 2000 - Date conversion : 20/09/01 PAGE 1 / 11

    SOMMAIRE

    A4.1 Thorie des atomes

    A4.2 Semi-conducteur pur

    A4.3 Dopage d'un semi-conducteur

    A4.4 Effet diode, la jonction P - N

    A4.5 Mcanisme de conduction d'une diode

    A4.5.1 Le plus la zone P

    A4.5.2 Le plus la zone N

    A4.6 Effet Zener, une jonction fortement dope

    A4.7 Effet transistor, du microscope l'ohmmtre

    A4.8 Effet transistor, du microscope l'ampremtre

    A4.9 Effet transistor, du microscope l'effet transistor

    A4.10 Effet de champ

    A4.11 Bibliographie(Les renvois entre crochets [*] y font rfrence)

    A4.1 Thorie des atomes

    Pour comprendre quelque peu le fonctionnement des composants lectroniques raliss l'aide des matriaux oualliages semi-conducteurs, il nous faut avoir en tte la thorie des atomes. L'explication actuelle que nous donneles physiciens sur la matire met en jeux la composition de celle-ci.

    La matire serait compose d'atomes d'un diamtre d'environ 1 10-10 1 10-12 mtre de diamtre, distinctsentre eux par leur nombre de particules dont ils sont eux-mmes composs. Ces atomes sont classs prcismentpar l'volution du nombre de ces particules, le premier atome n'en contenant que deux jusqu'aux derniers qui encontiennent plus de cent. C'est le tableau priodique des lments cr par Dmitri Mendeleev (1834 - 1907).

    Il est admis que les particules qui composent l'atome sont organises avec un noyau, dont le diamtre estd'environ 1 10-14 mtre, qui contient des protons et des neutrons accompagn autour d'un nuage de petitslectrons qui gravitent au loin, des distances bien dfinies appeles couches lectroniques. Chaque proton ouneutron, appels tous deux nuclons, est d'un diamtre etd'une masse environ 2000x suprieure un lectron.

    Les forces qui interagissent entre toutes ces particulesainsi que celles qui interviennent entre les diffrentsatomes d'un objet vont fortement influencer lecomportement d'un matriau en fonction des contraintesqu'il subit.

    En ce qui concerne l'lectricit et ces effets, ce sontessentiellement les lectrons qui gravitent sur la dernirecouche lectronique qui sont impliqus.

    La nature fabriqu des atomes ne possdant jamais plusde 8 lectrons priphriques (pour un tat stable). Letableau priodique des lments nous le confirme.

    La reprsentation la plus usuelle d'un atome est cellepropose par le physicien Niels Bohr (1885-1962) qui estune reprsentation trs pratique pour un lectronicien quiva encore le simplifier. IMAGE A4.1, J.KANE, PHYSIQUE, 1994, INTEREDITIONS, PARIS

  • APPROCHE THEORIQUE INTRODUCTION A L'ELECTRONIQUE A4 THEORIE DES SEMI-CONDUCTEURS

    EPSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers *.pdf - Version aot 2000 - Da

    A4.2 Semi-conducteur pur

    Il est facile de simplifier au maximum la reprsentation de Niels Bohr en ne laissant apparatre que le noyauavec les couches lectronique interne et la dernire couche lectronique, appele couche priphrique ou couchede valence.

    Un matriaux semi-conducteur la particularit depossder 4 lectrons priphriques, soit exactement lamoiti d'une couche compltement sature.

    Cette particularit va lui donner un comportementparticulier en ce qui concerne les phnomneslectriques, entre autres.

    Le matriaux semi-conducteur actuellement le plus utilis es

    Toutefois, pour utiliser du silicium en lectronique, il faut obpuret est de l'ordre de un atome impur pour un million d'atotemprature est trs basse.

    Pour illustrer non seulement un seul atome de silicium reprsentation en ne faisant apparatre que les noyaux aveccomme ci-dessus et avec des traits doubles pour illustrer les

    De plus, les atomes du silicium purifi s'organisent entre esubis, ce qui nous amne parler d'un cristal semi-conducteorganisation atomique donne des proprits lectriques partic

    Grce l'organisation cristalline, chaque atome est entoensemble leurs lectrons de valence de fait que chaque atomCe qui donne la proprit d'un isolant parfait:

    A TRES BASSE TEMPERATURE, AU VOISINAGE DU EST UN ISOLANT PARFAIT.

    Si Si

    Si

    Si

    SiSi Si

    Si

    Si

    Si

    Si Si Si

    Si Si Si

    liaisons Si

    plaquette de Si pur

    couche priphriquenoyau + couches internes

    SiSiIMAGE A4.2te conversion : 20/09/01

    t le SILICIUM.

    tenir des plaquettes d'une puret extraordinaire. Lames de silicium. Le tout reste totalement stable si la

    mais une plaquette entire, nous simplifions la les couches atomiques intrieures par les cercleslectrons priphriques entre chaque atomes.

    ux de manire trs rguliur, ou d'une structure criulires au silicium lectro

    ur de quatre atomes voe se trouve entourer de hu

    ZERO ABSOLU (0 KELV

    Si

    Si Si

    Si

    SiSi

    Si

    Si Si

    SiSiSiIMAGE A4.3PAGE 2 / 11

    re, suite aux traitementsstalline du silicium. Cettenique.

    isins qui vont combinerit lectrons priphriques.

    IN) LE SILICIUM PUR

  • APPROCHE THEORIQUE INTRODUCTION A L'ELECTRONIQUE A4 THEORIE DES SEMI-CONDUCTEURS

    EPSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers

    Ds que la temprature augmente, l'agitation des atomes entre eux va va bousculer cet ordre tabli et deslectrons priphriques peuvent se retrouver arrachs la liaison cristalline des atomes. Ces lectrons seretrouvent une distance des noyaux qui leur permet de se dplaer dans la plaquette de silicium.

    Les lectrons ainsi librs ont chacun rompuune liaison cristalline du silicium. Ils ont donclaiss derrire eux un emplacement vide, nousparlons d'un "trou".

    Ces lectrons vont se dplacer librement dansla plaquette jusqu'au moment o ils rencontreun "trou" et se fixer nouveau dans le rseau.

    Ce dplacement alatoire d'lectrons (dansn'importe quel sens) correspond un courantlectrique alatoire qui reprsente ce que nousappelons du souffle lectronique.

    Toutefois, ce courant est trs, trsintrinsque est pratiquement non mindsirables, sont de l'ordre du nanoa

    Mme non mesurable, ces courants dn'est pas contrle.

    UN SEMI-CONDUCTEUR EST DOMOYENS EXTERNES DE STAENTRANE TRES VITE LA DESTR

    A4.3 Dopage d'un semi-conduct

    Afin d'amliorer la conduction d'uconductrice des matriaux trangersinfrieur ou juste suprieur aux 4 lec

    Le dopage N consiste ajouter au seces lectrons vont participer la stpouvoir se dplacer dans le cristal. N

    lectrons librspar agitationthermique

    Si Si

    Si

    Si

    Si

    Si Si

    SiSi

    Si

    Si SiSi

    SiSi

    Si Si

    -

    -

    -Si

    SiSiSi

    Si Si Si

    Si Si Si Si

    liaisons Si

    plaquette de Si pur

    -

    + + + + + +

    +

    +

    +

    +

    +

    +

    +

    +

    +

    ++

    +

    - -

    -

    -

    -

    -

    -

    -

    -

    --

    -

    -

    -

    -

    -

    -

    plaquette de Si dop N

    "trou" laiss parun lectronIMAGE A4.4*.pdf - Version aot 2000 - Date conversion : 20/09/01 PA

    faible et nous parlons de conduction intrinsque. Cette conductionesurable pour un technicien de maintenance. Ces courants, souvent

    mpre et appels courants de fuites.

    e fuites existent nanmoins et deviennent trop important si la temprature

    NC TRES SENSIBLE A LA TEMPERATURE ET NECESSITERA DESBILISATION. SANS QUOI UN EMBALLEMENT THERMIQUEUCTION DU SEMI-CONDUCTEUR.

    eur

    n semi-conducteur, les fabricants injectent dans une plaquette semi-, ou impurets, qui possdent un nombre d'lectrons priphriques justetrons du semi-conducteur.

    mi-conducteur des atomes possdants 5 lectrons priphriques.ructure cristalline, et un lectron supplmentaire va se retrouvous parlons de porteurs de charges mobiles.

    Les ions + sont fixes car ils font partie de laatomique cristalline de la plaquette de silicium.

    Rappelons que les ions comprennent le noyau det qu'ils sont gros, lourds et solides par rapporteurs de charges mobiles. Un lectron es2000x plus petit qu'un seul proton.

    ions +immobiles

    lectronsmobilesIMAGE A4.5 Quatre deer libre et

    structure

    es atomesports auxt environIMAGE A4.6GE 3 / 11

  • APPROCHE THEORIQUE INTRODUCTION A L'ELECTRONIQUE A4 THEORIE DES SEMI-CONDUCTEURS

    E

    Le dopage P consiste ajouter au semi-conducteur des atomes possdants 3 lectrons priphriques. Ces troislectrons participent la structure cristalline, mais un "trou" est cr par chaque atome tranger puisqu'il luimanque un lectron priphrique.

    Les "porteurs de charges lectriques" mobiles sontresponsables de la conduction d'une plaquette de siliciumdope.

    Si la proportion de dopage est de l'ordre de dix atomes dedopant P pour 100 atomes de silicium, la conductibilitdu semi-conducteur est amliore dans la mmeproportion, soit de 10%.

    Ilr

    A

    Ipu

    Eqz

    Cc

    L

    -

    + +

    +

    + +

    ++

    + ++

    +

    +

    +

    +

    +

    +

    +

    +

    -

    --

    -

    -

    --

    - -

    -

    -

    - -

    -

    -

    -

    -

    plaquette de Si dop P

    ions -immobiles

    "trous" +mobilesIMAGE A4.7PSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers *.pdf - Version aot 2000 - Date conversion : 20/09/01

    l est donc possible de "rgler" la conduction d'un semi-conducteur en choisissant la quantit de dopage. A'intrieur d'un circuit intgr, il est ais d'imaginer des zones plus ou moins dopes de manire obtenir dessistances lectriques.

    4.4 Effet diode, la jonction P - N

    l est ais de s'imaginer ce qui se passe lorsque deux zones de dopage P et N sont ralises sur une mmelaquette. A la jonction (runion) des deux zones, les porteurs de charges mobiles se combinent et il apparatne zone d'espace vide de porteurs de charges mobiles, donc une zone isolante.

    n observant attentivement la polarit rsultante des charges lectriques de la zou'elle est inverse la polarit de la rgion de dopage: charge positive dans la zone None P.

    ela signifie qu'une jonction PN non alimente est l'image d'un condensatonductrices spares par une zone isolante.

    e symbole de la diode reprsente directement ces deux zones:

    L'anode reprsente la zone P La cathode

    +

    ++

    +

    -

    -

    -

    +

    +

    +

    +

    ++

    +

    +

    +

    +

    +

    -

    -

    -

    -

    -

    -

    --

    -

    -

    - -

    Zone N

    Zone P

    IMAGE A4.8ne isolante, on s'apperoit et charge ngative dans la

    eur, savoir deux zones

    reprsente la zone NIMAGE A4.9PAGE 4 / 11

  • APPROCHE THEORIQUE INTRODUCTION A L'ELECTRONIQUE A4 THEORIE DES SEMI-CONDUCTEURS

    EPSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers *.pdf -

    A4.5 Mcanisme de conduction d'une diode

    Lorsque l'on alimente une diode, donc une jonction PN, l'effet change selon la polarit de la tension applique.Une diode ne laisse passer le courant que dans un seul sens.Essayons de comprendre ce phnomne particulier :

    A4.5.1 Le PLUS la zone P

    Si l'alimentation (Ug) est suprieure 0,6 - 0,7 volts, les porteurs de charges mobiles ont suffisamment d'nergiepour "traverser" la zone isolante.

    R ig

    Ug

    jU

    +_

    _+

    Uj = 0,6 - 0,7V

    Nous constatons la circulation du courant potentiel de 0,6 - 0,7 volts ses bornes.

    La diode conduit et nous pouvons idaliseun interrupteur ferm.

    Nous parlons de: polarisation dans le sens

    A4.5.2 Le PLUS la zone N

    Les porteurs de charges mobiles sont alectriques de l'alimentation.

    Nous constatons l'largissement de la zone

    La diode est bloque et nous pouvons repr

    Nous parlons ici de: polarisation dans le se

    ++

    +

    +

    -

    -

    -

    +

    ++

    +

    ++

    +

    + ++

    +-

    -

    -

    -

    -

    -

    - -

    -

    -

    -

    -

    +

    I

    +

    ++

    +

    -

    -

    -

    +

    ++

    +

    ++

    +

    +

    ++

    +

    -

    -

    -

    -

    -

    -

    --

    -

    -

    --

    +

    IMAGE A4.10 Version aot 2000 - Date conversion : 20/09/01 P

    lectrique. La jonction est conductrice en prsentant une d

    r ce fonctionnement en remplaant la diode par un gn

    passant, ou sens direct; courant direct; en anglais "forward

    ttirs vers les connexions extrieures par la prsence

    Uj Ug

    vide de porteurs de charges. La jonction reste isolante.

    senter cet tat par un interrupteur ouvert.

    ns bloquant, ou dans le sens inverse; en anglais "reverse"

    Rig

    Ug+

    _

    IMAGE A4.11iffrence de

    rateur DC et

    ".

    des charges

    jU_

    +

    IMAGE A4.12 IMAGE A4.13AGE 5 / 11

  • APPROCHE THEORIQUE INTRODUCTION A L'ELECTRONIQUE A4 THEORIE DES SEMI-CONDUCTEURS

    EPSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers *.pdf - Version aot 2000 - Date

    A4.6 Effet Zener, une jonction fortement dope

    Nous savons qu'une jonction P-N ne laisse passer le courant que dans un seul sens, en polarisation directe. Parcontre, en polarisation inverse, il ne circule pratiquement aucun courant tant que la tension inverse ne dpassepas une valeur limite, limite appele tension de claquage UINV MAX.

    La tension inverse donne naissance un champ lectrique lintrieur dela plaquette de silicium, et plus prcisment dans la zone isolante de lajonction.

    La quantit faible des lments de dopage fait que la jonction PN dunediode conventionnelle supporte des champs lectriques intensescorrespondants des tensions inverses allant de plusieurs centaines devolts plusieurs milliers de volts.

    Si cette tension UINV MAX est dpasse, lemballement thermiququi est appel la zone de claquage.

    Par contre, les diodes Zener ont t spcialement conues et polarisation inverse, dans la zone de claquage, notammentmodifiant les dimensions de la jonction et surtout la quantitdopage des zones P et N.

    Plus fortement dlectrique relativpour que les liais

    Les porteurs desont assez nombet pour que lapratiquement plu

    Pour dautres diodes Zener, il est possible que sous l'action duminoritaires (du silicium) de la zone isolante acquirent une net, par effet d'avalanche, le courant crot extrmement vite pratiquement plus. Cest ce qui est appel effet davalanche.

    En pratique, pour les diodes dont la tension zener dpasse 10pour consquence que la caractristique de la diode est moins fde temprature est positif.

    Les diodes dont la tension Zener est infrieure 5V ont une jolieu, ce qui entrane que la caractristique de la diode est trs temprature ngatif.

    Entre 5V et 10V, les deux effets peuvent se combiner, et coefficient de temprature qui peut tre proche de zro. Ce qfonctionnement inverse compris entre 5V et 10V seront utilise

    +

    ++

    +

    -

    -

    -

    +

    +

    ++

    ++

    +

    +

    +

    +

    +

    -

    -

    -

    -

    -

    -

    --

    -

    -

    -

    -

    EVm

    champ lectrique

    ++

    +

    +

    -

    -

    -+

    +

    +

    +

    +

    ++

    ++

    +

    +

    -

    -

    -

    -

    --

    -

    -

    -

    -

    --

    -

    -

    -

    -

    -

    - +

    +

    +

    +

    +

    ++

    +

    +

    + -

    -

    -

    --

    EVm

    champ lectrique

    avalanche

    zener

    +

    oIMAGE A4.14conversion : 20/09/01

    e dtruit la diode dans la plupart des cas. C'est ce

    fabriques de manire pouvoir tre utilise en en de

    ope que les diodes conventionnement faible devient dj suffisons de covalence s'affaiblissent e

    charges (des lments de dopagreux pour que le courant augme tension aux bornes de la ds. Cest ce qui est appel leffet Z

    champ lectrique interne, les portergie telle qu'il puisse y avoir ioniet la tension aux bornes de la

    V, seul l'effet d'avalanche est poranche (la pente est plus grande),

    nction trs mince et seul l'effet Zraide et, de plus, ces diodes ont u

    la caractristique est la plus raiui signifie que les diodes Zener ps pour un fonctionnement trs sta

    I D

    U D

    -IMAGE A4.16IMAGE A4.15elles, un champamment intenset se rompent.

    e) ainsi librsnte brutalementiode ne varieener.

    eurs de chargessation par choc,diode ne varieIMAGE A4.17PAGE 6 / 11

    ssible. Ce qui et le coefficient

    ener peut avoirn coefficient de

    de ainsi que lervues pour un

    ble.

  • APPROCHE THEORIQUE INTRODUCTION A L'ELECTRONIQUE A4 THEORIE DES SEMI-CONDUCTEURS

    EPSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers *.pdf - Version aot 2000 - Date conversion : 20/09/01

    A4.7 Effet transistor, du microscope l'ohmmtre

    Avant 1950, tout quipement lectronique comportait des tubes vide. Ces "lampes" luminescentes, dont lefilament lui seul consommait dj quelques watts, ncessitaient une alimentation volumineuse et un dispositifde circulation d'air afin de dissiper la chaleur mise.

    Effectuant des recherches depuis 1948 aux Bells Telephone Laboratories, trois chercheurs mirent au point, vers1951, un dispositif semi-conducteur deux jonctions appel transistor (de l'expression anglaise TRANSferresISTOR). Ces trois physiciens et techniciens amricains, JOHN BARDEEN, WALTER BRATTAIN etWILLIAM SCHOCKLEY obtinrent d'ailleurs le prix Nobel de physique en 1956 pour leur invention.

    L'impact de cette dcouverte sur l'lectronique fut considrable et donna naissance toute une industrie ainsiqu'au dveloppement de composants lectroniques allant jusqu'au microprocesseur actuel prsent dans toutmicro-ordinateur.

    Un transistor est ralis partir d'une plaquette semi-conductrice, germanium ou silicium, dans laquelle troiszones de dopage P ou N, telles que nous l'avons dj dcrit pour les diodes, sont cres, ce qui reprsente laralisation de deux jonctions P-N.

    Il est donc possible d'obtenir des transistors PNP ou NPN qui sont complmentaires. Les courants et les tensionsd'un transistor PNP sont opposs aux courants et tensions d'un transistor NPN, mais le principe defonctionnement est exactement le mme pour les deux types.

    Vu l'aide d'un microscope, l'intrieur d'un transistor peut se visualiser (en simplifi, bien sr) selon le dessinci-dessous.

    Il est utile de savoir que la zone d'metteur est fortement dope, la zone de base est trs troitm) et faiblement dope, alors que la zone collecteur, dope moyennement, est par contre la pluzones et dissipe le plus de chaleur.

    Le transistor ressemble donc deux diodes, l'une pouvant tre appele diode collecteur pour lacollecteur, et l'autre diode metteur pour la jonction base-metteur. Le transistor peut se comparedeux diodes dont soit les anodes (cas du NPN) ou les cathodes (cas du PNP) sont relies et symbo

    Ce schma quivalent des deux diodes reprsente bien ce que nous pouvons mesurer l'aide mais la comparaison s'arrte l car pour que l'effet transistor existe, il faut bien que la base sofaiblement dope, le tout sur la mme plaquette semi-conductrice.IMAGE A4.18 [2]e (de l'ordre dus large des trois

    jonction base-r au schma delisent la base.IMAGE A4.19 IMAGE A4.20PAGE 7 / 11

    d'un ohmmtre,it trs mince et

  • APPROCHE THEORIQUE INTRODUCTION A L'ELECTRONIQUE A4 THEORIE DES SEMI-CONDUCTEURS

    EPSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers *.pdf - Version aot 2000 - Date conversion : 20/09/01

    A4.8 Effet transistor, du microscope l'ampremtre

    Si nous alimentons le transistor de telle manire polariser les diodes collecteur et metteur dans le sens direct,nous constatons un grand courant du aux porteurs de charges majoritaires amens par les atomes du dopage.

    Si au contraire nous alimentons le transistor de manire polariser les diodes collecteur et metinverse, nous constaterons un trs faible courant, d aux porteurs de charges minoritaires amenthermique. Ce courant est souvent ngligeable, mais il existe nanmoins.

    Chacun des courants ci-dessus est dpendant de la temprature et augmente avec celle-ci. En edes semi-conducteurs diminue avec l'augmentation de la temprature (le coefficient esdpendance physique sera lourde de consquence lorsqu'il faudra obtenir des montages lectquelque soit la temprature de fonctionnement.

    A4.9 Effet transistor, du microscope l'effet transistor

    Rien d'inhabituel ne s'est produit lors de la polarisation directe ou inverse des deux jonctionpouvons appeler l'effet transistor se produit losque le transistor est aliment de manire pmetteur dans le sens direct et la diode collecteur dans le sens inverse:

    Nous pouvons nous attendre un courant d'metteur provenant de la base, puisque la jonction bpolarise dans le sens direct, et aucun courant de collecteur, car la jonction base-collecteurinverse. Mais ce serait oublier que la base est trs mince et faiblement dope.IMAGE A4.21 [2]teur dans le senss par l'agitationIMAGE A4.22 [2]ffet, la rsistivitt ngatif). Cetteroniques stables

    s. Ce que nousolariser la diode

    ]IMAGE A4.23 [2PAGE 8 / 11

    ase-metteur est est polarise en

  • APPROCHE THEORIQUE INTRODUCTION A L'ELECTRONIQUE A4 THEORIE DES SEMI-CONDUCTEURS

    EPSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers *.pdf - Version aot 2000 - Date conversion : 20/09/01

    L'effet transistor peut se rsumer (et se simplifier) de la manire suivante: Les lectrons venant de l'metteur(cas du NPN) arrivent dans la rgion de la base. Deux trajets sont offerts, l'un vers la zone de la base, et l'autre travers la jonction collecteur et ensuite dans la rgion du collecteur.

    La base tant trs mince et remplie d'lectrons provenant de l'alimentation de l'metteur, ceux-cichamp lectrique sur la jonction collecteur, renfor par la polarisation inverse de l'alimentationqui entrane une conduction par effet d'avalanche, l'image d'une diode Zener.

    En fait, dans la plupart des transistors, plus du 95% des lectrons vont dans la rgion du collecte5% des lectrons vont dans la rgion de la base et passent au conducteur externe de la base.

    L'effet transistor n'existe donc que si la diode metteur est polarise dans le sens direct et la ddans le sens inverse. Si ces conditions sont remplies, nous constatons deux vnements l'utilisation du transistor, savoir :

    1 - Le courant de collecteur est peu prs gal au courantd'metteur. (IE = IC 5% prs)

    2 - Le courant de collecteur n'est existant que si la jonctionbase-metteur est polarise dans le sens direct (UBE = 0,6V) cequi implique un courant de base IB.

    En rsum, pour que l'effet transistor existe, il faut : - que la diode collecteur soit polarise en- que la diode metteur soit polarise dan

    et dans ce cas le transistor devient une source de courant commande :

    Le faible courant de base commande un fort courant d'metteur ( et donc de collecteur )

    Le transistor peut se reprsenter l'aide d'un schma quivalent compos d'une source de couranet d'une diode.IMAGE A4.24 [2]P

    provoquent un de collecteur,

    ur, et moins de

    iode collecteuressentiels pour

    ins le

    t (cIMAGE A4.25 [2]verse sens direct

    ommande)IMAGE A4.26 [2] IMAGE A4.27 [2]AGE 9 / 11

  • APPROCHE THEORIQUE INTRODUCTION A L'ELECTRONIQUE A4 THEORIE DES SEMI-CONDUCTEURS

    EPSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers *.pdf - Version aot 2000 - Date conversion : 20/09/01

    A4.10 Effet de champ

    Au paragraphe 4.6 sur l'effet Zener, nous avons remarqu que les porteurs de charges mobiles de l'lment dedopage pouvaient se dplacer sous l'influence d'un champ lectrique. Par exemple, une jonction PN se vide lorsd'une polarisation inverse, ce qui amne l'existence d'un champ l'intrieur mme de la jonction.

    Ce phnomne est utilis par les transistors effet de champ que nous pouvons rsumer de la manire suivante,un canal conducteur (P ou N) est rendu plus ou moins conducteur grce une tension de commande qui le videtout ou en partie de ses porteurs de charges mobiles.

    Sur un barreau de silicium P, deux zones N sont diffuses pour former le drain et la sgalement un condensateur avec la grille dont le dilectrique est la couche d'oxyde.

    Lorsque la grille est rendue positive par rapport le source, les lectrons du barreau sositue entre le drain et la source. Par cet artifice, un canal de type N est cr entre la sotension est applique entre le drain et la source, un courant de drain ID circulera.

    En variant la tension de commande UGS, la densit des lectrons dans le canal changecourant de drain varie ou que la rsistance de passage du drain est modifie, ce qui rev

    L'avantage de cette commande, dite en tension, est qu'il n'y a aucun courant de grilcommande, ce qui diminue d'autant la puissance de commande ncessaire. De pd'lectrons dplacer dans la grille, la rapidit de commande est accrue ce qui pe"travailler" plus haut en frquence.

    En technique audio, ils sont parfois prfr aux transistors bipolaires (PNP ou NPNcommande en tension est d'obtenir un son plus "chaud", l'image des tubes lectroniq

    B

    D

    G

    S

    N N

    Barreau PCouche inverse

    canal N

    connexionsmtalliques (Al)

    Couche d'oxydS G D

    B

    UGS

    La tension UGS commandele courant de drain ID IDIMAGE A4.28PA

    ource. Le barreau P forme

    nt attirs dansurce et le drain

    . Ce qui signifient au mme.

    le, donc aucunlus, comme irmet ces tr

    ) car le rsuues sous vide.

    e (SiO )2IMAGE A4.29GE 10 / 11

    la zone. Si une

    ie que le

    courant del n'y a pasansistors de

    ltat de cette

  • APPROCHE THEORIQUE -- LES COMPOSANTS ELECTRONIQUES B5 LES DIODES

    EPSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers B*.pdf - Vers

    SOMMAIRE

    B5.1 Premire approcheB5.2 De la jonction PN la diodeB5.3 Caractristique d'une diodeB5.4 Mcanisme de conduction d'une diodeB5.5 Approximation d'une diodeB5.6 Principales utilisationsB5.7 Bibliographie

    B5.1 Premire approche

    Selon la Mthode d'analyse, M. J.Neuenschwander

    SYMBOLE* Anode Cathode

    FONCTION*La fonction "gnrique"nous disons qu'elle est bloque le courant dansbloquant ou inverse).

    SPECIFICATIONS*TYPES*

    Puissance nominale PNO

    Tension inverse UINV. [VCourant direct IDIR. [A].

    TECHNOLOGIEActuellement pratiquemdiffre essentiellement edirect maximal et la tens

    UTILISATIONSPetits signaux : Commu

    Grands signaux : Redres

    METHODE DECONTRLE*

    Ohmiquement, il n'y a g

    Pour mesurer les valeurlimiter les courants max

    * Il n'est peut-tre pas inutile de prciser ici qu'un bon pune pratique efficace du dpannage des circuits lectroniion aot 2000 - Date conversion : 15/11/01 PAGE 1 / 5

    d'une diode est d'une part, elle laisse passer le courant dans un sens,conductrice (dans le sens passant ou sens direct) et d'autre part, elle l'autre sens. Nous disons alors qu'elle est bloque (dans le sens

    M. [W],

    ] et

    ent toutes les diodes sont ralises l'aide de silicium. Leur aspectn fonction des limites qu'elles peuvent supporter, savoir le courantion inverse maximale.

    tations de commandes, petites protections, limitation, dmodulation.

    sements, protections d'lectroaimants.

    nralement aucune disposition particulire.

    s principales de sa caractristique tension - courant, il faut veiller imum admissibles

    raticien a besoin de connatre "par coeur" les indications suivies de l'astrisque * pourques..

    IMAGE B5.1

  • APPROCHE THEORIQUE -- LES COMPOSANTS ELECTRONIQUES B5 LES DIODES

    EPSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers B*.pdf - Version aot 2000 - Date conversion : 15/11/01 PAGE 2 / 5

    B5.2 De la jonction PN la diode

    Une diode est un lment en silicium form de deux rgions de dopage diffrent, savoir dopage P et dopageN. La runion des deux zones de dopage, sur une mme plaquette de silicium, s'appelle une jonction PN.

    A la jonction (runion) des deux zones P et N, les porteurs de chargesmobiles se combinent et il apparat une zone d'espace vide de porteurs decharges mobiles, donc isolante. Les proprits physiques qui rsultent decet espace donnent naissance aux phnomnes de conduction lectriqueparticulire, comme la conduction dans un seul sens du courantlectrique.

    Une forte majorit d'lments lectroniques, du transistor aux circuitsintgrs, sont composs de jonctions PN.

    Pour cette raison qu'il est utile de comprendre le mcanisme physique qui se droule dans une jonction PN. Unebrve introduction aux semi-conducteurs est prsente sur les pages Introduction l'lectronique / thorie dessemiconducteurs de ce site et donne une explication succincte sur le fonctionnement d'une jonction P-N.

    B5.3 Caractristique d'une diode

    Le comportement d'une diode peut se dduire de sacaractristique courant - tension :

    ID = f (UD).

    La courbe obtenue n'tant pas une droite, nous parlonsd'un lment non-linaire. Ce qui signifie que le courantqui circule dans l'lment n'est pas proportionnel latension applique, donc ne dpend pas uniquement de laloi d'ohm.

    Dans le sens direct, la tension de seuil est la tensionncessaire appliquer la diode pour qu'elle devienneconductrice. USEUIL 0,6V pour le Si ( 0,3V pour leGe).

    Au del de la tension de seuil, le courant ne dpend pratiquement plus que de la rsistance totale du circuit. Latension aux bornes de la diode est comprise entre 0,6V et 0,8V.

    Le courant inverse est trs faible (de l'ordre du nanoampre). Il augmente trs fortement au del d'une certainetension inverse, appele tension de claquage. La tension inverse de claquage varie entre 10 et 1000 Voltssuivant le type de diode. Dans la plupart des cas, l'emballement thermique entran par la tension de claquagedtruit la diode.

    Les caractristiques varient considrablement avec la temprature et les concepteurs de circuits doivent en tenircompte. Nous n'entrerons pas ici dans plus de prcisions concernant ces caractristiques, car pour le dpanneur,de plus amples dtails sont fournis dans les livres de correspondances (data-book) auxquels nous pouvons iciquencourager la lecture. Par contre, et avant d'analyser les divers circuits d'utilisations des diodes, voiciquelques grandeurs que nous pouvons considrer comme importantes et qu'il faut garder en mmoire :

    Courant direct maximum : IFCourant direct maximum de crte : IFMTension inverse maximum : URTension inverse maximum de crte : URM

    +

    ++

    +

    -

    -

    -

    +

    ++

    +

    ++

    +

    +

    ++

    +

    -

    -

    -

    -

    -

    -

    --

    -

    -

    - -

    Zone N

    Zone P

    polarisation directe

    polarisation inverse

    emballementthermique

    zone deconduction

    zone de blocage

    zone de

    claquage

    ID

    UD

    +-

    -+

    U SEUIL

    INV.MAX.U

    exemple: 1N4007

    U SEUIL = 0,6 VINV.MAX.U = 1000V

    IMAGE B5.2

    IMAGE B5.3

    IMAGE B5.4

  • APPROCHE THEORIQUE -- LES COMPOSANTS ELECTRONIQUES B5 LES DIODES

    EPSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers B*.pdf - Version aot 2000 - Date conversion : 15/11/01 PAGE 3 / 5

    B5.4 Mcanisme de conduction d'une diode

    Lorsque l'on alimente une diode, donc une jonction PN, l'effet change selon la polarit de la tension applique.Une diode ne laisse passer le courant que dans un seul sens.

    Essayons de comprendre ce phnomne particulier :

    Le PLUS la zone P Le PLUS la zone N

    Si l'alimentation (V+) est suprieure 0,6 - 0,8volts, les porteurs de charges mobiles ontsuffisamment d'nergie pour "traverser" la zoneisolante.

    Le PLUS la zone P Le PLUS la zone N

    Rig

    Ug

    jU

    +_

    _+

    Uj = 0,6 - 0,8V Uj = Ug

    Nous constatons qu'un courant lectrique circule.La jonction est conductrice en prsentant unediffrence de potentiel de 0,6 - 0,8 volts sesbornes.

    La diode conduit et nous pouvons idaliser cefonctionnement en la remplaant par ungnrateur DC (0,6 - 0,8V) et un interrupteurferm.

    Nous parlons de: polarisation dans le senspassant, ou sens direct; courant direct; en anglais"forward".

    ++

    +

    +

    -

    -

    -

    +

    ++

    +

    ++

    +

    + ++

    +-

    -

    -

    -

    -

    -

    - -

    -

    -

    --

    +

    I

    +

    ++

    +

    -

    -

    -

    +

    ++

    +

    ++

    +

    +

    ++

    +

    -

    -

    -

    -

    -

    -

    --

    -

    -

    --

    +

    Rig

    Ug

    jU

    +

    _

    _

    +

    Les porteurs de charges mobiles sont attirsvers les connexions extrieures par laprsence des charges lectriques del'alimentation.

    Nous constatons que la zone vide de porteurs decharges s'largit. La jonction est isolante.

    La diode est bloque et nous pouvons reprsentercet tat par un interrupteur ouvert.

    Nous parlons ici de: polarisation dans le sensbloquant, ou dans le sens inverse; en anglais"reverse" .

    IMAGE B5.5 IMAGE B5.6IMAGE B5.7 IMAGE B5.8

  • APPROCHE THEORIQUE -- LES COMPOSANTS ELECTRONIQUES B5 LES DIODES

    EPSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers B*.pdf - Version

    B5.5 Approximation d'une diode

    En technique de maintenance ou de dpannage, si nous dsirons comprendre le fonctionnement d'un montagecomprenant des diodes, il est souvent plus simple de considrer la diode de manire approximative. Pourillustrer ces approximations, nous utilisons une technique dite de schmas quivalents.

    Selon le besoin, nous pouvons avoir en tte, l'un ou l'autre des schmas quivalents ci-dessous. Le choix del'approximation dpend de la valeur des tensions prsentes dans le circuit, de l'utilit du circuit diode(dvelopp dans les pages suivantes) ou encore des courants circulant dans le montage.

    Diode idale: 1re approximation :

    Deuxime approx

    B5.6 Principales utilisations

    Les diodes sont utilises principalement dans les

    Les circuits de redressement qual

    Les circuits d'crtage, quou circuits de limitation d

    Les circuits de commutation quchci

    ID

    UD

    -+

    UD

    0,6 V

    I

    U

    D

    D

    -+

    ID

    0,6 V

    ID

    UDIMAGE B5.9 aot 2000 - Date conversion : 15/11/01 P

    imation:

    circuits selon trois groupes de fonction diffren

    i permettent la conversion d'une tensionternative en une tension continue.

    i permettent d'empcher un signalpasser une valeur (amplitude) choisie.

    i permettent la commande ou leangement de normes, ou encore pourrcuits logiques.

    UD

    -+

    UD

    RID

    RU

    ID =

    1

    IMAGE B5.10ID

    D

    IMAGE B5.1AGE 4 / 5

    ts:

  • APPROCHE THEORIQUE -- LES COMPOSANTS ELECTRONIQUES B6 LES DIODES ZENER

    EPSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers B*.pdf - Version aot 2000 - Date conversion : 15/11/01

    SOMMAIRE

    B6.1 Premire approcheB6.2 De la diode conventionnelle la diode ZenerB6.3 Caractristique tension - courant d'une diode ZenerB6.4 Valeurs pratiques des tensions ZenerB6.5 Principales caractristiques des diodes ZenerB6.6 Principales utilisationsB6.7 Bibliographie

    B6.1 Premire approche

    Selon la Mthode d'analyse, M. J.Neuenschwander

    SYMBOLE* Anode Cathode

    FONCTION*La fonction principale d'une diode Zener est de maintenconstante ses bornes. Ce sont des diodes stabilisatrices de t

    SPECIFICATIONS*

    TYPES*

    Puissance nominale PZ NOM. [W],Tension inverse (ou Zener) nominale UZ [V] etCourant Zener maximal IZ MAX. [A].

    TECHNOLOGIEToutes les diodes Zener sont ralises l'aide de silicium. Lecourantes ont une PZ NOM. = 450mW

    UTILISATIONSLa grosse majorit des diodes Zener sont utilises dans commande faible consommation. Egalement comme circuit dcrtage.

    METHODE DE CONTRLE*Ohmiquement, on mesure uniquement l'tat de la jonctioncourt-circuit).

    Pour mesurer les valeurs de sa caractristique tension - veiller limiter le courant maximal admissible.

    Il n'est peut-tre pas inutile de prciser ici qu'un bon praticien a besoin de connatre "par coeur" les indical'astrisque * pour une pratique efficace du dpannage des circuits lectroniques.

    1IMAGE B6.PAGE 1/ 5

    ir une tensionension.

    s Zener les plus

    des circuits dee limitation ou

    PN (ouvert ou

    courant, il faut

    tions suivies de

  • APPROCHE THEORIQUE -- LES COMPOSANTS ELECTRONIQUES B6 LES DIODES ZENER

    EPSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers B*.pd

    B6.2 De la diode conventionnelle la diode Zener

    Plus fortement dope que les diodes conventionnelles, un champ lectrique relativement faible devient djsuffisamment intense pour que les liaisons de covalence s'affaiblissent et se rompent. Les porteurs de charges(des lments de dopage) ainsi librs sont assez nombreux pour que le courant augmente brutalement et que latension aux bornes de la diode ne varie pratiquement plus. Cest ce qui est appel leffet Zener.

    Pour dautres diodes Zener, il est possibleminoritaires (du silicium) de la zone iionisation par choc, et, par effet d'avalandiode ne varie pratiquement plus. Cest ce

    B6.3 Caractristique tension - coZener

    La caractristique tension - courant dunces phnomnes.

    IZ = f (U

    Z)

    Dans le sens direct :

    La diode Zener se comporteconventionnelle.

    UZ 0,6V et le courant maximcircuit externe la diode.

    Dans le sens inverse :

    La diode prsente une rsistancetension de claquage, ou tension Z

    La diode est dans ce cas en conduction irsistance en srie, par exemple.

    Dans ce c

    Nous pouvons galement tablir la valeurde rsistance interne dynamique, qui se ca

    R

    Si la tension inverse redescend en dessou

    ++

    +

    +

    -

    -

    -+

    +

    +

    +

    +

    ++

    ++

    +

    +

    -

    -

    -

    -

    --

    -

    -

    --

    ---

    -

    -

    -

    -

    - +

    +

    +

    +

    +

    ++

    +

    +

    + -

    -

    -

    --

    EVm

    champ lectrique

    +

    ++

    +

    -

    -

    -

    +

    +

    ++

    ++

    +

    +

    ++

    +

    -

    -

    -

    -

    -

    -

    --

    -

    -

    --

    EVm

    champ lectrique

    2IMAGE B6.f - Version aot 2000 - Date conversion : 15/11/01 PAGE 2/ 5

    que sous l'action du champ lectrique interne, les porteurs de solante acquirent une nergie suffisante pour qu'il puisse che, le courant crot extrmement vite. La tension aux born qui est appel effet davalanche.

    urant d'une diode

    e diode Zener montre

    comme une diode

    um direct dpend du

    trs petite ds que laener, est atteinte.

    nverse, et il est impratif de limiter le courant dans celle-ci, a

    as, UZ UZ NOM (si IZMIN < IZ < IZMAX)

    de la rsistance interne que la diode prsente au circuit. Nouslcule selon la formule :

    Z

    ZDYN IZ I

    U====

    s de la valeur Zener, la diode se bloque nouveau.

    ID

    -

    +

    UZ-NOM.

    IZ-NOM.

    Z-MAX.IIMAGE B6.3chargesy avoires de laIMAGE B6.4vec une

    parlons

    UD

    -

    +

  • APPROCHE THEORIQUE -- LES COMPOSANTS ELECTRONIQUES B6 LES DIODES ZENER

    EPSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers B*.pdf - Version aot 2000 - Date conversion : 15/11/01

    I

    U

    D

    D

    -

    +

    -

    +

    Z-MAX.I

    Z-MIN.I

    U

    I

    B6.4 Valeurs pratiques des tensions Zener

    En pratique seul l'effet d'avalanche est possible pour les diodes dont la tension Zener dpasse 10V. Ce qui deux consquences, la caractristique de la diode est moins franche (la pente est plus grande) d'une part et lecoefficient de temprature est positif d'autre part.

    Les diodes dont la tension Zener est infrieure 5V ont une jonction trs mince et seul l'effet Zener peut avoirlieu, ce qui entrane que la caractristique de la diode est plus raide et, de plus, ces diodes ont un coefficient detemprature ngatif.

    Entre 5V et 10V, les deux effets se combinent. La caractristique est la plus raide atemprature qui peut tre proche de zro. Les diodes Zener sont particulirement indont la tension doit tre trs stable en temprature (Vrf. , par exemple).

    B6.5 Principales caractristiques des diodes Zener

    Nous pouvons reprer le fonctionnement de la diode Zener, avec ses limites, sur la couIZ = f (UZ) de la diode Zener.

    Nous avons vu que la valeur Zendonne pour un courant Zener nomin

    La diode Zener prsente une valedynamique trs faible dans la zoned'autres termes, pour une petite va(=UZ,) la diode modifie fortement le

    Enfin, en connaissant la puissance maximale que peut dissiper la diode, nous pouvonsmaximal qui peut traverser la diode.

    De la puissance maximale PZMAX. nous tirons le courant Zener maximum IZMAX. .

    I D

    U D

    avalanche

    zener

    +

    -

    o

    PZMAX.IZMAX. = ---------------

    UZNOM.

    UZRIZ =------------- 0 IZIMAGE B6.5insi que le coefficient dediques pour les circuits

    rbe caractristique

    er nominale UZNOM estIMAGE B6.6PAGE 3/ 5

    al IZNOM. .

    ur de rsistance interne de fonctionnement. Enriation de la tension UZ courant IZ (= IZ.)

    calculer le courant Zener

    ,1 1

  • APPROCHE THEORIQUE -- LES COMPOSANTS ELECTRONIQUES B6 LES DIODES ZENER

    EPSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers B*.p

    Diode Zener idale:

    De plus, il est possible de dterminer, comme pour les diodes conventionnelles, une valeur de rsistance internede la diode, soit de manire statique RIZ_STAT. , soit de manire dynamique RIZ_DYN. , en fonction des besoins.

    Ce dernier point nous amne considrer la diode Zener selon la mme technique d'approximation utilise pourles diodes conventionnelles:

    Lors du dpannage, il peut tre suffisanidale. Par contre, dans la conception eten compte la valeur de la rsistance inter

    B6.6 Principales utilisations

    Les diodes Zener sont utilises pour lecircuits de stabilisation de tension ou "rschma est toujours semblable et consisbornes de celle-ci pour obtenir une tensi

    Pour le fonctionnement du montage, izener fonctionne dans la zone de claquad'utilisation Zener.

    Il faudra pour cela contrler si la tensisurveiller que le courant dans la zener d'un minimum, ce qui entranerait le bloc

    - +

    - +

    UZ

    I

    U

    D

    D

    I

    U

    UZ

    U

    I=RIZ

    I

    U

    D

    D

    - +

    - +

    R S

    +UE U

    Deuxime approximation:IMAGE B6.7df - Version aot 2000 - Date conversion : 15/11/01 PAGE 4

    Z-MAX.I

    Z-MIN.I

    zoned'utilisation -

    +

    t de considrer la diode Zener dans un circuit comme un le calcul de circuits lectroniques, il est souvent ncessane RIZ .

    ur proprit de maintenir une tension constante leurgulateur Zener" ou les circuits gnrateurs de tension dte relier une rsistance en srie avec la Zener et de seon fixe.

    l est impratif que la diodege, appele galement zone

    on d'entre est suffisante etne descende pas en dessousage de la diode.

    U fixe

    R

    Rch

    ch R+IMAGE B6.8e diode Zenerire de prendre

    s bornes : Lese rfrence. Le connecter auxIMAGE B6.9ID

    UD

    IU petit

    grandIMAGE B6.10/ 5

    B5ELNDIODE.pdfB5.1 Premire approcheB5.2 De la jonction PN la diodeB5.3 Caractristique d'une diodeB5.4 Mcanisme de conduction d'une diodeB5.5 Approximation d'une diodeB5.6 Principales utilisationsB5.7 BibliographieB5.1 Premire approcheSelon la Mthode d'analyse, M. J.NeuenschwanderB5.3 Caractristique d'une diodeB5.4 Mcanisme de conduction d'une diodeB5.5 Approximation d'une diode

    B6ELNZENER.pdfSOMMAIREB6.1 Premire approcheB6.2 De la diode conventionnelle la diode ZenerB6.4 Valeurs pratiques des tensions ZenerB6.5 Principales caractristiques des diodes ZenerB6.6 Principales utilisationsB6.1 Premire approcheSelon la Mthode d'analyse, M. J.NeuenschwanderB6.4 Valeurs pratiques des tensions ZenerB6.5 Principales caractristiques des diodes Zener