Transistors Bipolaire et MOS - [Systèmes .bipolaire NPN et le transistor MOS ; ... - Sur un...

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  • Transistors Bipolaire et MOS

    Energie/EE

    Transistors en rgimede dcoupage

    (Groupe fonctionnel I)

  • Objectif, introduction

    Comprendre le principe de fonctionnement du transistor de puissance en commutation.

    Transistors NPN et MOS canal NAnalyse et comportement du transistor NPNAnalyse et comportement du transistor MOSRsum : les 4 phases dun cycle de dcoupageCompte rendu, valuation

    Ce travail est pralable ltude de fonctionnement des alimentations dcoupage et circuits de puissance ligne.

    Cours de tlvision (Dunod)Source :

  • 1- Mise en situation

    Exemple dapplication : alimentation dcoupage

    Cours de tlvision (Dunod)

    Transistor dedcoupage

  • 2- Reprsentation des transistors

    MOSCanal N

    BipolaireNPN

    Cours de tlvision (Dunod)

  • 3- Structure du transistor bipolaire

    Electrons majoritaires

    Electrons majoritaires

    Barrire isolante

    NPN

    Cours de tlvision (Dunod)

  • 4- Polarisation du transistor bipolaire

    Electrons majoritaires

    Electrons majoritaires

    Barrire isolante

    +

    -

    NPN

    Cours de tlvision (Dunod)

  • 5- Rle de la base (NPN)

    Electrons majoritaires

    Electrons majoritaires

    Apport dlectrons

    +

    -+-

    jusqu saturation de la zone

    NPN

    Cours de tlvision (Dunod)

  • 6- Augmentation du courant de base

    1re phase :+

    -+-

    ib ic Bu

    2me phase :

    ib ic Bu sat. max

    ic

    ib

    NPN

    Cours de tlvision (Dunod)

  • 7- Vers une commande de blocage

    3re phase :+

    -

    ib ic Bu

    ic

    ib

    ng.

    Gn. dstockage

    Extraire leslectronsexcdentairesde la base

    NPN

    Cours de tlvision (Dunod)

  • 8- Retour ltat bloqu

    +

    -4me phase :

    ib ic Bu = 0 = 0

    ic

    ib

    Maintien -

    NPN

    Cours de tlvision (Dunod)

  • 9- Structure du transistor MOS

    Electrons majoritaires

    Electrons majoritaires

    Barrire isolante

    Cours de tlvision (Dunod)

  • 10- Polarisation du transistor MOS

    Electrons majoritaires

    Electrons majoritaires

    +

    -

    Barrire isolante

    Cours de tlvision (Dunod)

  • 11- Canal de conduction (MOS)

    Canal N

    Electrons majoritaires

    Electrons majoritaires

    +

    -

    Charge de capacit

    +-

    ++++

    ----

    Ouverture dun canal Nde conduction

    Cours de tlvision (Dunod)

  • 12- Augmentation de la conduction

    Canal N

    +

    -+-

    ++++

    1re phase :

    Vg iD Bu

    2me phase :

    Vg iD Bu sat. max

    ----

    iD

    Cours de tlvision (Dunod)

  • 13- Vers une commande de blocage

    Canal N

    +

    -

    ++

    --

    iD

    3re phase :

    Vg iD Bu= 0Pas dlectronsExcdentaires= pas deDstockage(recombinaison)

    Cours de tlvision (Dunod)

  • 14- Retour ltat bloqu

    Canal N

    +

    -

    iD

    4me phase :

    Vg iD Bu = 0 = 0

    Cours de tlvision (Dunod)

  • 15- Les 4 phases du cycle de dcoupage(alimentation fly-back)

    Cours de tlvision (Dunod)

  • 16- Les 4 phases du cycle de dcoupage

    Compte rendu :- Evaluer les diffrences technologiques entre le transistor

    bipolaire NPN et le transistor MOS ;- Evaluer les amplitudes de la tension de mise en saturation

    des transistors bipolaire et MOS ; - Justifier la mise en uvre du gnrateur de dstockage ;- Evaluer les consquences dun temps de dstockage

    trop long ;- Rsumer les 4 phases dun cycle de dcoupage ;- Sur quelle phase agit la rgulation pour asservir le transfert ;- Sur un schma, analyser les structures associes au transistor de

    dcoupage.

    Cours de tlvision (Dunod)

  • Fin

    Transistors en rgimede dcoupage

    Merci de votre attention