7/22/2019 SyllabusELG2536-2013

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ELG 2536 - LECTRONIQUE I

Syllabus de Cours

Professeur:

Dr. Mustapha C.E. YAGOUB

Bureau : Colonel By : A-614

Courriel :myagoub@site.uottawa.ca

URL : http://www.site.uottawa.ca/~myagoub/ELG2536.html

Horaires

LEC 1 - Lundi 08:30 - 10:00 Pavillon EITI Pice: STE C0136

LEC 2 - Jeudi 10:00 - 11:30 Pavillon EITI Pice: STE C0136

DGD - Vendredi 08:30 - 10:00 Pavillon Portable Pice: POR 104

Laboratoire - Mardi 11:30 - 14:30 Colonel By Hall Pice : CBY B302

Manuelde cours:

Sedra A.S. and Smith K.C., Microelectronic Circuits, Oxford University Press, 6

th

Ed., 2010.

Autre livre de rfrences

Razavi B., Fundamentals of Microelectronics, Wiley, 2008

Des notes complmentaires seront mises la disposition des tudiants(es) partir du site du cours

mailto:myagoub@site.uottawa.cahttp://www.site.uottawa.ca/~myagoub/ELG2536.htmlhttp://www.site.uottawa.ca/~myagoub/ELG2536.htmlmailto:myagoub@site.uottawa.ca

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TRS IMPORTANT

Note finale :

SI

MAX [(25% * MI-SESSION + 45% * EXAMEN FINAL), (70% * EXAMEN FINAL)] 35(%),

ALORS

NOTE FINALE=15% * LABS+15% * QUIZZES/DEVOIRS +MAX [(25% * MI-SESSION +45% * EXAMEN FINAL), (70% * EXAMEN FINAL)]

SINON

NOTE FINALE = ECHEC

Consultation

Prendre rendez-vous par Courriel. Lundi CBY : A-614 de 10:0011:00

valuation

Devoirs et quizzes : 15 %

Les devoirs devront tre soumis une semaine aprs. Des quizzes pourront tre programms

durant le premier quart dheure de la sance de cours ou de DGD.

Examen de mi-session : 25 %

Sa date sera fixe ultrieurement. Un mmo des quations utilises en cours sera fourni.

Examen Final : 45 %

Laboratoires : 15 %

Il y a quatre laboratoires. Chaque groupe ne doit pas excder trois tudiants. Seuls les

rsultats mesurs pendant les sances de laboratoire et autographis par une personne

autorise seront accepts dans les rapports.Les rappor ts de laboratoire doivent tre remis

la f in de la sance de laboratoire.

Pralables

Ce cours fait suite aux cours dlectronique de base et de thorie des circuits (ELG 2538). Une

bonne matrise des thmes abords dans ces cours est absolument ncessaire. De plus, il prcde

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des cours plus avancs en lectronique analogique et numrique (ELG 3536, ELG 3575, ELG

4515, ELG 4537, etc.) et est de ce fait un cours essentiel lingnieur en lectronique.

Contenu du cours I

Physique des semi-conducteurs. Diodes : fonctionnement, modles et circuits dapplication.

Transistors Bipolaires Jonctions - fonctionnement et caractristiques. Circuits quivalents en

cc et en ca. Configurations de base d'amplificateurs TBJ un tage. Transistors Effet de

Champ : structure et fonctionnement physique, circuits de polarisation, circuits quivalents

faible signal et configurations de base d'amplificateurs. Concepts fondamentaux de circuits

logiques. Inverseur TBJ. Inverseur CMOS. Dlai de propagation de l'inverseur CMOS. Portes

logiques CMOS et autres circuits numriques. Introduction aux composants semi-conducteurs

de puissance : thyristor, triac, Transistor bipolaire porte isole. Applications en lectronique

de puissance : les convertisseurs ca-cc, cc-cc et cc-ca.

Description du cours

Introduction Signaux analogiques et numriques, Spectre en frquence dun signal, Gain en dB. Concepts fondamentaux d'amplificateurs. Rponse en frquence damplificateurs.

Diodes Principe de la jonction PN : diode idale Fonctionnement, Circuits quivalents et diffrents modles. Diodes redresseuses et Zener. Applications : circuits limiteurs, redresseurs, .

Transistors jonctions bipolaires (BJT) Fonctionnement et caractristiques de transistors PNP et NPN en mode actif. Configurations d'amplificateurs BJT petit signal un seul tage.

Transistors effet de champ (FET) Structure et fonctionnement physique : MOSFET. Circuits de polarisation Configurations d'amplificateurs de base.

Concepts fondamentaux de circuits logiques. Inverseurs BJT et CMOS.

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Dlai de propagation de l'inverseur CMOS. Portes logiques CMOS et autres circuits numriques.

Composants semi-conducteurs de puissance. Thyristors, triacs, transistors bipolaires porte isole Convertisseurs ca-cc, cc-cc et cc-ca.

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Ordre chronologique du droulement du cours :

Chapitres Sections du manuel

Introduction

(sections 1.1-1.5 (*))

Introduction llectronique, applications Dfinitions : composants, signaux et circuits Amplification : principe et modles (**)

Diodes jonction P-N

(sections 3.1-3.5

et 4.1-4.7)

Physique des semi-conducteurs (sections 3.1-3.3) Jonction PN (sections 3.4 et 3.5) Diode idale : caractristique et circuit quivalent (section 4.1) Diode jonction P-N : caractristiques, principes de fonctionnement

et modles (sections 4.2 et 4.3) Diodes Zener (section 4.4) Circuits redresseurs diodes (section 4.5) Circuits limiteurs et doubleurs (section 4.6) Diodes spciales (section 4.7)

Transistors jonctions

bipolaires (BJT)

(sections 6.1-6.8)

Structure (section 6.1) Fonctionnement et caractristiques (section 6.2) Analyse et modles quivalents DC/AC (sections 6.3-6.5) Circuits amplificateurs (sections 6.6-6.8)

Transistors effet dechamp (FET)

Transistor MOSFET

(sections 5.1-5.8)

Structure (section 5.1) Fonctionnement et caractristiques (section 5.2) Analyse et modles quivalents DC/AC (sections 5.3-5.4) Configuration CMOS (section 5.1.8)

Circuits amplificateurs (sections 5.4-5.8)

Circuits logiques

(sections 13.1-13.4)

Introduction aux circuits logiques (section 13.1) Inverseur BJT (**) Inverseur CMOS (section 13.2) Portes logiques CMOS, Flip-Flops et autres circuits numriques

(sections 13.3-13.4)

Composants semi-conducteurs de

puissance

(diffrentes sources)

Thyristors, triacs, transistors bipolaires porte isole (**) Convertisseurs ca-cc, cc-cc et cc-ca (**)

(*) Les sections indiques se rfrent au livre

Sedra A.S. and Smith K.C., Microelectronic Circuits, Oxford University Press, 2010

(**) Certaines parties du cours seront tires des autres sources cites en rfrence.Quelques parties pourraient tre donnes aux tudiants sous forme de documents photocopis.