Problématique « utilisation »

Problématique « utilisation »FonctionnalitésPerformanceConsommationFiabilitéPrix du produit

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Sept. 2012 - 700,000


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Apple’s custom designed dual core A6 chip, the tests show that the CPU runs at a variable frequency, ranging from 800MH to 1.2GHz. The actual frequency, of course depends upon the load on the device at a certain point of time.

http://www.iphonehacks.com/2012/09/iphone-5-a6-1gb-ram-with-33-faster-bandwidth-than-iphone-4s.html






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SunSpider benchmark tests the Javascript performance of a brewer, which depends both on the Javascript engine as well as the hardware:


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The suite tests GPU performance by rendering a standard set of scenes using OpenGL ES 2.0


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http://www.anandtech.com/show/6324/the-iphone-5-performance-preview


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http://78michel.unblog.fr/category/technique/smartphone/


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calculatrice, un chronomètre, fonction de rappel. « Snake II », « Pair II », « Space Impact », et « Bantumi ». possibilité d'envoyer de longs messages ayant le double de la taille d'un SMS standard. possibilité de composer des numéros à la voix pour la composition rapide du numéro.


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http://dl.google.com/io/2009/pres/W_0300_CodingforLife-BatteryLifeThatIs.pdf



http://sfb876.tu-dortmund.de/PublicPublicationFiles/manningdahan_etal_2012a.pdf



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Video

http://static.usenix.org/event/atc10/tech/slides/carroll.pdf

Problématique « fabrication »MiniaturisationIntégration SIPIntégration 3DNouvelles technologiesRendementVariabilitéCoûts de fabrication


Problématique « fabrication »Miniaturisation et consommation!Intégration SIPIntégration 3DNouvelles technologiesRendementVariabilitéCoûts de fabrication


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120Bipolar

Vacuum IBM 360IBM 370 IBM 3033

IBM ES9000

Fujitsu VP2000IBM 3090S

NTT

Fujitsu M- 780

IBM 3090CDC Cyber 205

IBM 4381IBM 3081

Fujitsu M380

CMOS

IBM RY5IBM GP

IBM RY6

Apache

Pulsar

Merced

IBM RY7

IBM RY4

Pentium II(DSIP)

Pentium 4?



“The root cause of variability in bulk CMOS technology is mainly RDF, random dopant fluctuations, i.e. variations in the exact number and position of dopant atoms in the channel of the transistor.”

electrical behavior different from its nominal behavior, with random differences of threshold voltage (VT)



Tri Gate ou Transistors 3DFinFET(INTEL Ivy Bridge)

FD SOI

http://www.youtube.com/watch?v=Jctk0DI7YP8



NanoTechnos

MRAM

http://www.pnano.org/nanomonde/index.html

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