NJG1133MD7 UMTS 用用用用ダモハャダモハャ …NJG1133MD7 - 2 - 絶対暷大定格 T a=+25...

NJG1133MD7

- 1 -Ver.2013-04-23

UMTS 用用用用トリプルトリプルトリプルトリプル LNA GaAs MMIC

概要外形

NJG1133MD7 は、UMTS のトリプルバンドでの使用を目的

とした LNA です。

バイパス機能を備えた 2.1GHz/800MHz/1.7GHz 帯の 3 つの

LNA を有しております。また 1.7GHz 帯 LNA は外部回路調整

により 1.5GHz 帯仕様に対応可能です。

パッケージには EQFN14-D7 を採用し、超小型化・超薄型化

を実現しました。

アプリケーション

UMTS の 2.1GHz、1.7GHz と 800MHz トリプルバンド対応

2.1GHz、1.9GHz と 800MHz、2.1GHz、1.8GHz と 800MHz、及び 2.1GHz、1.9GHz

と 900MHz のような UMTS/LTE のデュアル High-Band とシングル Low-Band の組

み合わせ対応 *注

特徴

低電源電圧 +2.8V typ.

低制御電圧 +1.8V typ.

低消費電流 2.3mA typ. @High Gain モード

48µA typ. @Low Gain モード

小型･薄型パッケージ EQFN14-D7 (Package size: 1.6 x 1.6 x 0.397mm typ.)

High gain モード

利得 16.0dB typ. @fRF=2140MHz, 885MHz, 1860MHz, 1495MHz

雑音指数 1.35dB typ. @fRF=2140MHz, 1860MHz

1.40dB typ. @fRF=885MHz 1.55dB typ. @fRF=1495MHz

入力 IP3 +0.5dBm typ. @fRF=2140.0+2140.1MHz, Pin=-30dBm

-2.0dBm typ. @fRF=885.0+885.1MHz, Pin=-30dBm 0dBm typ. @fRF=1860.0+1860.1MHz, Pin=-30dBm 0dBm typ. @fRF=1495.0+1495.1MHz, Pin=-30dBm

Low gain モード

利得 -3.5dB typ. @fRF=2140MHz

-3.0dB typ. @fRF=885MHz, 1495MHz -4.0dB typ. @fRF=1860MHz

入力 IP3 +12dBm typ. @fRF=2140.0+2140.1MHz, Pin=-16dBm

+12dBm typ. @fRF=885.0+885.1MHz, Pin=-20dBm +15dBm typ. @fRF=1860.0+1860.1MHz, Pin=-16dBm +15dBm typ. @fRF=1495.0+1495.1MHz, Pin=-16dBm

端子配列

NJG1133MD7

注: 本資料に記載された内容は、予告無く変更することがありますので、ご了承下さい。

端子配列

1. GND 8. GND

2. VCTL2 9. GND

3. VCTL1 10. RFIN3 (1.7G/1.5GHz)

4. GND 11. GND

5. RFOUT1 (800MHz) 12. RFIN2 (2.1GHz)

6. RFOUT2 (2.1GHz) 13. RFIN1 (800MHz)

7. RFOUT3 (1.7G/1.5GHz) 14. VCTL3

注：上記用途について、アプリケーションノートをご参照ください。

(Top View)

13

RFIN2

RFIN1RFOUT2

GND

VCTL2

VCTL3

VCTL1

Logic

Circuit

RFOUT3

RFIN3

RFOUT1

1.7GHz Band

Bias

Circuit

Bias

Circuit

Bias

Circuit

GND

2.1GHz Band

800MHz Band

6

5

7

14

12

13

GND2 41 3

10 811 9GNDGND

1pin

NJG1133MD7

- 2 -

絶対最大定格

Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω

項目記号条件定格単位

電源電圧 VDD 5.0 V

切替電圧 VCTL VCTL1,2,3 端子 5.0 V

入力電力 Pin +15 dBm

消費電力 PD 4 層(74.2x74.2mm ｽﾙｰﾎｰﾙ有)

FR4 基板実装時, Tj=150 1300 mW

動作温度 Topr -40~+85 °C

保存温度 Tstg -55~+150 °C

電気的特性 1 (DC 特性)

共通条件: VDD=2.8V, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による

項目記号条件最小標準最大単位

電源電圧 VDD 2.7 2.8 3.6 V

切替電圧 1 (High) VCTL1(H) 1.36 1.8 3.6 V

切替電圧 1 (Low) VCTL1(L) 0 0 0.3 V

切替電圧 2 (High) VCTL2(H) 1.36 1.8 3.6 V


切替電圧 3 (High) VCTL3(H) 1.36 1.8 3.6 V


動作電流 1 2.1GHz 帯 High Gain 時

IDD1 VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V, RF OFF

- 2.3 3.1 mA

動作電流 2 800MHz 帯 High Gain 時

IDD2 VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V, RF OFF

- 2.3 3.1 mA


IDD3 VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V, RF OFF

- 2.3 3.1 mA


IDD4 VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V, RF OFF

- 2.3 3.1 mA

動作電流 5 Low Gain 時

IDD5 VCTL3=0V, RF OFF - 48 85 µA

切替電流 1 ICTL1 VCTL1=1.8V - 5.5 8.5 µA



NJG1133MD7

- 3 -

電気的特性 2 (2.1GHz 帯 High Gain モード)

共通条件:VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V, fRF=2140MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω,

回路は指定の外部回路による


小信号電力利得 1 Gain1 基板、コネクタ損失(入力側

0.09dB,出力側 0.36dB)除く 14.5 16.0 17.5 dB

雑音指数 1 NF1 基板、コネクタ損失(0.09dB)

除く - 1.35 1.5 dB

1dB 利得圧縮時

入力電力 1 P-1dB(IN)_1 -15.0 -11.5 - dBm

入力 3 次インター

セプトポイント 1 IIP3_1

f1=fRF, f2=fRF+100kHz, Pin=-30dBm

-9.0 +0.5 - dBm

RF IN VSWR1 VSWRi1 - 1.5 2.0

RF OUT VSWR1 VSWRo1 - 2.0 2.5

電気的特性 3 (2.1GHz 帯 Low Gain モード)

共通条件:VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=0V, fRF=2140MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω,




0.09dB,出力側 0.36dB)除く -5.0 -3.5 -2.0 dB


除く - 3.5 6.0 dB

1dB 利得圧縮時

入力電力 2 P-1dB(IN)_2 +5.0 +14.0 - dBm




0 +12.0 - dBm



NJG1133MD7

- 4 -

電気的特性 4 (800MHz 帯 High Gain モード)

共通条件:VDD=2.7V, VCTL1=1.8V,VCTL2=0V,VCTL3=1.8V, fRF=885MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω,



小信号電力利得 3 Gain3 基板、コネクタ損失 (入力側

0.06dB,出力側 0.16dB)除く 14.3 16.0 17.3 dB


除く - 1.40 1.65 dB

1dB 利得圧縮時

入力電力 3 P-1dB(IN)_3 -16.0 -9.5 - dBm



f1=fRF, f2=fRF+100kHz, Pin=30dBm

-10.0 -2.0 - dBm



電気的特性 5 (800MHz 帯 Low Gain モード)

共通条件:VDD=2.7V, VCTL1=1.8V,VCTL2=0V,VCTL3=0V, fRF=885MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω,



小信号電力利得 4 Gain4 基板、コネクタ損失 (入力側

0.06dB,出力側 0.16dB)除く -4.5 -3.0 -2.0 dB

雑音指数 4 NF4 基板、コネクタ損失(0.06B)除

く - 3.0 6.0 dB

1dB 利得圧縮時

入力電力 4 P-1dB(IN)4 +4.5 +17.0 - dBm




+2.0 +12.0 - dBm



NJG1133MD7

- 5 -


共通条件:VDD=2.7V, VCTL1=0V,VCTL2=1.8V,VCTL3=1.8V, fRF=1860MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω,




0.10dB,出力側 0.31dB)除く 14.5 16.0 17.5 dB


除く - 1.35 1.6 dB

1dB 利得圧縮時

入力電力 5 P-1dB(IN)_5 -16.0 -8.0 - dBm




-9.0 0 - dBm




共通条件:VDD=2.7V, VCTL1=0V,VCTL2=1.8V, VCTL3=0V, fRF=1860MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω,




0.10dB,出力側 0.31dB)除く -5.5 -4.0 -2.0 dB


除く - 4.0 6.5 dB

1dB 利得圧縮時

入力電力 6 P-1dB(IN)_6 +4.0 +16.0 - dBm




0 +15.0 - dBm



NJG1133MD7

- 6 -


共通条件:VDD=2.7V, VCTL1=1.8V,VCTL2=1.8V,VCTL3=1.8V, fRF=1495MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω,




0.09dB,出力側 0.30dB)除く 14.5 16.0 18.0 dB


除く - 1.55 1.75 dB

1dB 利得圧縮時

入力電力 7 P-1dB(IN)_7 -16.0 -9.0 - dBm




-6.0 0 - dBm




共通条件:VDD=2.7V, VCTL1=1.8V,VCTL2=1.8V, VCTL3=0V, fRF=1495MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω,




0.09dB,出力側 0.30dB)除く -5.0 -3.0 -2.0 dB


除く - 3.0 6.0 dB

1dB 利得圧縮時

入力電力 8 P-1dB(IN)_8 +4.0 +16.0 - dBm




0 +15.0 - dBm



電気的特性 10

共通条件:VDD=2.7V, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による


Gain 可変幅 1

(2.1GHz 帯) GDR_1

(High Gain 時の Gain)-(Low Gain 時の Gain)

f=2140MHz VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=0 or 1.8V

17.5 19.5 21.0 dB

Gain 可変幅 2

(800MHz 帯) GDR_2


f=885MHz VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=0 or 1.8V

17.5 19.0 20.5 dB

Gain 可変幅 3

(1.7GHz 帯) GDR_3


f=1860MHz VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0 or 1.8V

18.0 20.0 21.5 dB

Gain 可変幅 4

(1.5GHz帯) GDR_4


f=1495MHz VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0 or 1.8V

17.5 19.5 21.0 dB

NJG1133MD7

- 7 -

真理値表

端子情報

番号端子名機能説明

1 GND 接地端子(0V)

2 VCTL2

3 VCTL1

周波数帯域切替端子です。2 ビットのコントロール信号により 3 つの LNA を切

り替えます(論理状態については真理値表をご参照下さい)。


5 RFOUT1

800MHz 帯信号出力端子です。外部整合回路を介して RF 信号を出力します。

この端子は LNA の電源電圧供給も兼ねていますので、外部回路図に示す L3 を

介して電源電圧を供給して下さい。

6 RFOUT2

2.1GHz 帯信号出力端子です。外部整合回路を介して RF 信号を出力します。



7 RFOUT3

1.7GHz(または 1.5GHz)帯信号出力端子です。外部整合回路を介して RF 信号を

出力します。





10 RFIN3

1.7GHz(または 1.5GHz)帯信号入力端子です。外部整合回路を介して RF 信号を

入力します。

この端子は IC 内部に DC ブロッキングキャパシタが内蔵されています。


12 RFIN2 2.1GHz 帯信号入力端子です。外部整合回路を介して RF 信号を入力します。


13 RFIN1 800MHz 帯信号入力端子です。外部整合回路を介して RF 信号を入力します。


14 VCTL3

Gain 切替端子です。この端子に”H”の切替電圧を印加した場合には LNA が High

Gain 状態に、”L”の切替電圧を印加した場合には LNA が Low Gain 状態になりま

す。

注意事項

1) GND 端子（1, 4, 8, 9, 11 番端子）は極力インダクタンスが小さくなるように接地して下さい。

“L”=0～0.3V、“H”=1.36～1.9V

LNA IDD バイパス回路 LNA IDD バイパス回路 LNA IDD バイパス回路

L L L OFF ON OFF ON OFF ON

L L H ON OFF OFF OFF OFF OFF

H L L OFF ON OFF ON OFF ON

H L H OFF OFF ON OFF OFF OFF

L H L OFF ON OFF ON OFF ON

L H H OFF OFF OFF OFF ON OFF

H H L OFF ON OFF ON OFF ON

H H H OFF OFF OFF OFF ON OFF

800MHz Band 1.7GHz (or 1.5GHz) Band2.1GHz Band

LNA動作状態切替電圧

VCTL1(Band Sel1)

VCTL2(Band Sel2)

VCTL3(RX ATT)

NJG1133MD7

- 8 -

特性例(2.1GHz 帯 High Gain 時)

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

5

10

-40 -30 -20 -10 0 10

2.1GHz @High Gain

Pout vs. Pin(f=2140MHz)

Pin (dBm)

Pout

Pout (dBm)

P-1dB(IN)=-9.3dBm

0

5

10

15

20

-40 -30 -20 -10 0 10

2.1GHz @High Gain

Gain, IDD vs. Pin(f=2140MHz)

0

2

4

6

8

Pin (dBm)

Gain

Gain (dB)

P-1dB(IN)=-9.3dBm

IDD (mA)

IDD

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

2 2.05 2.1 2.15 2.2 2.25 2.3

2.1GHz @High Gain

NF, Gain vs. frequency(f=2.0~2.3GHz)

4

6

8

10

12

14

16

18

20

Gain (dB)

frequency (GHz)

Gain

NF

NF (dB)

(Exclude PCB, Connector Losses)

-100

-80

-60

-40

-20

0

20

-40 -30 -20 -10 0 10

2.1GHz @High Gain

Pout, IM3 vs. Pin(f1=2140MHz, f2=f1+100kHz)

Pin (dBm)

Pout

Pout, IM3 (dBm)

IIP3=-0.1dBm

IM3

Condition

Ta=+25,

VDD =2.7V,

VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V

Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,

VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=1.85

NJG1133MD7

- 9 -


-18

-16

-14

-12

-10

-8

-6

-4

2.1 2.11 2.12 2.13 2.14 2.15 2.16 2.17 2.18

2.1GHz @High Gain

P-1dB(IN) vs. frequency(f=2.11~2.17GHz)

frequency (GHz)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

12

13

14

15

16

17

18

19

20

2.1 2.12 2.14 2.16 2.18 2.2

2.1GHz @High Gain

OIP3, IIP3 vs. frequency(f1=2.1~2.2GHz, f2=f1+100kHz, Pin=-30dBm)

-2

-1

0

1

2

3

4

5

6

frequency (GHz)

OIP3

OIP3 (dBm)

IIP3

IIP3 (dBm)

Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


NJG1133MD7

- 10 -


10

11

12

13

14

15

16

17

18

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

2.1GHz @High Gain

Gain, NF vs. VDD

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

VDD (V)

Gain

Gain (dB)

NF

NF (dB)

11

12

13

14

15

16

17

18

19

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

2.1GHz @High Gain

OIP3, IIP3 vs. VDD

-3

-2

-1

0

1

2

3

4

5

VDD (V)

OIP3

OIP3 (dBm)

IIP3

IIP3 (dBm)

Condition

Ta=+25,

f=2140MHz,


Condition

Ta=+25,

f1=2140MHz, f2=f1+100kHz,

Pin=-30dBm,


-10

-9

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

2.1GHz @High Gain

P-1dB(IN) vs. VDD

VDD (V)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

2.1GHz @High Gain

VSWR vs. VDD

VSWRiVSWRo

VDD (V)

VSWR

Condition

Ta=+25,

f=2140MHz,


Condition

Ta=+25,

f=2140MHz,


NJG1133MD7

- 11 -


0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

2.1GHz @High Gain

IDD vs. VDD

VDD (V)

IDD

IDD (mA)

Condition

Ta=+25,

RF=OFF,


NJG1133MD7

- 12 -


11

12

13

14

15

16

17

18

19

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

2.1GHz @High Gain

Gain, NF vs. Temperature(f=2.14GHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

Temperature (oC)

Gain

Gain (dB)

NF

NF (dB)


7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

2.1GHz @High Gain

OIP3H1, IIP3H1 vs. Temperature(f=2.14+2.1401GHz, Pin=-30dBm, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V)

-5

-4

-3

-2

-1

0

1

2

3

4

5

Temperature (oC)

OIP3H1

OIP3H1 (dBm)

IIP3H1 (dBm)

IIP3H1

-18

-16

-14

-12

-10

-8

-6

-4

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

2.1GHz @High Gain

P-1dB(IN) vs. Temperature(f=2.14GHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V)

Temperature (oC)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

2.1GHz @High Gain

VSWRi, VSWRo vs. Temperature(f=2.14GHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V)

VSWRiVSWRo

Temperature (oC)

VSWR

NJG1133MD7

- 13 -


0

1

2

3

4

5

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

2.1GHz @High Gain

IDD vs. Temperature(VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V, RF=OFF)

Temperature (oC)

IDD

IDD (mA)

NJG1133MD7

- 14 -


Condition：Ta=+25, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V

NJG1133MD7

- 15 -


0

5

10

15

20

0 5 10 15 20

2.1GHz @High Gain

k factor vs. frequency(f=50MHz~20GHz)

frequency (GHz)

k factor

Condition：Ta=+25, VDD= 2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V

NJG1133MD7

- 16 -

特性例(2.1GHz 帯 Low Gain 時)

-50

-40

-30

-20

-10

0

10

20

-40 -30 -20 -10 0 10 20

2.1GHz @Low Gain


Pin (dBm)

Pout

Pout (dBm)

P-1dB(IN)=+14.1dBm

-12

-10

-8

-6

-4

-2

0

-40 -30 -20 -10 0 10 20

2.1GHz @Low Gain


25

30

35

40

45

50

55

Pin (dBm)

Gain

Gain (dB)

P-1dB(IN)=+14.1dBm

IDD (uA)

IDD

0

2

4

6

8

10

12

14

2 2.05 2.1 2.15 2.2 2.25 2.3

2.1GHz @Low Gain


-14

-12

-10

-8

-6

-4

-2

0

Gain (dB)

frequency (GHz)

Gain

NFNF (dB)


-100

-80

-60

-40

-20

0

20

-40 -30 -20 -10 0 10 20

2.1GHz @Low Gain


Pin (dBm)

Pout

Pout, IM3 (dBm)

IIP3=+11.2dBm

IM3

Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,

VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=0V

Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD=2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


NJG1133MD7

- 17 -


4

6

8

10

12

14

16

18

20

2.1 2.11 2.12 2.13 2.14 2.15 2.16 2.17 2.18

2.1GHz @Low Gain


frequency (GHz)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

6

7

8

9

10

11

12

13

14

2.1 2.12 2.14 2.16 2.18 2.2

2.1GHz @Low Gain


6

7

8

9

10

11

12

13

14

frequency (GHz)

OIP3

OIP3 (dBm)

IIP3

IIP3 (dBm)

Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


NJG1133MD7

- 18 -


-6

-5

-4

-3

-2

-1

0

1

2

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

2.1GHz @Low Gain

Gain, NF vs. VDD

-2

-1

0

1

2

3

4

5

6

VDD (V)

Gain

Gain (dB)

NF

NF (dB)

5

6

7

8

9

10

11

12

13

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

2.1GHz @Low Gain

OIP3, IIP3 vs. VDD

5

6

7

8

9

10

11

12

13

VDD (V)

OIP3

OIP3 (dBm) IIP3

IIP3 (dBm)

12

13

14

15

16

17

18

19

20

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

2.1GHz @Low Gain

P-1dB(IN) vs. VDD

VDD (V)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

2.1GHz @Low Gain

VSWR vs. VDD

VSWRiVSWRo

VDD (V)

VSWR

Condition

Ta=+25,

f=2140MHz,


Condition

Ta=+25,

f1=2140MHz, f2=f1+100kHz,

Pin=-16dBm,


Condition

Ta=+25,

f=2140MHz,


Condition

Ta=+25,

f=2140MHz,


NJG1133MD7

- 19 -


25

30

35

40

45

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

2.1GHz @Low Gain

IDD vs. VDD

VDD (V)

IDD

IDD (uA)

Condition

Ta=+25,

RF=OFF,


NJG1133MD7

- 20 -


-9

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

2.1GHz @Low Gain

Gain, NF vs. Temperature(f=2.14GHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=0V)

2

3

4

5

6

7

8

9

10

Temperature (oC)

Gain

Gain (dB)

NF

NF (dB)


4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

2.1GHz @Low Gain

OIP3, IIP3 vs. Temperature(f=2.14+2.1401GHz, Pin=-16dBm, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=0V)

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

Temperature (oC)

OIP3

OIP3 (dBm)

IIP3 (dBm)

IIP3

6

8

10

12

14

16

18

20

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

2.1GHz @Low Gain

P-1dB(IN) vs. Temperature(f=2.14GHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=0V)

Temperature (oC)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

2.1GHz @Low Gain

VSWRi, VSWRo vs. Temperature(f=2.14GHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=0V)

VSWRiVSWRo

Temperature (oC)

VSWR

NJG1133MD7

- 21 -


0

10

20

30

40

50

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

2.1GHz @Low Gain

IDD vs. Temperature(VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=0V, RF=OFF)

Temperature (oC)

IDD

IDD (uA)

NJG1133MD7

- 22 -


Condition：Ta=+25, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=0V

NJG1133MD7

- 23 -


0

5

10

15

20

0 5 10 15 20

2.1GHz @Low Gain


frequency (GHz)

k factor

Condition：Ta=+25, VDD= 2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=0V

NJG1133MD7

- 24 -

特性例(800MHz 帯 High Gain 時)

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

5

10

-40 -30 -20 -10 0 10

800MHz @High Gain


Pin (dBm)

Pout

Pout (dBm)

P-1dB(IN)=-9.3dBm

0

5

10

15

20

-40 -30 -20 -10 0 10

800MHz @High Gain


0

2

4

6

8

Pin (dBm)

Gain

Gain (dB)

P-1dB(IN)=-9.3dBm

IDD (mA)

IDD

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

750 800 850 900 950 1000

800MHz @High Gain

NF, Gain vs. frequency(f=750~1000MHz)

4

6

8

10

12

14

16

18

20

Gain (dB)

frequency (MHz)

Gain

NF

NF (dB)


-100

-80

-60

-40

-20

0

20

-40 -30 -20 -10 0 10

800MHz @High Gain


Pin (dBm)

Pout

Pout, IM3 (dBm)

IIP3=-2.1dBm

IM3

Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,

VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V

Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


NJG1133MD7

- 25 -


-18

-16

-14

-12

-10

-8

-6

-4

860 870 880 890 900 910

800MHz @High Gain

P-1dB(IN) vs. frequency(f=869~900MHz)

frequency (MHz)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

9

10

11

12

13

14

15

16

17

860 870 880 890 900 910

800MHz @High Gain

OIP3, IIP3 vs. frequency(f1=860~910MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-30dBm)

-4

-3

-2

-1

0

1

2

3

4

frequency (MHz)

OIP3

OIP3 (dBm)

IIP3

IIP3 (dBm)

Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


NJG1133MD7

- 26 -


10

11

12

13

14

15

16

17

18

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

800MHz @High Gain

Gain, NF vs. VDD

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

VDD (V)

Gain

Gain (dB)

NF

NF (dB)

11

12

13

14

15

16

17

18

19

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

800MHz @High Gain

OIP3, IIP3 vs. VDD

-3

-2

-1

0

1

2

3

4

5

VDD (V)

OIP3OIP3 (dBm)

IIP3

IIP3 (dBm)

-10

-9

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

800MHz @High Gain

P-1dB(IN) vs. VDD

VDD (V)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

800MHz @High Gain

VSWR vs. VDD

VSWRiVSWRo

VDD (V)

VSWR

Condition

Ta=+25,

f1=885MHz, f2=f1+100kHz,

Pin=-30dBm,


Condition

Ta=+25,

f=885MHz,


Condition

Ta=+25,

f=885MHz,


Condition

Ta=+25,

f=885MHz,


NJG1133MD7

- 27 -


0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

800MHz @High Gain

IDD vs. VDD

VDD (V)

IDD

IDD (mA)

Condition

Ta=+25,

RF=OFF


NJG1133MD7

- 28 -


11

12

13

14

15

16

17

18

19

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

800MHz @High Gain

Gain, NF vs. Temperature(f=885MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

Temperature (oC)

Gain

Gain (dB)

NF

NF (dB)


7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

800MHz @High Gain

OIP3H1, IIP3H1 vs. Temperature(f=885+885.1MHz, Pin=-30dBm, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V)

-6

-5

-4

-3

-2

-1

0

1

2

3

4

Temperature (oC)

OIP3H1

OIP3H1 (dBm)

IIP3H1 (dBm)

IIP3H1

-18

-16

-14

-12

-10

-8

-6

-4

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

800MHz @High Gain

P-1dB(IN) vs. Temperature(f=885MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V)

Temperature (oC)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

800MHz @High Gain

VSWRi, VSWRo vs. Temperature(f=885MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V)

VSWRiVSWRo

Temperature (oC)

VSWR

NJG1133MD7

- 29 -


0

10

20

30

40

50

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

800MHz @Low Gain

IDD vs. Temperature(VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=0V, RF=OFF)

Temperature (oC)

IDD

IDD (uA)

NJG1133MD7

- 30 -


Condition：Ta=+25, VDD= 2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V

NJG1133MD7

- 31 -


0

5

10

15

20

0 5 10 15 20

800MHz @High Gain


frequency (GHz)

k factor

Condition：Ta=+25, VDD= 2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V

NJG1133MD7

- 32 -

特性例(800MHz 帯 Low Gain 時)

-50

-40

-30

-20

-10

0

10

20

-40 -30 -20 -10 0 10 20

800MHz @Low Gain


Pin (dBm)

Pout

Pout (dBm)

P-1dB(IN)=+17.7dBm

-12

-10

-8

-6

-4

-2

0

-40 -30 -20 -10 0 10 20

800MHz @Low Gain


25

30

35

40

45

50

55

Pin (dBm)

Gain

Gain (dB)

P-1dB(IN)=+17.7dBm

IDD (uA)

IDD

0

2

4

6

8

10

12

14

750 800 850 900 950 1000

800MHz @Low Gain

NF, Gain vs. frequency(f=750~1000MHz)

-14

-12

-10

-8

-6

-4

-2

0

Gain (dB)

frequency (MHz)

Gain

NF

NF (dB)


-100

-80

-60

-40

-20

0

20

-40 -30 -20 -10 0 10 20

800MHz @Low Gain


Pin (dBm)

Pout

Pout, IM3 (dBm)

IIP3=+14.5dBm

IM3

Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,

VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=0V

Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


NJG1133MD7

- 33 -


6

8

10

12

14

16

18

20

22

860 870 880 890 900 910

800MHz @Low Gain


frequency (MHz)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

9

10

11

12

13

14

15

16

17

860 870 880 890 900 910

800MHz @Low Gain

OIP3, IIP3 vs. frequency(f1=860~910MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-20dBm)

9

10

11

12

13

14

15

16

17

frequency (MHz)

OIP3

OIP3 (dBm) IIP3

IIP3 (dBm)

Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


NJG1133MD7

- 34 -


-6

-5

-4

-3

-2

-1

0

1

2

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

800MHz @Low Gain

Gain, NF vs. VDD

-2

-1

0

1

2

3

4

5

6

VDD (V)

Gain

Gain (dB)

NF

NF (dB)

8

9

10

11

12

13

14

15

16

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

800MHz @Low Gain

OIP3, IIP3 vs. VDD

9

10

11

12

13

14

15

16

17

VDD (V)

OIP3

OIP3 (dBm) IIP3

IIP3 (dBm)

12

13

14

15

16

17

18

19

20

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

800MHz @Low Gain

P-1dB(IN) vs. VDD

VDD (V)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

800MHz @Low Gain

VSWR vs. VDD

VSWRiVSWRo

VDD (V)

VSWR

Condition

Ta=+25,

f1=885MHz, f2=f1+100kHz,

Pin=-20dBm,


Condition

Ta=+25,

f=885MHz,


Condition

Ta=+25,

f=885MHz,


Condition

Ta=+25,

f=885MHz,


NJG1133MD7

- 35 -


25

30

35

40

45

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

800MHz @Low Gain

IDD vs. VDD

VDD (V)

IDD

IDD (uA)

Condition

Ta=+25,

RF=OFF


NJG1133MD7

- 36 -


-9

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

800MHz @Low Gain

Gain, NF vs. Temperature(f=885MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=0V)

2

3

4

5

6

7

8

9

10

Temperature (oC)

Gain

Gain (dB)

NF

NF (dB)


4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

800MHz @Low Gain

OIP3, IIP3 vs. Temperature(f=885+885.1MHz, Pin=-20dBm, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=0V)

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

Temperature (oC)

OIP3

OIP3 (dBm)

IIP3 (dBm)

IIP3

6

8

10

12

14

16

18

20

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

800MHz @Low Gain

P-1dB(IN) vs. Temperature(f=885MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=0V)

Temperature (oC)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

800MHz @Low Gain

VSWRi, VSWRo vs. Temperature(f=885MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=0V)

VSWRiVSWRo

Temperature (oC)

VSWR

NJG1133MD7

- 37 -


0

10

20

30

40

50

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

800MHz @Low Gain

IDD vs. Temperature(VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=0V, RF=OFF)

Temperature (oC)

IDD

IDD (uA)

NJG1133MD7

- 38 -


Condition：Ta=+25, VDD= 2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=0V

NJG1133MD7

- 39 -


0

5

10

15

20

0 5 10 15 20

800MHz @Low Gain


frequency (GHz)

k factor

Condition：Ta=+25, VDD= 2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=0V

NJG1133MD7

- 40 -


-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

5

10

-40 -30 -20 -10 0 10

1.7GHz @High Gain


Pin (dBm)

Pout

Pout (dBm)

P-1dB(IN)=-9.0dBm

0

5

10

15

20

-40 -30 -20 -10 0 10

1.7GHz @High Gain


0

2

4

6

8

Pin (dBm)

Gain

Gain (dB)

P-1dB(IN)=-9.0dBm

IDD (mA)

IDD

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

1.7 1.75 1.8 1.85 1.9 1.95 2

1.7GHz @High Gain

NF, Gain vs. frequency(f=1.7GHz~2.0GHz)

4

6

8

10

12

14

16

18

20

Gain (dB)

frequency (GHz)

Gain

NF

NF (dB)


-100

-80

-60

-40

-20

0

20

-40 -30 -20 -10 0 10

1.7GHz @High Gain


Pin (dBm)

Pout

Pout, IM3 (dBm)

IIP3=-0.5dBm

IM3

Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,

VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V

Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


NJG1133MD7

- 41 -


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


-18

-16

-14

-12

-10

-8

-6

-4

1.83 1.84 1.85 1.86 1.87 1.88 1.89

1.7GHz @High Gain


frequency (GHz)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

9

10

11

12

13

14

15

16

17

1.8 1.82 1.84 1.86 1.88 1.9

1.7GHz @High Gain


-4

-3

-2

-1

0

1

2

3

4

frequency (GHz)

OIP3

OIP3 (dBm)

IIP3 IIP3 (dBm)

NJG1133MD7

- 42 -


Condition

Ta=+25,

f=1860MHz,


Condition

Ta=+25,

f1=1860MHz, f2=f1+100kHz,

Pin=-30dBm,


Condition

Ta=+25,

f=1860MHz,


Condition

Ta=+25,

f=1860MHz,


10

11

12

13

14

15

16

17

18

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

1.7GHz @High Gain

Gain, NF vs. VDD

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

VDD (V)

Gain

Gain (dB)

NF

NF (dB)

11

12

13

14

15

16

17

18

19

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

1.7GHz @High Gain

OIP3, IIP3 vs. VDD

-3

-2

-1

0

1

2

3

4

5

VDD (V)

OIP3

OIP3 (dBm)

IIP3

IIP3 (dBm)

-10

-9

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

1.7GHz @High Gain

P-1dB(IN) vs. VDD

VDD (V)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

1.7GHz @High Gain

VSWR vs. VDD

VSWRiVSWRo

VDD (V)

VSWR

NJG1133MD7

- 43 -


Condition

Ta=+25,

RF=OFF


0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

1.7GHz @High Gain

IDD vs. VDD

VDD (V)

IDD

IDD (mA)

NJG1133MD7

- 44 -


11

12

13

14

15

16

17

18

19

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

1.7GHz @High Gain

Gain, NF vs. Temperature(f=1860MHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

Temperature (oC)

Gain

Gain (dB)

NF

NF (dB)


7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

1.7GHz @High Gain

OIP3H1, IIP3H1 vs. Temperature(f=1860+1860.1MHz, Pin=-30dBm, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V)

-5

-4

-3

-2

-1

0

1

2

3

4

5

Temperature (oC)

OIP3H1

OIP3H1 (dBm)

IIP3H1 (dBm)

IIP3H1

-18

-16

-14

-12

-10

-8

-6

-4

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

1.7GHz @High Gain

P-1dB(IN) vs. Temperature(f=1860MHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V)

Temperature (oC)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

1.7GHz @High Gain

VSWRi, VSWRo vs. Temperature(f=1860MHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V)

VSWRiVSWRo

Temperature (oC)

VSWR

NJG1133MD7

- 45 -


0

1

2

3

4

5

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

1.7GHz @High Gain

IDD vs. Temperature(VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V, RF=OFF)

Temperature (oC)

IDD

IDD (mA)

NJG1133MD7

- 46 -


Condition：Ta=+25, VDD= 2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V

NJG1133MD7

- 47 -


Condition：Ta=+25, VDD= 2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V

0

5

10

15

20

0 5 10 15 20

1.7GHz @High Gain


frequency (GHz)

k factor

NJG1133MD7

- 48 -


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,

VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V

Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


-50

-40

-30

-20

-10

0

10

20

-40 -30 -20 -10 0 10 20

1.7GHz @Low Gain


Pin (dBm)

Pout

Pout (dBm)

P-1dB(IN)=+16.5dBm

-12

-10

-8

-6

-4

-2

0

-40 -30 -20 -10 0 10 20

1.7GHz @Low Gain


25

30

35

40

45

50

55

Pin (dBm)

Gain

Gain (dB)

P-1dB(IN)=+16.5dBm

IDD (uA)

IDD

0

2

4

6

8

10

12

14

1.7 1.75 1.8 1.85 1.9 1.95 2

1.7GHz @Low Gain


-14

-12

-10

-8

-6

-4

-2

0

Gain (dB)

frequency (GHz)

Gain

NF

NF (dB)


-100

-80

-60

-40

-20

0

20

-40 -30 -20 -10 0 10 20

1.7GHz @Low Gain


Pin (dBm)

Pout

Pout, IM3 (dBm)

IIP3=+15.3dBm

IM3

NJG1133MD7

- 49 -


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


6

8

10

12

14

16

18

20

22

1.83 1.84 1.85 1.86 1.87 1.88 1.89

1.7GHz @ Low Gain


frequency (GHz)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

8

9

10

11

12

13

14

15

16

1.8 1.82 1.84 1.86 1.88 1.9

1.7GHz @Low Gain


10

11

12

13

14

15

16

17

18

frequency (GHz)

OIP3

OIP3 (dBm)

IIP3

IIP3 (dBm)

NJG1133MD7

- 50 -


Condition

Ta=+25,

f=1860MHz,


Condition

Ta=+25,

f1=1860MHz, f2=f1+100kHz,

Pin=-16dBm,


Condition

Ta=+25,

f=1860MHz,


Condition

Ta=+25,

f=1860MHz,


-6

-5

-4

-3

-2

-1

0

1

2

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

1.7GHz @Low Gain

Gain, NF vs. VDD

-2

-1

0

1

2

3

4

5

6

VDD (V)

Gain

Gain (dB)

NF

NF (dB)

8

9

10

11

12

13

14

15

16

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

1.7GHz @Low Gain

OIP3, IIP3 vs. VDD

9

10

11

12

13

14

15

16

17

VDD (V)

OIP3

OIP3 (dBm)

IIP3

IIP3 (dBm)

12

13

14

15

16

17

18

19

20

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

1.7GHz @Low Gain

P-1dB(IN) vs. VDD

VDD (V)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

1.7GHz @Low Gain

VSWR vs. VDD

VSWRiVSWRo

VDD (V)

VSWR

NJG1133MD7

- 51 -


Condition

Ta=+25,

RF=OFF,


25

30

35

40

45

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

1.7GHz @Low Gain

IDD vs. VDD

VDD (V)

IDD

IDD (uA)

NJG1133MD7

- 52 -


-9

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

1.7GHz @Low Gain

Gain, NF vs. Temperature(f=1860MHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V)

2

3

4

5

6

7

8

9

10

Temperature (oC)

Gain

Gain (dB)

NF

NF (dB)


4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

1.7GHz @Low Gain

OIP3, IIP3 vs. Temperature(f=1860+1860.1MHz, Pin=-16dBm, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V)

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

Temperature (oC)

OIP3

OIP3 (dBm)

IIP3 (dBm)

IIP3

6

8

10

12

14

16

18

20

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

1.7GHz @Low Gain

P-1dB(IN) vs. Temperature(f=1860MHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V)

Temperature (oC)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

1.7GHz @Low Gain

VSWRi, VSWRo vs. Temperature(f=1860MHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V)

VSWRiVSWRo

Temperature (oC)

VSWR

NJG1133MD7

- 53 -


0

10

20

30

40

50

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

1.7GHz @Low Gain

IDD vs. Temperature(VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V, RF=OFF)

Temperature (oC)

IDD

IDD (uA)

NJG1133MD7

- 54 -


Condition：Ta=+25, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V

NJG1133MD7

- 55 -


Condition：Ta=+25, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V

0

5

10

15

20

0 5 10 15 20

1.7GHz @Low Gain


frequency (GHz)

k factor

NJG1133MD7

- 56 -


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,

VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V

Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


0

5

10

15

20

-40 -30 -20 -10 0 10

1.5GHz @High Gain


0

2

4

6

8

Pin (dBm)

Gain

Gain (dB)

P-1dB(IN)=-9.8dBm

IDD (mA)

IDD

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

5

10

-40 -30 -20 -10 0 10

1.5GHz @High Gain


Pin (dBm)

Pout

Pout (dBm)

P-1dB(IN)=-9.8dBm

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

1.4 1.45 1.5 1.55 1.6 1.65 1.7

1.5GHz @High Gain


4

6

8

10

12

14

16

18

20

Gain (dB)

frequency (GHz)

Gain

NF

NF (dB)


-100

-80

-60

-40

-20

0

20

-40 -30 -20 -10 0 10

1.5GHz @High Gain


Pin (dBm)

Pout

Pout, IM3 (dBm)

IIP3=-0.3dBm

IM3

NJG1133MD7

- 57 -


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


-18

-16

-14

-12

-10

-8

-6

-4

1.46 1.47 1.48 1.49 1.5 1.51 1.52

1.5GHz @High Gain


frequency (GHz)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

6

8

10

12

14

16

18

20

22

1.45 1.475 1.5 1.525 1.55

1.5GHz @High Gain


-4

-2

0

2

4

6

8

10

12

frequency (GHz)

OIP3

OIP3 (dBm)

IIP3

IIP3 (dBm)

NJG1133MD7

- 58 -


Condition

Ta=+25,

f=1495MHz,


Condition

Ta=+25,

f1=1495MHz, f2=f1+100kHz,

Pin=-30dBm,


Condition

Ta=+25,

f=1495MHz,


Condition

Ta=+25,

f=1495MHz,


10

11

12

13

14

15

16

17

18

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

1.5GHz @High Gain

Gain, NF vs. VDD

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

VDD (V)

Gain

Gain (dB)

NF

NF (dB)

11

12

13

14

15

16

17

18

19

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

1.5GHz @High Gain

OIP3, IIP3 vs. VDD

-3

-2

-1

0

1

2

3

4

5

VDD (V)

OIP3

OIP3 (dBm)

IIP3

IIP3 (dBm)

-10

-9

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

1.5GHz @High Gain

P-1dB(IN) vs. VDD

VDD (V)

P-1dB(IN)P-1dB(IN) (dBm)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

1.5GHz @High Gain

VSWR vs. VDD

VSWRiVSWRo

VDD (V)

VSWR

NJG1133MD7

- 59 -


Condition

Ta=+25,

RF=OFF


0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

1.5GHz @High Gain

IDD vs. VDD

VDD (V)

IDD

IDD (mA)

NJG1133MD7

- 60 -


11

12

13

14

15

16

17

18

19

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

1.5GHz @High Gain

Gain, NF vs. Temperature(f=1495MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

Temperature (oC)

Gain

Gain (dB)

NF

NF (dB)


7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

1.5GHz @High Gain

OIP3H1, IIP3H1 vs. Temperature(f=1495+1495.1MHz, Pin=-30dBm, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V)

-6

-5

-4

-3

-2

-1

0

1

2

3

4

Temperature (oC)

OIP3H1

OIP3H1 (dBm)

IIP3H1 (dBm)

IIP3H1

-18

-16

-14

-12

-10

-8

-6

-4

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

1.5GHz @High Gain

P-1dB(IN) vs. Temperature(f=1495MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V)

Temperature (oC)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

1.5GHz @High Gain

VSWRi, VSWRo vs. Temperature(f=1495MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V)

VSWRiVSWRo

Temperature (oC)

VSWR

NJG1133MD7

- 61 -


0

1

2

3

4

5

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

1.5GHz @High Gain

IDD vs. Temperature(VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V, RF=OFF)

Temperature (oC)

IDD

IDD (mA)

NJG1133MD7

- 62 -


Condition：Ta=+25, VDD= 2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V

NJG1133MD7

- 63 -


Condition：Ta=+25, VDD= 2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V

0

5

10

15

20

0 5 10 15 20

1.5GHz @High Gain


frequency (GHz)

k factor

NJG1133MD7

- 64 -


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,

VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V

Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,

VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V,

VCTL3=0V

-50

-40

-30

-20

-10

0

10

20

-40 -30 -20 -10 0 10 20

1.5GHz @Low Gain


Pin (dBm)

Pout

Pout (dBm)

P-1dB(IN)=+16.0dBm

-12

-10

-8

-6

-4

-2

0

-40 -30 -20 -10 0 10 20

1.5GHz @Low Gain


25

30

35

40

45

50

55

Pin (dBm)

Gain

Gain (dB)

P-1dB(IN)=+16.0dBm

IDD (uA)

IDD

0

2

4

6

8

10

12

14

1.4 1.45 1.5 1.55 1.6 1.65 1.7

1.5GHz @Low Gain


-14

-12

-10

-8

-6

-4

-2

0

Gain (dB)

frequency (GHz)

Gain

NF

NF (dB)


-100

-80

-60

-40

-20

0

20

-40 -30 -20 -10 0 10 20

1.5GHz @Low Gain


Pin (dBm)

Pout

Pout, IM3 (dBm)

IIP3=+14.4dBm

IM3

NJG1133MD7

- 65 -


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


Condition

Ta=+25,

VDD= 2.7V,


6

8

10

12

14

16

18

20

22

1.46 1.47 1.48 1.49 1.5 1.51 1.52

1.5GHz @Low Gain


frequency (GHz)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

2

4

6

8

10

12

14

16

1.45 1.475 1.5 1.525 1.55

1.5GHz @Low Gain


12

14

16

18

20

22

24

26

frequency (GHz)

OIP3

OIP3 (dBm)

IIP3

IIP3 (dBm)

NJG1133MD7

- 66 -


Condition

Ta=+25,

f=1495MHz,


Condition

Ta=+25,

f1=1495MHz, f2=f1+100kHz,

Pin=-16dBm,


Condition

Ta=+25,

f=1495MHz,


Condition

Ta=+25,

f=1495MHz,


-6

-5

-4

-3

-2

-1

0

1

2

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

1.5GHz @Low Gain

Gain, NF vs. VDD

-2

-1

0

1

2

3

4

5

6

VDD (V)

Gain

Gain (dB)

NF

NF (dB)

8

9

10

11

12

13

14

15

16

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

1.5GHz @Low Gain

OIP3, IIP3 vs. VDD

9

10

11

12

13

14

15

16

17

VDD (V)

OIP3

OIP3 (dBm)

IIP3

IIP3 (dBm)

12

13

14

15

16

17

18

19

20

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

1.5GHz @Low Gain

P-1dB(IN) vs. VDD

VDD (V)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

1.5GHz @Low Gain

VSWR vs. VDD

VSWRiVSWRo

VDD (V)

VSWR

NJG1133MD7

- 67 -


Condition

Ta=+25,

RF=OFF,


25

30

35

40

45

2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

1.5GHz @Low Gain

IDD vs. VDD

VDD (V)

IDD

IDD (uA)

NJG1133MD7

- 68 -


-9

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

1.5GHz @Low Gain

Gain, NF vs. Temperature(f=1495MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V)

2

3

4

5

6

7

8

9

10

Temperature (oC)

Gain

Gain (dB)

NF

NF (dB)


4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

1.5GHz @Low Gain

OIP3, IIP3 vs. Temperature(f=1495+1495.1MHz, Pin=-16dBm, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V)

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

Temperature (oC)

OIP3

OIP3 (dBm)

IIP3 (dBm)

IIP3

6

8

10

12

14

16

18

20

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

1.5GHz @Low Gain

P-1dB(IN) vs. Temperature(f=1495MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V)

Temperature (oC)

P-1dB(IN)

P-1dB(IN) (dBm)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

1.5GHz @Low Gain

VSWRi, VSWRo vs. Temperature(f=1495MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V)

VSWRiVSWRo

Temperature (oC)

VSWR

NJG1133MD7

- 69 -


0

10

20

30

40

50

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

1.5GHz @Low Gain

IDD vs. Temperature(VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V, RF=OFF)

Temperature (oC)

IDD

IDD (uA)

NJG1133MD7

- 70 -


Condition：Ta=+25, VDD= 2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V

NJG1133MD7

- 71 -


Condition：Ta=+25, VDD= VINV =2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.85V, VCTL3=0V

0

5

10

15

20

0 5 10 15 20

1.5GHz @Low Gain


frequency (GHz)

k factor

NJG1133MD7

- 72 -

ブロック図及び外部回路図（2.1GHz/800MHz/1.7GHz 帯仕様）

Parts ID 備考

L1, L2, L4 ~L9 村田製作所製（LQP03T）0603 サイズ

L3 TDK 製（MLK0603）0603 サイズ

C1~C5 村田製作所製（GRM03）0603 サイズ

注意事項

1) C3 のバイパスキャパシタは極力 L3, L6 に近い箇所に配置して下さい。

2) C5 のバイパスキャパシタは極力 L9 に近い箇所に配置して下さい。

3) GND 端子は極力インダクタンスが小さくなるように接地して下さい。

チップ部品リスト

13

RFIN2

RFIN1 RFOUT2

GND

VCTL2

VCTL3

VCTL1

Logic

Circuit

RFOUT3

RFIN3

RFOUT1

1.7GHz Band

(1.5GHz Band)Bias

Circuit

Bias

Circuit

Bias

Circuit

GND

2.1GHz Band

800MHz Band

6

5

7

14

12

13

GND2 41 3

10 811 9GNDGND

(Top View)

RF OUT3 (1.7GHz)

RF OUT1 (800MHz)

RF OUT2 (2.1GHz)

VDD

VCTL1 (Band Sel1)

VCTL2 (Band Sel2)

VCTL3 (RX ATT)

RF IN3 (1.7GHz)

RF IN2 (2.1GHz)

RF IN1 (800MHz)

L1

12nH

L2

8.2nH

L3

10nH

L4

2.4nH

L5

1.6nH

L6

2.4nH

L7

3.3nH

L8

1.1nH

L9

3.0nH

C1

2pF

C4

2pF

C2

2pF

C3

0.01µF

C5

0.01µF

NJG1133MD7

- 73 -

ブロック図及び外部回路図（2.1GHz/800MHz/1.5GHz 帯仕様）

Parts ID 備考

L1, L2, L4 ~L9 村田製作所製（LQP03T）0603 サイズ

L3 TDK 製（MLK0603）0603 サイズ

C1~C5 村田製作所製（GRM03）0603 サイズ

チップ部品リスト

13

RFIN2

RFIN1 RFOUT2

GND

VCTL2

VCTL3

VCTL1

Logic

Circuit

RFOUT3

RFIN3

RFOUT1

1.7GHz Band

(1.5GHz Band)Bias

Circuit

Bias

Circuit

Bias

Circuit

GND

2.1GHz Band

800MHz Band

6

5

7

14

12

13

GND2 41 3

10 811 9GNDGND

(Top View)

RF OUT3 (1.5GHz)

RF OUT1 (800MHz)

RF OUT2 (2.1GHz)

VDD

VCTL1 (Band Sel1)

VCTL2 (Band Sel2)

VCTL3 (RX ATT)

RF IN3 (1.5GHz)

RF IN2 (2.1GHz)

RF IN1 (800MHz)

L1

12nH

L2

8.2nH

L3

10nH

L4

2.4nH

L5

1.6nH

L6

2.4nH

L7

3.9nH

L8

3.6nH

L9

5.1nH

C1

2pF

C4

1.5pF

C2

2pF

C3

0.01µF

C5

0.01µF

注意事項

1) C3 のバイパスキャパシタは極力 L3, L6 に近い箇所に配置して下さい。

2) C5 のバイパスキャパシタは極力 L9 に近い箇所に配置して下さい。

3) GND 端子は極力インダクタンスが小さくなるように接地して下さい。

NJG1133MD7

- 74 -

基板実装図

PCB (FR-4):

t=0.2mm

MICROSTRIP LINE WIDTH=0.4mm (Z0=50ohm)

PCB SIZE=35.4mm x 17.0mm

(Top View)

RF IN2 (2.1GHz)

VDD

VCTL1

RF IN1 (800MHz)

RF OUT1 (800MHz)

RF OUT3 (1.7G.1.5GHz)

VCTL2

RF IN3 (1.7G/1.5GHz)

VCTL3

RF OUT2 (2.1GHz)

VDD

L1

L2

L3 L5

L4

L6 L8

L7

L9

C1

C2

C3

C5 C4

NJG1133MD7

- 75 -

パッケージ外形図（EQFN14-D7）

＜注意事項＞

このデータブックの掲載内容の正確さには

万全を期しておりますが、掲載内容について

何らかの法的な保証を行うものではありませ

ん。とくに応用回路については、製品の代表

的な応用例を説明するためのものです。また、

工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴

うものではなく、第三者の権利を侵害しない

ことを保証するものでもありません。

ガリウムヒガリウムヒガリウムヒガリウムヒ素素素素(GaAs)製品取製品取製品取製品取りりりり扱扱扱扱いいいい上上上上のののの注意事項注意事項注意事項注意事項

この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止

のため、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄す

る場合は、関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。

この製品は静電放電･サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。

NJG1133MD7 UMTS 用用用用ダモハャダモハャ …NJG1133MD7 - 2 - 絶対暷大定格 T a=+25...

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Transcript of NJG1133MD7 UMTS 用用用用ダモハャダモハャ …NJG1133MD7 - 2 - 絶対暷大定格 T a=+25...