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UNIVERSITÉ DE HASSIBA BEN BOUALI CHLEF

FACULTÉ DES SCIENCES ET SCIENCES DE L’INGÉNIEUR

Modélisation électrique d’une photodiode PIN

Préparée par:

BAHI AHMED

BENYAHIA AHMED

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Introduction 1

Différentes photodiodes PIN 3

Principe de photodétection 2

Calcul de photocourant 5

Conclusion & Perspective 7

Caractéristiques 4

Plan de travail

6 Simulation

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types principe photocourant simulation caractéristiques Conclusion Introduction Introduction

Ampèremètre

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hυ ≥ EG = EC – EV

E

hυ EC

EG

EV

BC

BV

Types photocourant simulation Caractéristique conclusion introduction principe

Principe de photodétection

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Zone I (intrinsèque)

Contact

Contact Zone dopée p+

Zone dopée n

Types photocourant simulation Caractéristique conclusion introduction principe

Description d’une photodiode PIN

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Types photocourant simulation Caractéristique conclusion introduction principe

Le circuit du photodiode PIN

Électron

Couche antireflet

élimine les pertes par réflexion

Photons

E Trou

-

+

RL

P

I

N

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Dérive

Diffusion des trous

Energie

des

électrons

Diffusion des électrons

Diagramme des bandes d’énergie

Types photocourant simulation Caractéristique conclusion introduction principe

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Types photocourant simulation Caractéristique conclusion introduction principe

Principe de fonctionnement

Dérive

Diffusion des électrons

Diffusion des trous

Energie

des

électrons

P I N RL

Iph Popt

RPopt

Vr

W

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photocourant simulation Caractéristique conclusion introduction principe type

Photodiode à éclairage verticale

Lumière

N+

N-

P+

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photocourant simulation Caractéristique conclusion introduction principe type

Photodiode à éclairage latéral

Lumière i-InGaAs Guide d’onde

absorption+ZCE

p+

n+

a) avec un guide d’onde simple

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n+

i-InGaAs absorption+ZCE

p+

Guide d’onde

photocourant simulation Caractéristique conclusion introduction principe type

Photodiode à éclairage latéral

Lumière

b) avec un couplage évanescence

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photocourant simulation conclusion introduction principe type Caractéristique

Rendement

ηe= η0 ηi

rendements optiques

rendements

quantiques internes

Rendement quantique externe

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photocourant simulation conclusion introduction principe type Caractéristique

Rendement

indice de réfraction optique Rendement optique

Coefficient d’absorption

Rendements quantiques internes

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photocourant simulation conclusion introduction principe type Caractéristique

Rendement

Taux de génération optique à travers la structure de deux

photodiodes PIN : Courbe 1, photodiode PIN à homojonction ;

courbe 2, photodiode à hétérojonction

Zone i

désertée

p

dp+d

n

0

GR

dp z

Su

rfa

ce

1

2

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Le rendement quantique (η) qui est le rapport du nombre

de paires de porteurs " photocréées et collectées " au

nombre de photons incidents:

photocourant simulation conclusion introduction principe type Caractéristique

Rendement

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photocourant simulation conclusion introduction principe type Caractéristique

sensibilité

La responsivité (sensibilité) (R0) de la photodiode exprimée en

ampères par watt et définissant le rapport du photocourant Iph au

flux énergétique (ou puissance optique Popt) reçu(e).

photocourant

Flux reçue

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photocourant simulation conclusion introduction principe type Caractéristique

Sensibilité

Pour l’intervalle de longueur d’onde ou le phénomène

photoélecrique existe, il est possible d’éxprimer cette

responsivité par :

Rendement quantique externe

Charge de l’électron

Constante de Planck

Vitesse de la lumière

Longueur d’onde

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photocourant simulation conclusion introduction principe type Caractéristique

Sensibilité

: Courbes de sensibilité et de rendement selon les

longueurs d'onde pour divers matériaux.

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photocourant simulation conclusion introduction principe type Caractéristique

sensibilité

Ce tableau représente la sensibilité de différentes photodiodes

pour une longueur d'onde donnée, démontre que le choix du

matériau de la photodiode est fonction de la longueur d'onde pour

laquelle il doit opérer.

Matériaux Si Ge

Sensibilité (A/W) 0.7 0.6

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photocourant simulation conclusion introduction principe type Caractéristique

Courant d’obscurité

tableau donne le courant d'obscurité pour

différentes photodiodes à une température donnée.

Matériaux Si Ge GalnAs

Courant d'obscurité (nA) 3 500 38

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photocourant simulation conclusion introduction principe type Caractéristique

Bruit

le courant quadratique moyen de bruit de la photodiode

s’écrit :

bande

passante

courant

d’obscurité photocourant

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photocourant simulation conclusion introduction principe type Caractéristique

Temps de reponse

En négligeant le temps piégeage, le temps de reponse est

la somme de trois composantes:

Temps de transit dans la zone désertée

Constante de temps associée au circuit de charge

Temps de diffusion dans les zones neutres

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photocourant simulation conclusion introduction principe type Caractéristique

La bande passante BP est approximée par

Temps de

reponse

bande passante

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simulation conclusion introduction principe type Caractéristique photocourant

Calcul de photocourant

courant de

diffusion des

photoélectrons de

la région de type p

courant de

diffusion des

phototrous de

région de type n

courant de

photogénération

dans ZCE

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simulation conclusion introduction principe type Caractéristique photocourant

Calcul de photocourant

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simulation conclusion introduction principe type Caractéristique photocourant

calcul

xc xn x

Φ(x)

xp 0

n p

2 1 3

Φ e-αx

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Modèles

simulation conclusion introduction principe type Caractéristique photocourant

photocourant

Courant de diffusion de trous ,région 3

Courant de diffusion d’électron, région 1

calcul

Courant de génération, région 2

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simulation conclusion introduction principe type Caractéristique photocourant

calcul

résultat

Le photocourant résultant

condition 𝛼w>>1

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conclusion introduction principe type Caractéristique photocourant

Modèle équivalent

simulation

CP

Iph

Diode

PIN

CP

Iph

Cj

(a)

(b)

Modèle équivalent de la photodiode, (a) modèle complet,

(b) version simplifiée

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conclusion introduction principe type Caractéristique photocourant

Paramètres de simulation

simulation

longueur d’onde :

λ = 1.3 mm

coefficient d’absorption optique :

𝛼 = 1,3 104 cm-1

vitesses de saturation différentes pour les électrons et

les trous :

vn = 6 106 cm/s et vp = 4.8 106 cm/s

largeur de la zone intrinsèque :

di=1 µm.

capacités parasites du circuit:

CP = 50 fF

résistance de charge est gardée constante :

RC = 50 Ω.

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conclusion introduction principe type Caractéristique photocourant

Simulation

simulation

Simlation Pspice

Réponse temporel

Réponse fréquentiel

L’influence de l’éclairement

Caractéristique courant-tension

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conclusion introduction principe type Caractéristique photocourant

Caractéristique courant-tension

simulation

Vak

-3.0V -2.5V -2.0V -1.5V -1.0V -0.5V 0.0V 0.5V

I(Vm)

-2.0mA

-1.0mA

0A

1.0mA

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conclusion introduction principe type Caractéristique photocourant

L’influence de l’éclairement

simulation

Popt

0 2m 4m 6m 8m 10m 12m 14m 16m 18m 20m

I(Vm)

-12mA

-8mA

-4mA

0A

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conclusion introduction principe type Caractéristique photocourant

Réponse frequentielle de la photodiode

simulation

Frequency

100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz

DB(gain)

-20

-10

0

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conclusion introduction principe type Caractéristique photocourant

Impulsion lumineuse appliquée

simulation

Time

0s 0.5ns 1.0ns 1.5ns 2.0ns 2.5ns 3.0ns 3.5ns 4.0ns

Popt

0

0.5mW

1.0mW

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conclusion introduction principe type Caractéristique photocourant

Réponse temporelle de la photodiode

simulation

Time

0s 0.5ns 1.0ns 1.5ns 2.0ns 2.5ns 3.0ns 3.5ns 4.0ns

V(3)

-40mV

-20mV

0V

20mV

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conclusion introduction principe type Caractéristique photocourant

Temps de reponce

simulation

•Le temps de monté : tm = 3.365.10-11 s

•Le temps de descente : td = 3.064.10-11 s

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introduction principe type Caractéristique photocourant

Conclusion

simulation conclusion

Les simulations réalisées sous PSPICE

montrent que pour la photodiode PIN à base

d’InGaAs adapté à la détection à 1,3 mm,

présente une responsivité de 0.553 A/W, un

rendement quantique externe de 52.8 %, et

une bande passante autour de 13 GHz.