BLT NEWS No14(SpectraStar RTW)の販売を開始いたしました。オンラインモニターV型シリーズ シアン・フッ素・フェノール等の連続モニターシステム
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2 シリアル メモリ製品
シリアル メモリ製品
クラス最高の高性能シリアル メモリ製品を幅広く取り揃え、 お客様の全ての設計要件にお応えします。マイクロチップ・テクノロジー社は、各種シリアルEEPROMデバイス(128 bit~1 Mbit)をきわめて広い動作電圧レンジ(1.7~5.5 V)と温度レンジ(最高150 ºC)で提供します。 革新的な低消費電力設計と厳重なテストにより、業界最高レベルの書き込み耐性とクラス最高の品質を低コストでお届けします。SPI互換シリアルSRAMデバイスは、64 Kbitと256 Kbitからお選び頂けます。最高速度は20 MHzです。これらの低消費電力デバイスは高速シリアルRAMとして使用し、標準の8ピン パッケージでご購入頂けます。
マイクロチップ社は製品のライフ サイクル全体にわたってお客様の設計をサポートします。
シリアル メモリ製品 3
主な利点■ システム コストの削減 - 革新的な製品、小型パッケージ、低消費電
力、少I/Oピン■ MCUとの接続I/Oピン数を低減 - よりコンパクトな設計にしながら
機能を追加■ 書き込み保護オプションによりデータを保護■ 最高品質のEEPROM
– ゼロPPMへの取り組み - トリプルテスト フロー – 消去/書き込み耐性は100万サイクル以上
■ 開発期間の短縮 – 短いリードタイム – 総合的なツールサポート
■ 堅牢な設計 - 幅広い動作条件に対応■ 長い製品ライフ サイクル■ グローバルな販売およびエンジニアリング サポート
主な特徴■ シリアル アーキテクチャ - I2C、SPI、UNI/O、Microwire■ 幅広い容量オプション■ 小型の3、5、6、8ピン パッケージ、ダイおよびウェハー■ 革新的かつ低消費電力の設計■ 業界最高レベルの書き込み耐性■ 広い温度/電圧レンジ■ 高速読み出し/書き込み■ 柔軟性: – バイト書き込み機能 – パッケージ オプション – カスタム プログラミング オプション – 特定アプリケーション向けシリアル メモリ■ マイクロチップ社工場、自社テスト■ 車載用フローを全製品に適用
シリアルEEPROM■ SPI、I2C™、Microwire、UNI/O®バス■ 不揮発性メモリ■ 128 bit~1 Mbit■ 1.7~5.5 V
■ 100万サイクルの消去/書き込み耐性■ 高速読み出し/書き込み■ 低消費電力
シリアルSRAM■ SPIバス、20 MHz■ 揮発性メモリ■ 8 KB、32 KB■ 1.5~1.95 V、2.7~3.6 V
■ 無限の書き込み耐性■ 書き込みサイクル時間がゼロ■ 低消費電力
優れた品質革新的な製品信頼性の高い供給
シリアル メモリの優位性
シリアル メモリ製品
シリアルEEPROMバスの比較パラメータ I2C Microwire UNI/O SPI
容量 128 bit~1 Mbit 1~16 Kbit 1~16 Kbit 1 Kbit~1 Mbit
速度 最大1 MHz 最大3 MHz 最大100 KHz 最大20 MHz
I/Oピン数 2: クロック、データ 4: クロック、CS、DI、DO 1: クロック/データ 4: SCK、CS、DI、DO
パッケージPDIP、SOIC、SOIJ、TSSOP、
MSOP、2x3 T-DFN、6x5 DFN、SOT-23、SC70、WLCSP
PDIP、SOIC、TSSOP、MSOP、2x3 T-DFN、SOT-23
PDIP、SOIC、TSSOP、MSOP、2x3 T-DFN、
SOT-23、TO92、WLCSP
PDIP、SOIC、SOIJ、TSSOP、MSOP、2x3 T-DFN、 6x5 DFN、SOT-23
セキュリティ オプション HW HW SW HW、SW
価格 最も安価 最も高価
4 シリアル メモリ製品
シリアルEEPROM
堅牢な設計■ ESD保護 人体帯電モデル(HBM) 4,000 V以上 マシンモデル(MM) 400 V以上 デバイス帯電モデル 1,000 V以上■ ラッチアップ保護 - 全ピン200 mA以上■ ESD誘導ラッチアップ - VDDで100 V (MM)以上、全I/Oで400 V以上 書き込み耐性は100万サイクル以上、データ保持期間は200年以上■ 最高150 ºCで動作(読み出し/書き込み)■ パワーオン リセット(POR)とブラウンアウト リセット(BOR) – ノイズの多い車載環境で効率的な保護を実現 – 誤書き込みを排除■ ノイズリダクションのためにSchmittトリガ入力フィルタを採用■ ウェハー上のダイ位置を含む完全なトレーサビリティ
革新的な設計/社内製造と優れたテスト手法により、 業界最高品質のシリアルEEPROMを開発しました。マイクロチップ社は、全ての標準シリアルバス(I2C、SPI、Microwire、最新のシングルI/OバスであるUNI/O®)に対応した、標準および特定アプリケーション向けシリアルEEPROMデバイスを幅広く提供します。
品質■ マイクロチップ社は世界最高品質の EEPROMを提供■ 世界最高レベルのライン歩留まり率(99%以上)■ ISO/TS16949に準拠■ 業界をリードするトリプルテスト フロー -
全部品の全セルを3回ずつテスト■ ビット不良がほぼゼロPPM■ 全施設で統計的工程管理と継続的な改善を
実施■ 車載グレード/フローで設計された堅牢性と
信頼性
8-SOIC (SN)5 x 6 mm
8-DFN (MF)5 x 6 mm
8-SOIC (SM)5 x 8 mm
8-PDIP (P)8 x 9.5 mm WL-CSP
.
5-SC70(LT)
2 x 2 mm
.
3-SOT(TT)
3 x 2.5 mm
5 & 6-SOT(OT)
3 x 3 mm
.
8-TDFN (MC/MNY) 2 x 3 mm
.
8-MSOP(MS)
3 x 5 mm
.
8-TSSOP(ST)
3 x 6.5 mm
シリアルEEPROM
特殊/特定アプリケーション向けEEPROM
標準EEPROM
パッケージ
I2C™128 bit~1 Mbit、1.7~5.5 V
UNI/O®バス1~16 Kbit、1.8~5.5 V
MACアドレス チップEUI-48TMおよびEUI-64TMノード アドレス
部分アレイ書き込み保護½、¼、全アレイのいずれかのWPオプション
DIMM-DDR2/3反転可能S/W書き込み保護 - I2C
広い温度レンジ-55~150 ºC
VESAモニタDDC1TM/DDC2TMインターフェイス
超低電圧1.5 V EEPROMダイ/ウェハー
Microwire1~16 Kbit、1.8~5.5 V
SPI1 Kbit~1 Mbit、1.8~5.5 V
シリアル メモリ製品 5
メモリ パッケージ マトリクス
メモリ パッケージ - より小さなサイズでより大きな容量をマイクロチップ社はシリアルEEPROMデバイスを小型かつ革新的なパッケージで提供します。ボード占有面積とコストの削減にお役立てください。■ WLCSP - ダイサイズ パッケージ - 世界最小のEEPROMパッケージです。 ■ SC70 - 5ピンで最小のEEPROMパッケージです。 ■ 5-SOT-23は最大64 Kbit、8-TDFNは最大128 Kbit、8-SOICは最大1 Mbit (I2C)まで揃えております。
容量 最高速度SOICSN
SOT-23OT/TT
TSSOPST
TDFN MNY/MC
PDIPP
MSOP MS
SOIJSM
DFNMF
SC70 LT
TO92TO
ウェハーW/S/WF
WLCSPCS
5x6 3x3 3x6.5 2x3 8x9.5 3x5 5x8 5x6 2x2 ダイ ダイ
I2C™バス1.7~5.5 V
128 bit~2 Kbit 400 KHz ○ 5 ○ ○ ○ ○ 5 ○
4~32 Kbit 400 KHz ○ 5 ○ ○ ○ ○ ○ ○
64 Kbit 1 MHz ○ 5 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
128 Kbit 1 MHz ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
256 Kbit 1 MHz ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
512 Kbit 1 MHz ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
1 Mbit 1 MHz ○ ○ ○
Microwireバス1.8~5.5 V
1~16 Kbit 3 MHz ○ 6 ○ ○ ○ ○ ○
SPIバス1.8~5.5 V
1~4 Kbit 10 MHz ○ 6 ○ ○ ○ ○ ○
8~64 Kbit 10 MHz ○ ○ ○ ○ ○ ○
128 Kbit、256 Kbit 10 MHz ○ ○ ○ ○ ○ ○
512 Kbit 20 MHz ○ 14 ○ ○ ○ ○
1 Mbit 20 MHz ○ ○ ○ ○
UNI/O®単線バス1.8~5.5 V
1~16 Kbit 100 KHz ○ 3 ○ ○ ○ ○ ○ ○
パッケージ サイズ
8-SOIC (SN)5x6 mm
8-DFN (MF)5x6 mm
8-SOIC (SM)5x8 mm
8-PDIP (P)8x9.5 mm
ダイ/ウェハーWL-CSP
.
5-SC70(LT)
2×2 mm
.
3-SOT(TT)
3×2.5 mm
. .
5 & 6-SOT(OT)
3x3 mm
.
8-TDFN (MC/MNY) 2x3 mm
.
8-MSOP(MS)
3x5 mm
.
8-TSSOP(ST)
3x6.5 mm
WLCSP - 世界最小のEEPROMパッケージ
マイクロチップ社のWLCSPは、ボンディング パッドをバンプに接続する再配線層を備えたバンプ付きダイです。■ 本物の「ダイサイズ」パッケージ■ 業界最小のパッケージ、フォーム ファクタ■ プロファイルが最も低いパッケージ■ I2CおよびUNI/Oバスで提供■ 標準的な表面実装アセンブリ ラインと互換■ 小スペースに大容量を実現■ アプリケーション:携帯電話、防犯カメラ、センサ、サーバ、 ネットワーク、RF、医療、携帯型電子機器
WLCSP 4 Kbit I2C<1x1 mm
実サイズ 拡大図
ウェハー レベル チップ スケール パッケージ
6 シリアル メモリ製品
特定アプリケーション向けEEPROM
革新的なEEPROMオプションにより、開発期間の短縮と低コストで最高性能の製品提供に貢献します。シリアル メモリ製品 - アプリケーション例
マイクロチップ社の強み アプリケーション
車載
品質、PPAP、長い製品ライフ サイクル、AEC Q-100、 ISO/TS16949準拠、社内テスト、トリプルテスト フロー
トランスミッション、ABS、パワートレイン、エアバッグ、エンターテイメント システム、ミラー コントローラ、GPS、ステアリング制御
医療 優れた品質、信頼性、小型パッケージ、低消
費電力、マイクロチップ社所有工場血糖測定器、補聴器、医療用撮像装置、レントゲン、酸素濃縮器、心電計
工業 堅牢な設計、高い書き込み耐性、幅広い動
作レンジ、カスタムパーツ オプション計器、工業用制御、セキュリティ システム、アラーム システム、センサ ネットワーク、バッテリ充電器
民生
短いリードタイム、優れた供給性、革新的なパッケージ、特定アプリケーション向けオプション、低消費電力
LCD TV、セットトップ ボックス、プリンタ、Bluetooth、無線、ノートパソコン、マウス、ネットワーク、DDR2/3、カメラ、POS、電化製品
特殊EEPROMアプリケーション
アプリケーション/市場 設計上の課題 ソリューション 製品 利点
モニタ、プロジェクタ、フラットパネル ディスプレイ
DDC1TMとDDC2TM、EDIDとE-EDID仕様 VESA製品 24LCS21A、
24LCS22A素早く簡単なプラグアンドプレイ オプション
ネットワーク、Ethernet、Wi-Fi、ZigBee®
EUI-48™/EUI-64™ MACアドレス MACアドレス チップ
24AA02E48、11AA02E48、25AA02E48
アクセスが簡単、低コスト、プラグアンドプレイ、追加EEPROM
パソコン - DRAM DIMMモジュール DDR1/2/3仕様 DIMM SPD製品、EEPROM搭
載温度センサ24LCS52、34XX02、MCP98242
カスタマイズ可能なソフトウェアによるWP
工業用/民生用電気機器ロックまたは再書き込み可能メモリ(またはその両方)を必要とするシステム
書き込み保護オプションI2C、SPI、UNI/O、Microwireオプションで提供
2つのパーツを1つの低コスト デバイスで置き換え
HDCPチップセット(TV)ご使用のチップセットにHDCPキーを追加
セキュアなウェハー プログラミング サービス
4 Kbit/8 Kbit - I2C、SPI、Microwire
セキュア、コードの重複なし、総コストの削減、工場でシリアライズ済み
工業 -40~125 °Cのレンジ外で動作するデバイスが必要
高温対応EEPROM: < 150 °C 低温対応EEPROM: > -55 °C
1 Kbit I2Cと1~256 Kbit SPI
堅牢な設計、市場不良を低減
車載 車載認定 特殊製造フロー 全て 堅牢な設計、手間のかからないソリューション
民生用電気製品、医療 非常に低電圧が必要 非常に低電圧のEEPROM 24VL014、24VL024、34VL02
低消費電力で動作、低システム電圧
シリアル メモリ製品 7
高い柔軟性と低コストのアクセス
EUI-48を素早くネットワーク アプリケーションに追加し、 開発期間を短縮■ 必要に応じてコードを購入可能■ プログラミングとシリアライズのコストが不要 - システム コストの削減■ 最小ロット制限なし■ 設定データを格納するための追加EEPROM■ 一意のID
プラグアンドプレイ デバイス
EUI-48アドレス書き込み済み2 KbitシリアルEEPROM■ IEEE MACアドレスへの素早く簡単なアクセス - シリアルEEPROMからコードを直接読み出し■ SPI、I2C、UNI/Oバスで提供■ 1.5 Kbit以上のEEPROMメモリ■ SOICおよびSOT-23パッケージで提供 ■ 書き込み保護コード■ EUI-48およびEUI-64互換 – EUI-48: ネットワーク、Ethernet、Wi-Fi (IEEE 802.11)、 Bluetooth – EUI-64: ZigBee (IEEE802.15.4)、MiWi™、FireWire、IPv6
EUI-48™/EUI-64™ MACアドレス チップ
素早く簡単、低コストでMACアドレスが必要なお客様は、マイクロチップ社製MACアドレス書き込み済みチップをご使用ください。 一意のIDが付与されており、シリアライズは不要です。EUI-48書き込み済みシリアルEEPROMにより、簡単かつ低コストでIEEE MACアドレスを使う事ができます。これらのプラグアンドプレイ デバイスを使用する事により、MCUのプログラミングとシリアライズが不要となり、ネットワーク アプリケーションにMACアドレスを素早く追加できます。これにより、コストの削減と開発期間の短縮が可能になります。詳細は、www.microchip.com/MACを参照してください。
24AA02E48100 KHz
I2C
25AA02E4810 MHz
SPI
11AA02E48100 KHz
UNI/O
アプリケーション/市場
-55~150 ºCのオプション レンジを用意しているI2CおよびSPIシリアルEEPROM■ 車載ターボチャージャ、排気ガス再循環装置■ 車載ファンモータ、エアバルブ、フラップ、点火プラグ■ 航空宇宙■ 鉱業(爆発性雰囲気中での使用認可)
150oC
一部のアレイを書き込み保護可能なI2C EEPROMマイクロチップ社の部分アレイ書き込み保護(WP) EEPROMファミリは、メモリアレイの一部に対してハードウェア書き込み保護を有効にできます。これらのI2C EEPROMは1~64 Kbitを揃えております。
■ 各種メモリ容量でカスタム プログラミング可能。詳細は営業担当者にお問い合わせください。
1/2アレイWP
1~16 Kbit
ユーザデータ、リアルタイム アップデート等の変更される
データ
校正パラメータ、一意のID等の 決して変更されないデータ
1/4アレイWP
32 Kbitと64 Kbit
8 シリアル メモリ製品
11AA010
1 Kb
11AA020
2 Kb
11AA040
4 Kb
11AA080
8 Kb
11AA160
16 Kb
11LC010
11LC020
11LC040
11LC080
11LC160
2.5-5.5V
1.8-5.5V
UNI/O® EEPROM
UNI/O EEPROMを使用すると、MCUのピンを別の新しい機能のために使う事ができます。
マイクロチップ社のUNI/OシリアルEEPROMは、ホスト マイクロコントローラとの接続に1ピンしか使用しません。I2Cでは2~3ピン、MicrowireおよびSPIバスでは3~6ピン必要です。この新しい独自規格のバスでは、ステータス レジスタ、オンデマンドの書き込み保護等の先進の機能の他、全入出力/メモリアレイ/コマンド機能を1つのピン経由で使用できます。
I/Oピン数の節約シングルI/O EEPROMにより設計の簡素化と システム コストの削減を実現■ MCUのピンを解放 – アプリケーションに新機能を追加 – より小型のMCUへ移行 – コスト削減■ コネクタのピンを解放 – より小型のコネクタへ移行 – コスト削減■ シングルI/Oインターフェイス – よりコンパクトな設計
シングルI/O EEPROM
クロック、データ、制御を1つのI/Oで■ シングルI/Oインターフェイス■ メモリ容量: 1~16 Kbit■ 動作電圧: 1.8~5.5 V■ 動作周波数: 10~100 KHz■ ステータス レジスタ、SW書き込み保護■ 3ピンSOT-23、8ピンSOIC、MSOP、TDFN■ 消去/書き込みサイクル: 100万回
■ 多くの一般的なマイクロコントローラ向けにUNI/Oソフトウェア ドライバを用意しています。詳細は、アプリケーション ノートのセクションを参照してください。■ UNI/Oを3ピンから2ピンに変更できます。詳細は、アプリケーション ノートAN1213を参照してください。
VCC
MCU
UNI/
O®
VCC
I2C™ UNI/O®
VCC
VCC
R1 R2
I2 C™
SDASCLWP
■ ■ ■
VCC
MCU
SDASCLWP
www.microchip.com/unio
UNI/Oのメリット
シングルI/Oであり、 プルアップ抵抗は不要
ボード面積を節約MCUのピン数を節約追加機能を追加
シリアル メモリ製品 9
シリアルのメリット – 価格だけではありません
機能 従来のパラレルSRAM マイクロチップ社製シリアルSRAM
MCUへのI/O接続 16~20 4
スタンバイ電流 3 mA 1 µA
動作電流 50 mA 1~10 mA
最低動作電圧 3.0 V 1.7 V
フットプリント 100 mm2 20 mm2
最小パッケージ 28-TSSOP、28-SOIC 8-TSSOP、8-SOIC
アプリケーションに対してRAMを簡単かつ低コストで追加する方法が必要なお客様には、外部RAMを提供します。マイクロチップ社の新しいシリアルSRAMファミリは、ほぼ全てのアプリケーションに外部RAMを簡単かつ低コストで追加する方法を提供します。これらのシリアル デバイスは、従来のパラレルSRAMよりも消費電力が低く、I/O接続が少なく済みます。これにより、設計者は大型のマイクロコントローラに移行しなくても、小型のマイクロコントローラのままでオンボードのRAMを増やす事ができます。
シリアルSRAM
柔軟なRAM拡張
素早く簡単に外部高速SRAMを追加■ 8 KB、32 KBオプション■ クロックは20 MHz■ スタンバイおよび動作時の低消費電流■ ゼロ レイテンシの高速書き込み■ 無制限の書き込み耐性■ 8-SOIC、8-TSSOP、8-PDIP
向上した性能
マイクロコントローラに機能を追加し、開発期間を短縮■ 現在の設計に機能を追加■ RAMのためだけに大型のマイクロコントローラを購入する必要なし■ 使い慣れた4ピンSPIインターフェイス■ 現在の設計でコストを削減■ スクラッチパッド、バッファリング、高書き込み耐性アプリケーション
■ アプリケーション:計量器、POS端末、プリンタ、インターネット ラジオ、 Ethernet、Wi-Fi■ パラレルRAMを置き換え■ 低コストのRAMが必要なあらゆるアプリケーション23A640
16 MHz
1.5V-1.95V
23K64020 MHz
2.7V-3.6V
64 Kb
23A25616 MHz
23K25620 MHz256 Kb
パラレルSRAM
I/O接続は16~20本
パラレル
www.microchip.com/sram
SPI シリアルSRAM
スタンドアロンのシリアルSRAMを使用すると、設計の柔軟性が高くなりRAM拡張も容易です。
I/O接続は4本
10 シリアル メモリ製品
ウェハー レベルのバーンイン
主目標 – 欠陥ゼロ■ ダイおよびパッケージ レベルでの機能適合性につ
いてデータシート パラメータを完全検証■ 最高の品質と信頼性を確保するため、製造工程で
の欠陥品を排除■ 現状機能しているが将来故障する可能性のあるデ
バイスをスクリーニング
マイクロチップ社のトリプルテストと ウェハー レベル バーンイン手順従来のバーンインからメモリセルに特化したトリプルテストフローを適用したウェハー レベル バーンインに移行してきたため、業界で最も信頼性の高いメモリ製品の製造を実現■ 厳重なテスト – 最高品質を保証するために各ダイの全セルに対してテスト
を3回実施(書き込み耐性テスト、データ保持テスト等)■ HVST、LVHF、TVPPテストは特定の欠陥を対象に実施■ Maverick、SBY、GBNは全体的な故障パターンと傾向を対象に実施■ 不良モードを的確にとらえる洞察力と柔軟なテストフローにより、継続的
な改善を保証
従来のバーンイン(従来の技術)ランダム論理セル向けの非特定的な汎用テスト手順■ 非特定的かつ非標的なテスト手法 – 故障率が
増加 ■ 費用と時間がかかり、非効率的■ 検出されない可能性のあるリード曲がりやEOS
等の故障モードを招く
トリプルテスト フローマイクロチップ社では、ウェハーの状態で全セルを2回テストし、アセンブリ後に最終テストを実施しています。
マイクロチップ社のクラス最高の市場性能は、世界最高レベルの製造、ウェハー レベルの バーンイン、ウェハー プローブ品質スクリーニングの組み合わせにより実現しています。マイクロチップ社のトリプルテスト フローは、現在シリアルEEPROMデバイスに対して実施されている中では業界最高レベルの堅牢性を持つテストです。このテストでは各ダイの全セルを3回テストし、書き込み耐性およびデータ保持テストも厳重に行い、高い品質と信頼性を確保します。このように厳重なテスト、優れた製造工程、信頼性の高いメモリセル設計により、マイクロチップ社製シリアルEEPROMの初期不良は業界最少レベルを誇ります。
GBN (Good Die in a Bad Neighborhood: 不良品に囲まれた良品)とEDIO (Edge Die Ink Out: エッジダイのインク切れ)正常に機能はするものの、不良デバイス群または不良エッジダイに隣接しているために不良が疑われるデバイスを対象とした特殊アルゴリズムです。
ウェハー プローブ品質スクリーニングマイクロチップ社はウェハー プローブの間に追加の社内テストを行い、正規分布を逸脱したデバイスまたは将来故障する可能性のあるデバイスを全て排除する事で品質を確保しています。高電圧ストレス テスト(HVST)HVSTは、通常よりも高い電圧を印加して酸化膜にストレスを与えるとRAMおよび論理回路中に酸化膜欠陥が生じる脆弱なデバイスを対象としています。Vppでの時間(TVPP)TVPPはEEPROMセル、チャージ ポンプ、その他の高電圧回路における酸化膜欠陥を対象としています。プログラミング電圧(VPP)を長時間メモリアレイに印加する事で脆弱なデバイスを全て発見します。低電圧高周波数(LVHF)LVHFは部分的にブロックされている事が原因で抵抗が正常値よりも高くなっている信号経路を対象としています。LVHFでは、信号パスに仕様電圧よりも低い電圧印加で仕様速度よりも速く動作するように要求する事で、欠陥のある信号パスを排除します。
これが意味するもの■ 1 PPM未満の市場不良■ クラス最高の書き込み耐性■ 業界最高レベルのデータ保持
1.ウェハー プローブ フル機能テストは100%のダイとビットが対象、85 ºCまたは125 ºCで全ビットに対し消去/書き込みを5,000サイクル実施
2 .ウェハー プローブ 2回目の100%ビットテスト(25 ºC)フル機能スクリーニング
3 . アセンブリおよび最終テスト
主な内容: 書き込み耐性テストMAVERICKHVSTTVPP
主な内容: 機能テストマージン検証GBNEDIOLVHFSBY
不良ダイ
(考え方)
合格ダイ
EDIOスクリーニングにより不良品とされたもの
GBNスクリーニングにより不良品とされたもの
EDIOスクリーニングにより不良品とされたもの
2 回 のプ ロ ーブ 間 にセ ル の チャージロスが生じたダイは、初期不良を防ぐため不良品とする
・ 250 ºCで最高24時間・ 85 ºCで100年間に相当
保持ベーク
シリアル メモリ製品 11
最高品質製品の安定した信頼性の高い供給
完成されたテスト メカニズムと合理化された社内製造により、最高の効率、最短のリードタイム、最安価のコストをお約束します。
「品質第一」はマイクロチップ社方針の最優先事項です。2003年以降ISO/TS16949認定サプライヤとして、マイクロチップ社の統合システムは優れた品質に対して取り組んでいます。全社を挙げて継続的な改善の取り組みが行われている環境の中で、社員1人1人が品質に責任を持って業務を遂行しています。
世界中のお客様からの厳しい要求に20年以上応えてきた経験を持つマイクロチップ社には、大切なお客様に対して費用対効果と信頼性の高い総合的な製品ソリューションの提供に成功してきた、確かな実績があります。
本社アリゾナ州チャンドラー Fab 2
アリゾナ州テンペ
Fab 4オレゴン州グレシャム 製品組み立て/検査
タイ、バンコク
www.microchip.com/quality
■ EEPROMはマイクロチップ社所有工場で製造(オレゴン州グレシャム、アリゾナ州テンペ)
■ 陳腐化しない方針 – 業界で最長の製品ライフ サイクル■ 全製品を100%社内でテスト■ AECQ100、TS19649、車載グレード準拠■ 業界最短のリードタイム■ 優れたグローバル営業および技術サポート
マイクロチップ社は20年以上にわたり不揮発性メモリで市場をリードしています。
12 シリアル メモリ製品
シリアル メモリ製品向けMPLAB®スタータキット (DV243003)
シリアル メモリ製品向けMPLABスタータキットを使用して、市場投入までの開発期間を短縮し、堅実な設計を実現してください。このスタータキットには、堅牢かつ信頼性の高いシリアルEEPROM設計の素早い開発、さらにシステム統合お
よびハードウェア/ソフトウェアの微調整に必要な時間の大幅短縮に必要なものが全て含まれています。■ 3.3 Vと5.0 Vのオンボード電圧を選択可能■ マイクロチップ社製UNI/Oバス、I²C、SPI、 Microwireの各シリアルEEPROM■ 1.8~5.5 Vの外部電圧をサポート■ MPLAB IDEの無償コピーを含む■ USBでPCに接続
Total Endurance™ソフトウェアTotal Enduranceソフトウェアは、マイクロチップ社製シリアルEEPROMデバイスの書き込み耐性と信頼性の評価に役立つ包括的なモデルを提供します。お客様のアプリケーションに基づいた動作条件を適用する事により、信頼性に影響を与える設計上のトレードオフ全てを、PPM、FIT、BTMFモードにおいてグラフと数値の両方で正確に評価できます。これにより、時間が節約でき、真に堅牢な設計を確実にします。
迅速な導入に役立つリソース
弊社の開発ツールを利用すると、開発期間を短縮、コストを削減できます。競争の激しい市場状況では、生産性を最大に高め、経費を最小限に抑えるために、企業は自社の製品ライフ サイクルをあらゆる側面から精査する必要性に迫られています。覚えやすく低コストな共通の開発ツールは、リスクを低減し、開発期間の短縮を実現する方法の1つです。
UNI/O® Bus Parasitic Powerデモボード (AC243004)
UNI/O Bus Parasitic Powerデモボードは、半波整流器とコンデンサ回路をどのように使用すればアプリケーション ノートAN1213『Powering a UNI/O® Bus Device Through SCIO』に記載されているようにSCIO信号からUNI/Oデバイス用の電力を寄生抽出できるかを
説明する事を目的として設計されています。これにより、UNI/Oデバイスをお客様のアプリケーションに追加するのに必要な接続の数を、2つ(SCIOとVSS)に減らす事ができます。
Serial EEPROM PIM PICtail™パック (AC243003)Serial EEPROM PIM PICtailモジュール は 、マイクロチップ 社 製 シリア ルEEPROMデバイスの周辺機能として設計されたボード群です。このボード群は、シリアル メモリ製品向けMPLABスタータキットとPICkit 3だけでなく、PICtail Plusコネクタにも接続するように設計されており、購入したその日からすぐに使用できます。
■ PICtail PlusコネクタおよびPICkit 3コネクタとプラグアンドプレイ接続
■ ファームウェア デバッグ用のオシロスコープ接続テスト ポイント(I²CとUNI/Oのみ)
■ お客様のアプリケーション開発を最大限にサポートできるようにMicrowireバスもサポート
www.microchip.com/devtools
シリアル メモリ製品 13
リファレンス コード リソース
弊社のシリアル メモリとの接続用リファレンス コードをお探しのお客様へ次の表からお客様のシリアル プロトコル、マイクロコントローラ、ご希望の実装をお選びください。
メモリ関連アプリケーション ノート - PIC® MCU
プロトコル メモリタイプ 推奨用途 実装 PIC10 PIC12 PIC16 PIC18 PIC24/ dsPIC33 PIC32
UNI/Oバス EEPROM
AN1194 (一般用途)
アセンブリ – ファームウェア遅延 AN11741 AN11741
AN11882AN11741
AN11882 AN1183
AN1213(寄生電力)
アセンブリ – ハードウェア遅延 AN11962 AN11962 AN1187
C – ハードウェア遅延 AN12512 AN12512 AN1191 AN1236
I²C EEPROM AN1028
アセンブリ – Bit-Bang AN982 AN982 AN974 AN979
アセンブリ – ハードウェア ポート AN976 AN989
C – Bit-Bang AN997 AN1100
C – ハードウェア ポート AN991 AN1079
Microwire EEPROM AN1029
アセンブリ – Bit-Bang AN993 AN999
アセンブリ – ハードウェア ポート AN975 AN1020
C – Bit-Bang AN1004
C – ハードウェア ポート AN1023
SPIEEPROM AN1040
アセンブリ – Bit-Bang AN909 AN1006
アセンブリ – ハードウェア ポート AN966 AN1000
C – Bit-Bang AN1018 AN1096
C – ハードウェア ポート AN1040 AN1069
SRAM AN1245 – AN1287 AN1269 AN1262 AN1277
全EEPROM
AN1019 『EEPROM Endurance Tutorial』
AN536 『Basic Serial EEPROM Operation』
AN603 『Continuous Improvement』
注 1: ベースライン(12ビット プログラム ワード)コア用 2: ミッドレンジ(14ビット プログラム ワード)コア用
メモリ関連アプリケーション ノート – サードパーティ製MCU
プロトコル 実装 8051 MSP430
UNI/Oバスアセンブリ – ハードウェア遅延 AN1184
C – ハードウェア遅延 AN1185 AN1186
I²C
アセンブリ – Bit-Bang AN1147
アセンブリ – ハードウェア ポート AN1190
C – Bit-Bang AN1195
C – ハードウェア ポート AN1113
SPI
アセンブリ – Bit-Bang AN1198
アセンブリ – ハードウェア ポート AN1197
C – Bit-Bang AN1193
C – ハードウェア ポート AN1073
www.microchip.com/appnotes
14 シリアル メモリ製品
製品仕様
I2C™メモリ製品
デバイス 容量(構成)最大クロック周波数
動作電圧(AA、LC、C)
温度(I、E、H)書き込み耐性
(E/W サイクル)
データ保持書き込み保護
(ハード ウェア)
パッケージ
24XX00 128ビット (×8) 400 kHz 1.7~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 なし PDIP、SOIC、TSSOP、SOT-23、2x3 T-DFN
24XX01/014 1 Kbit (×8) 400 kHz 1.7~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 W、½ PDIP、SOIC、TSSOP、SOT-23、2x3 T-DFN、MSOP、SC70
24XX02/024 2 Kbits (×8) 400 kHz 1.7~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 W、½ PDIP、SOIC、TSSOP、SOT-23、2x3 T-DFN、MSOP、SC70
24XX04 4 Kbits (×8) 400 kHz 1.7~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 W、½ PDIP、SOIC、TSSOP、SOT-23、2x3 T-DFN、MSOP、WLCSP
24XX08 8 Kbits (×8) 400 kHz 1.7~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 W、½ PDIP、SOIC、TSSOP、SOT-23、2x3 T-DFN、MSOP
24XX16 16 Kbits (×8) 400 kHz 1.7~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 W、½ PDIP、SOIC、TSSOP、SOT-23、2x3 T-DFN、MSOP、WLCSP
24XX32 32 Kbits (×8) 400 kHz 1.7~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 W、¼ PDIP、SOIC、TSSOP、SOT-23、2x3 T-DFN、MSOP、WLCSP
24XX64/65 64 Kbits (×8) 1 MHz 1.7~5.5 V -40~+125 ºC 100万/1千万 200年 W、¼ PDIP、SOIC、TSSOP、SOT-23、2x3 T-DFN、MSOP、WLCSP
24XX128 128 Kbits (×8) 1 MHz 1.7~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 あり PDIP、SOIC、TSSOP、2x3 T-DFN、6x5 DFN、MSOP、WLCSP
24XX256 256 Kbits (×8) 1 MHz 1.7~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 あり PDIP、SOIC、TSSOP、6x5 DFN、MSOP、WLCSP
24XX512 512 Kbits (×8) 1 MHz 1.7~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 あり PDIP、SOIC、TSSOP、6x5 DFN、WLCSP
24XX1025 1 Mbit (×8) 1 MHz 1.7~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 あり PDIP、SOIC、SOIJ、6x5 DFN
SPI EEPROM製品
デバイス 容量(構成)最大クロック周波数
動作電圧(AA、LC)
温度(I、E、H)書き込み耐性
(E/W サイクル)
データ保持 書き込み保護 (ソフトウェア)
パッケージ
25XX010A 1 Kbit (×8) 10 MHz 1.8~5.5 V -40~+150 ºC 100万 200年 W、½、¼ PDIP、SOIC、TSSOP、2x3 T-DFN、MSOP、SOT-23
25XX020A 2 Kbits (×8) 10 MHz 1.8~5.5 V -40~+150 ºC 100万 200年 W、½、¼ PDIP、SOIC、TSSOP、2x3 T-DFN、MSOP、SOT-23
25XX040A 4 Kbits (×8) 10 MHz 1.8~5.5 V -40~+150 ºC 100万 200年 W、½、¼ PDIP、SOIC、TSSOP、2x3 T-DFN、MSOP、SOT-23
25XX080C/D 8 Kbits (×8) 10 MHz 1.8~5.5 V -40~+150 ºC 100万 200年 W、½、¼ PDIP、SOIC、TSSOP、MSOP、2x3 T-DFN
25XX160C/D 16 Kbits (×8) 10 MHz 1.8~5.5 V -40~+150 ºC 100万 200年 W、½、¼ PDIP、SOIC、TSSOP、MSOP、2x3 T-DFN
25XX320A 32 Kbits (×8) 10 MHz 1.8~5.5 V -40~+150 ºC 100万 200年 W、½、¼ PDIP、SOIC、TSSOP、MSOP、2x3 T-DFN
25XX640A 64 Kbits (×8) 10 MHz 1.8~5.5 V -40~+150 ºC 100万 200年 W、½、¼ PDIP、SOIC、TSSOP、MSOP、2x3 T-DFN
25XX128 128 Kbits (×8) 10 MHz 1.8~5.5 V -40~+150 ºC 100万 200年 W、½、¼ PDIP、SOIC、TSSOP、6x5 DFN
25XX256 256 Kbits (×8) 10 MHz 1.8~5.5 V -40~+150 ºC 100万 200年 W、½、¼ PDIP、SOIC、TSSOP、6x5 DFN
25XX512 512 Kbits (×8) 20 MHz 1.8~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 W、½、¼ PDIP、SOIC、6x5 DFN
25XX1024 1 Mbit (×8) 20 MHz 1.8~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 W、½、¼ PDIP、SOIJ、6x5 DFN1. 電圧レンジ: AA = 1.7~5.5 V、LC = 2.5~5.5 V、C = 4.5~5.5 V2. I = -40~85 ºC、E = -40~125 ºC、H = -40~150 ºC3. 鉛フリー、ハロゲン フリー、RoHS準拠4. 書き込み保護: W = 全アレイ、½ = 1/2アレイ、¼ = 1/4アレイ5. ESD保護: 全ピン4 kV (HBM)以上、全ピン400 V (MM)以上6. 温度HはSOICのみ
Microwire EEPROM製品
デバイス容量
(×8または×16)
最大クロック周波数
動作電圧(AA、LC、C)
温度(I、E)書き込み耐性
(E/W サイクル)
データ保持 書き込み保護 (ハードウェア)
読み出し電流 パッケージ
93XX46A/B/C 1 Kbit 3 MHz 1.8~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 なし 1 mA PDIP、SOIC、TSSOP、SOT-23、2x3 T-DFN、MSOP
93XX56A/B/C 2 Kbits 3 MHz 1.8~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 なし 1 mA PDIP、SOIC、TSSOP、SOT-23、2x3 T-DFN、MSOP
93XX66A/B/C 4 Kbits 3 MHz 1.8~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 なし 1 mA PDIP、SOIC、TSSOP、SOT-23、2x3 T-DFN、MSOP
93XX76A/B/C 8 Kbits 3 MHz 1.8~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 あり 1 mA PDIP、SOIC、TSSOP、2x3 T-DFN、MSOP
93XX86A/B/C 16 Kbits 3 MHz 1.8~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 あり 1 mA PDIP、SOIC、TSSOP、2x3 T-DFN、MSOPA: ×8構成、B: ×16構成、C: ×8または×16構成のいずれかを選択可能
UNI/O® バスEEPROM製品
デバイス 容量(構成)最大クロック周波数
動作電圧(AA、LC)
温度(I、E)書き込み耐性
(E/W サイクル)
データ保持 書き込み保護 (ソフトウェア)
パッケージ
11XX010 1 Kbit (×8) 100 kHz 1.8~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 W、½、¼ PDIP、SOIC、TSSOP、SOT-23、2x3 T-DFN、MSOP、TO92、WLCSP
11XX020 2 Kbits (×8) 100 kHz 1.8~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 W、½、¼ PDIP、SOIC、TSSOP、SOT-23、2x3 T-DFN、MSOP、TO92、WLCSP
11XX040 4 Kbits (×8) 100 kHz 1.8~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 W、½、¼ PDIP、SOIC、TSSOP、SOT-23、2x3 T-DFN、MSOP、TO92、WLCSP
11XX080 8 Kbits (×8) 100 kHz 1.8~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 W、½、¼ PDIP、SOIC、TSSOP、SOT-23、2x3 T-DFN、MSOP、TO92、WLCSP
11XX160 16 Kbits (×8) 100 kHz 1.8~5.5 V -40~+125 ºC 100万 200年 W、½、¼ PDIP、SOIC、TSSOP、SOT-23、2x3 T-DFN、MSOP、TO92、WLCSP
シリアルSRAM製品デバイス 容量(構成) 最大クロック周波数 動作電圧(A、K) 温度(I、E)
読み出し電流(mA)
最大スタンバイ電流 パッケージ
23x640 8 KB (64 Kbits) 20 MHz 1.8 V、3 V -40~+125 ºC 3 mA 4 µA PDIP、SOIC、TSSOP
23X256 32 KB (256 Kbits) 20 MHz 1.8 V、3 V -40~+125 ºC 3 mA 4 µA PDIP、SOIC、TSSOP
1. 電圧レンジ: A = 1.5~1.95 V、K = 2.7~3.6 V2. 全デバイス鉛フリー、ハロゲン フリー、RoHS準拠
最新の製品情報は、www.microchip.com/memoryを参照してください。
シリアル メモリ製品 15
パッケージ タイプ:SN 8-SOIC (150 mil)TT/OT 3/5/6 SOT-23ST 8-TSSOPP 8-PDIPSM 8-SOIJ (208 mil) MS 8-MSOP
動作温度レンジ:I: 工業用温度レンジ(-40~+85 ºC)E: 工業用拡張温度レンジ(-40~+125 ºC) H: 拡張温度レンジ(-40~+150 ºC)
テープ&リールT: テープ&リールブランク: 標準(バルク)
集積度:00: 128ビット01/010/014: 1 Kbit02/020/024: 2 Kbit04/040: 4 Kbit08/080: 8 Kbit16/160: 16 Kbit
電圧レンジ:AA 1.8~5.5 VLC 2.5~5.5 VC 4.5~5.5 VK 1.8~3.6 VA 1.5~1.95 VVL 1.5~3.6 V
バスタイプ:24/34: I2C25: SPI93: Microwire11: UNI/Oバス23: SRAM (SPI)
製品番号接尾辞の説明マイクロチップ社SEEPROM製品のご注文方法です。
24 AA 02 T - I /SN
シリアル メモリご注文方法
出荷前に弊社でEEPROMをプログラムできます。マイクロチップ社では、パッケージとダイでカスタム プログラミング オプションを提供しています。■ QTP – 全デバイスを同じデータでプログラムします。■ SQTP – 各デバイスをそれぞれ一意のデータでプログラムします。
製品に特別要件があるお客様へマイクロチップ社では、既存製品のカスタマイズ版をご用意しています。■ より低いVDD (場合により1.5 V未満)■ 極端な温度(-55 ºC未満から+150 ºC以上)■ より高い書き込み耐性(最高1千万サイクル)■ より低い電流仕様(読み出し、書き込み、スタンバイ)■ より高速■ お客様の設計による変更: – 通常とは異なるI2CおよびUNI/Oアドレス – カスタム電圧レンジ
その他のリソースはwww.microchip.com/memoryで ご覧頂けます。
■ データシートとアプリケーション ノート(コード含む)■ VerilogとIBISモデル■ 推奨用途アプリケーション ノート■ ウェブセミナー(www.microchip.com/webinars)■ サンプル(www.microchip.com/samples)■ ツールとデモボード
MNY/MC/MF 8-TDFN/DFNLT 5-SC70 W/WF/S ウェハー/ダイCS WLCSP – ダイサイズTO TO92
32/320: 32 Kbit64/640: 64 Kbit128: 128 Kbit256: 256 Kbit512: 512 Kbit1024/1025: 1 Mbit
プログラミングおよび特殊サービス
マイクロチップ社の名称とロゴ、Microchipロゴ、MPLAB、PIC、UNI/Oは、米国およびその他の国におけるマイクロチップ・テクノロジー社の登録商標です。PICkit、PICtail、Total Enduranceは米国およびその他の国におけるマイクロチップ・テクノロジー社の商標です。その他、本書に記載されている商標は各社に帰属します。© 2010, Microchip Technology Incorporated, All Rights Reserved. Printed in Japan. 3/10DS22239A_JP
DS22239A_JP
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サポートマイクロチップ社は、お客様が製品開発をより迅速かつ効率的に行えるようサポートしています。製品とシステムのサポートを提供できる、フィールド アプリケーション エンジニアと技術サポートの世界的ネットワークを維持しています。さらに、www.microchip.com で、次のサービス分野を用意しています。■ サポート関連リンクは質問を短時間で解決する方法を提供します。
http://support.microchip.com■ サンプルリンクはマイクロチップ デバイスの無償評価サンプルを提供し
ます。 http://sample.microchip.com■ フォーラムリンクはナレッジ データベースおよびユーザ同士のディス
カッションを提供します。 http://forum.microchip.com■ 購入リンクはマイクロチップ社の販売代理店の所在地をご覧頂けます。
www.microchip.com/sales
トレーニング追加トレーニングをご希望の場合、マイクロチップ社にご連絡ください。マイクロチップ社は常に技術トレーニングの選択肢を拡大しており、各種トレーニング コースと専門的なカリキュラムを提供しています。また、いつでもアクセス可能な各種オンライン リソースも提供しています。■ リージョナル トレーニング センター: www.microchip.com/rtc■ MASTERsカンファレンス: www.microchip.com/masters■ 世界各地のセミナー: www.microchip.com/seminars■ eラーニング: www.microchip.com/webseminars■ 正規販売代理店およびサードパーティ パートナからのリソース: www.microchip.com/training
北米地域
アトランタTel: 678-957-9614ボストン Tel: 774-760-0087シカゴ Tel: 630-285-0071クリーブランド Tel: 216-447-0464ダラス Tel: 972-818-7423デトロイト Tel: 248-538-2250ココモ Tel: 765-864-8360ロサンゼルス Tel: 949-462-9523サンタクララ Tel: 408-961-6444トロント オンタリオ州ミシサガ Tel: 905-673-0699
ヨーロッパ地域
オーストリア - ヴェルス Tel: 43-7242-2244-39デンマーク - コペンハーゲン Tel: 45-4450-2828フランス - パリ Tel: 33-1-69-53-63-20ドイツ - ミュンヘン Tel: 49-89-627-144-0イタリア - ミラノ Tel: 39-0331-742611オランダ - ドリューネン Tel: 31-416-690399スペイン - マドリッド Tel: 34-91-708-08-90イギリス - ウォーキンガム Tel: 44-118-921-5869
アジア /太平洋地域
オーストラリア - シドニー Tel: 61-2-9868-6733中国 - 北京 Tel: 86-10-8528-2100中国 - 成都 Tel: 86-28-8665-5511中国 - 香港SAR Tel: 852-2401-1200中国 - 南京 Tel: 86-25-8473-2460中国 - 青島 Tel: 86-532-8502-7355中国 - 上海 Tel: 86-21-5407-5533中国 - 瀋陽 Tel: 86-24-2334-2829中国 - 深圳 Tel: 86-755-8203-2660中国 - 武漢 Tel: 86-27-5980-5300中国 - 厦門 Tel: 86-592-2388138中国 - 西安 Tel: 86-29-8833-7252中国 - 珠海 Tel: 86-756-3210040
アジア /太平洋地域
インド - バンガロール Tel: 91-80-3090-4444インド - ニューデリー Tel: 91-11-4160-8631インド - プネ Tel: 91-20-2566-1512日本 - 横浜 Tel: 81-45-471- 6166韓国 - 大邱 Tel: 82-53-744-4301韓国 - ソウル Tel: 82-2-554-7200マレーシア - クアラルンプール Tel: 60-3-6201-9857マレーシア - ペナン Tel: 60-4-227-8870フィリピン - マニラ Tel: 63-2-634-9065シンガポール Tel: 65-6334-8870台湾 - 新竹 Tel: 886-3-572-9526台湾 - 高雄 Tel: 886-7-536-4818台湾 - 台北 Tel: 886-2-2500-6610タイ - バンコク Tel: 66-2-694-13513/26/09
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