emetteur
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FICHEPROJET
nouvelle
T4
Micro Espion 88-108 MHzLISTEDESCOMPOSANTSR1 R2 R3 C1 C2 C3 C4 C5 T1 L1 M1 S1 = = = = = = = = = = = = 15kohms 100 Kohms 100ohms 100nFmilfeuil 220pFcramique 220pFcramique 2-22pFajustable 4,7pFcramique BC550NPN Self(voirtexte) Microlectret Inverseurunipolaire
vouspermettradcouter surlabandeFM(88-108 MHz)toutcequisepassedans sonenvironnementdefaonclaire etprcise.
U
npetitmontagesimplequi FONCTIONNEMENT Lemontageestconstruitautour dunoscillateurdetypeCOLPITTS quevientmodulerunmicrolectret.LetransistorT1(BC550)sert
lafoisdamplificateurdesignalBF etdoscillateurHF. LafrquencedmissionestajustablegrceC4(222pF)qui permetdecalerlmetteurlendroitdsirsurlabandeFM.
Fig.1Schmalectrique.
Juin/Juillet2002-NouvelleElectronique-89
FICHEPROJET
nouvelle
T4
Micro Espion 88-108 MHzEK025Latailledumontagepermetselon votrechoixdtreinstalldansun botiercontenantlapileoudtre dissimuldansunpaquetdecigarettes. Linterrupteurseramontauchoix surlafaadedubotieroulintrieurdunpaquetdecigarettespar exemple. C4etdurcepteurFMafindavoir lameilleurequalitdesonpossible.(Lerglagedurcepteur peuttrepoussdefaonaugmenterlasensibilitpourlcoute dessonsfaibles). Lantenneatralisesurlecircuitimprim,cequipermetdviter deperturberloscillateur. Nousavonsnotuneconsommationde6,5mA etnotreessainous apermisdedtermineruneporte vuedelordredunecentainede mtres. Important : LerglageseraeffectulaideduntournevisAmagntique(doncenplastiqueoualaide duncuredenttaill).MIN. 420 580 100 TYP. 270 520 90 200 700 900 660 1.5 11 MAX. 15 5 100 800 250 600 770 770 4 4 mV mV mV mV mV mV pF pF MHz dB dB UNIT A A A
Fig.2Reproductionducircuitimprim lchelle1vuctcuivre.
MISEENSERVICE1) BrancherunrcepteurFMsur unefrquencenonoccupe. 2) Mettrelmetteurenmarche. 3) AjusterC4defaoncaptersur lercepteurlesignalprovenantde lmetteur. 4) Unefoislerglageapproch, affinerenjouantsurlesrglagesSymbole ICBO IEBO hFE Paramtres Collectorcut-offcurrent Emittercut-offcurrent DCcurrentgain BC549C;BC550C VECsat VBEsat VBE CC Collector-emittersaturationvoltage Base-emittersaturationvoltage Base-emittervoltage Collectorcapacitance Emittercapacitance Transitionfrequency Noisefigure
MONTAGECblerlesrsistances,lescondensateurs(sauflajustablequisera montendernieraveclemicro lectret),laselfetletransistor. *L1estconstituede6spiresdefil decuivremaillde7/10mede mmbobinssurunequeuedefortde4mm. LaselfL1doittreraliseavecun sointoutparticuliersouspeinede mauvaisfonctionnementdumontage.(Impossibilitdesecaler danslabandeFM).
Conditions IE =0;VCB =30V IE =0;VCB=30V;Tj =150C IC=0;VEB =5V IC =10A;VCE=5V; IC =2mA;VCE =5V; IC =10mA;IB =0.5mA IC =100mA ;IB =5mA IC =10mA;IB=0.5mA;note1 IC =100mA;IB =5mA;note1 IC =2mA;VCE =5V;note2 IC =10mA;VCE =5V;note2 IE =ie =o;VCB =10V;f=1MHz IC =ic =0;VEB =0.5V;f=1MHz IC =10mA;VCE =5V; f=100MHz IC =200A;VCE =5V; RS =2k;f=10Hzto15.7kHz IC =200A;VCE =5V RS=2k;f=1kHz;B=200Hz
C4 C5
EK025R3 R2 C3 C2 R1
Ce fT F
T1 L1 MICRO C1
S1
Notes 1.VBEsat decreasesbyabout1.7mV/Kwithincreasingtemperature. 2.VBE decreasesbyabout2mV/Kwithincreasingtemperature.
Fig.3Schmadimplantation.
CaractristiquesduBC550.Tj=25Cunlessotherwisespecified.
90 -NouvelleElectronique-Juin/Juillet2002