Croissance cristalline de larges cristaux à...
Transcript of Croissance cristalline de larges cristaux à...
Croissance cristalline de larges cristaux à partir
de l’état liquide
Institut Lumière Matière (ILM) UMR 5306 CNRS-Université Claude Bernard Lyon 1,
Université de Lyon, La Doua, 69622 Villeurbanne, France
Kheirreddine Lebbou
Sommaire
1- Introduction à la croissance cristalline
2- Classification de la croissance cristalline
3- Mécanisme de croissance cristalline
4- Croissance cristalline à partir de l’état liquide
5- Croissance cristalline par la méthode Czochralski
6- Régime stationnaire
7- Paramètre de croissance cristalline
8- Quelques exemples de cristaux tirés à partir de l’état liquide(Saphir, grenat)
Qu’est ce qu’un monocristal ?
Structure organisée périodiquement
tridimensionnelle bidimensionnel monodimensionnel
Croissance cristalline
Elle est basée sur le contrôle du changement de phase
Il existe quatre catégories de croissance cristalline
1-Croissance à partir du solide: S S (Transition de phase solide-solide)
2-Croissance à partir du liquide: L S (Transition de phase liquide-solide)
3-Croissance à partir de vapeur: V S (Transition de phase vapeur-solide)
4-Croissance en solution: Croissance de soluté à partir de liquide inhomogène
Vapeur phasegrowth
Solutiongrowth
Solid stategrowth
Melt Growth
SinteringZone heatingTemperature
oxillation method
Polymorphic phase
transition
Solid state diffusion reactions
Sublimation
Vacuumevaporation
MBE
Gaz transport process
Halide transport process
Gaz phase reaction
Chemical Vapour
deposition
Vapour phase epitaxy
Gel growth
Organic solutiongrowth
Flux growth
Acceleratedcrucible growth
Electro-cristallization
Aqueous solution growth
Hydrothermal growth
Molten metal solution
growth
Liquis phase epitaxy
Vapour liquidsolid growth
Flamefusion
Plasmamelting
Liquid encapsulation
pulling
Automated crystalpulling
Crystalpulling
Shaped controlled
crystal pulling
Pedestal pulling
Zonemelting
Float zone melting
Normalfreezing
Cooled seed
Skull melting
Directionnel freezing
Cristallogenèse
La croissance cristalline est un processus complexe qui est accompagné par des changementsde phase liquide-solide.
Forte variation entre le liquide et le solide
Dependence of G on T in the neighborhood of a first-order phase transion:The slope G/T =-S changes discontinuously and the entropy per particle above and
Below the transition temperature is different. Solid line: equilibrium phase. Dashed line: metastable phases
Mécanisme de croissance
Croissance cristalline
Les faces d’un cristal peuvent être classées selon trois types F, S et K, en fonction des énergiesD’intéraction (r) entre les particules.
Face F (Flat)Faces planesAu moins deux directions deliaisons fortes entre atomes
Face S (Stepped)Marches régulièresUne directions fortes entre atomes
Face K (Kinked)Faces irrégulières
Vitesse de croissance Vk > Vs > VF
Chargementde la matière
première
Creuset
Fusion
Germe orienté (xyz)
Contact(germe-liquide)
Tirage
Cristal
Croissance cristalline à partir du liquide
Comment passer de
(1) (2)
Saphir
(5) (6)
(3)
(4)
GdVO4
No
n o
pti
mis
é, N
on
co
ntr
ôlé
, Gal
ère
Cro
issa
nce
cri
stal
line
mai
tris
é
LiNbO3
Phase optimisation, recherche Tirage contrôlé
État stationnaire de croissanceCroissance stable (équilibre)
Cristal de bonne qualité
Maîtrise de la composition(diagramme de phase)
Contrôle du dopage(ségrégation)
Gradient de températureConduction, radiation
Simulation et modélisationdu procédé
Un bon équipement de tirageTête de tirage stable
Bon couplage creuset-inducteur (RF)(Procédé)
Qualité de la matièrepremière, gaz
Maîtrise du liquide(turbulence, convection)
Qualité du germe(orientation, format…)
Contrôle des défauts(dislocations, bulles,
joint de grains, fissures…)Caractérisation macroscopique et microscopiques
(polissage, orientation…)
Elements of steady state growth
1- Heat Balance and Growth rate
v = V ρ R / (ρ R – ρ r )P l2
l2
s2
K G – K G = Lvs s l l
2- The meniscus
σsg < σsl + σlg
H = {2(1-cosα0) + [(sinα0)/2R] }2 1/2
Quite often it work well for congruent materials(solid and liquid have the same composition)
Pour faire des cristaux massifs à partir du liquide, il est indispensable de maitriser :
1- Le procédé (Technologie)
2- Le choix du creuset
3- La composition (décomposition, transition de phase, ségrégation des dopants)
4- La thermique (gradient de température longitudinal et vertical)
5- Les atmosphère de croissance
6- L’orientation du germes
…
Paramètres de croissance cristalline
Le choix de la technologie et du creuset
Ir crucibles
Crystal growth by Czochralski technique
Alumina charge
Sapphire growth steps by Czochralski (Cz) technique
Seed
0 1000 2000 3000 4000 5000
-50
0
50
100
150
200
250
0 1000 2000 3000 4000 5000
19950
20000
20050
20100
20150
20200
20250
19950
20000
20050
20100
20150
20200
20250
Temps (min)
Masse
cre
use
t
Masse
cri
sta
l
Czochralski machine
Lignes de convectionLignes de convection
In most case , the materials are doped with activator (liquid composition change during the process)
Composé congruent
Cs=Cl, k=1
A pur %B
Liquid
Solid
T° T° T°
A pur A pur%B %B
Cs Cs
Cl Cl
Liquid
Solid Solid
Liquid
k<1 k>1
k=CsCl
<1 k=CsCl
>1
3- Composition (segregation)
Cs=kC0(1-g)k-1
(Pfann law)
3- Size effect (Vegard law , 15% law)
r=ra-rb
ra<15%
Le choix de la composition
Al3+Al3+Al3+
Ti3+
Al3+Al3+
Al3+
Ti3+
Al3+
Al3+
Al3+
Ti3+
Segregation problem of Ti3+ in Sapphire
Sapphire host (Al2O3)
Substitution of Al3+by TI3+
Al3+Al3+
Ti3+
Al3+
Ti3+>AL3+
Segregation phenomenaCell deformation
Hammer-hardening crystals
Crystal growth difficultLattice parameters variationDeffects propagationOptical quality degradation
A.Nehari, T.Duffar, A.Guezal, K.LebbouCrystal growth & design (october 2014)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100
Growth Rate, mm/min
Nd
Eff
ective
Seg
reg
ation
Coeff
icie
nt
µ-PD
Heater
Fiber
Crystal
CZ
Melt
Crucible
Crystal
1 µm/min
Flux
Crucible
Film
LPE/Flux
Segregation in YAG:Nd
Effect of velocity against segregation coefficient
Czochralski sapphire crystal growth
Top
Middle
End
3,75 mm
Cutting area for polishing and defects analysis
14
Some undoped sapphire crystals grown by Cz method
The references of grown undoped sapphire crystals
15
Reference CrysU1 CrysU2 CrysU3 CrysU4 CrysU5 CrysU6 CrysU7 CrysU8
Seed a-axis a-axis a-axis a-axis a-axis r-axis r-axis r-axis
Pulling rate (mm/h)
1.5 2 2.5 3 5 1.5 2 3
Rotation rate(rpm)
8 8 8 8 8 8 8 8
Waferthickness
(mm) 0.5/2 2 0.5/2 0.5/2 0.5/2 1 2 2
Reference CrysU9 CrysU10 CrysU11 CrysU12 CrysU13 CrysU14 CrysU15 CrysU16
Seed a-axis a-axis a-axis a-axis r-axis r-axis r-axis r-axis
Pulling rate (mm/h)
1.5 2.5 1.5 2.5 1.5 2 2 3
Rotation rate (rpm)
4 4 15 15 4 4 15 15
Wafer thickness
(mm)0.5 0.5/2 1 0.5/2 5 5 5 5
(a) CrysU1, pulling rate 1.5 mm/h, 8 rpm, a-plan
(a) contain very few bubbles; (b) more quantity of bubbles17
(b) CrysU16, pulling rate 3 mm/h, 15 rpm, r-plan
Bubbles analysis by green laser beam (532 nm)
X-ray rocking curves (XRC)of sapphire crystal on A-planeVg=3mm/h, Vr=8 rpm
Full width at half maximum (FWHM) comparison of XRCs
XRCs symmetrical single peak perfect crystallinity. FWHM values < 30 arcsec good crystal quality.
29
• Mixed garnet, substitution of partial cations with other
ions in a single crystal.
• Larger crystal lattice →lower concentration quenching
• Distorted crystal field →broaden the emission spectra
RE3+:Mixed Garnet
Garnet structure is:
{A(Ⅲ)3}[B
(Ⅲ)2](C
(Ⅲ)3)O12
•Nd3+:Lu3ScAl4O12
•Nd3+:Y2.5Gd0.5Al5O12
•Er3+:Lu1.5Y1.5Al5O12
• Cz Growth, LuAG or YAG seed, <111> direction
Er1%:Lu1.5Y1.5Al5O12Nd1%:Y2.5Gd0.5Al5O12Nd1%:Lu3ScAl4O12
Cs
CL
K=Cs/CL
Cs→Ctop
CL→C0
• Segregation coefficient, k
k=Cs/CL
Cs=kC0(1-g)k-1
• Effective segregation coefficient
Keff=Cs/CL(∞)
• Concentration
N=(ρ×NA/M)×Cs×NL
Composition Analysis
Structure Analysis
Spa. group a (nm) k
Nd:YAG Ia3d 1.2004 0.20
Nd:LuAG Ia3d 1.1910 0.14
R(Gd3+)=1.05Å > R(Y3+)=1.02Å
Nd:YGdAG Ia3d 1.2003 0.23
R(Sc3+)=0.745 Å > R(Al3+)=0.535 Å
Nd:LuScAG Ia3d 1.1953 0.22
R(Er3+)=1.004 Å, R(Lu3+)=0.977 Å, R(Y3+)=1.019 Å
Er:LuYAG Ia3d 1.1919 1.05
YAGG:Ce (A, B, C), YGG:Ce (D) crystals
IMPROVEMENT OF LIGHT YIELD IN YAGG:Ce BULK CRYSTALS
↑ (Lu,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce 40000 Phot/Mev [10]
↑ (Lu,Y)3Al5O12:Pr 33000 Phot/Mev [9]
↑ Gd3(Al,Ga)5O12:Ce 58000 Phot/Mev [11]
Y3(Al,Ga)5O12:Ce
Energy structure modification in mixed garnets [8]
[8] M. Fasoli, et al. Phys Rev. B.[9] Drozdowski W. et al. //Optical Materials Express. – 2014. – I. 4. – №. 6. – P. 1207-1212[10] Kamada K. et al. //Crystal Growth & Design. – 2011. – I. 11. – №. 10. – P. 4484-4490.[11] Kurosawa. et al. //Journal of crystal growth. – 2014. –http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2013.10.059.
36.5 % Ga
66.2 % Ga
15.4 % Ga
100 % Ga
[12] O. Sidletskiy, V. Kononets, K. Lebbou, et al // Mat. Res. Bull. 47 (2012) 3249
Density: YAG 4.5 g/cm3 → YGG 5.8 g/cm3
46
IMPROVEMENT OF LIGHT YIELD IN YAGG:Ce BULK CRYSTALS
Maximal light yield in crystals with
40% of Ga content was observed
(130 % comparing to YAG:Ce).
Crystal cell parameters monotonously
increase with Ga content.
Lattice constant (upper) and relative light yield (lower) vs. Ga fraction in Y3(Al1-xGax)5O12:Ce.
O. Sidletskiy, V. Kononets, K. Lebbou, et al // Mat. Res. Bull. 47 (2012) 3249