©2008 Landrault Christian LANDRAULT [email protected] Laboratoire dInformatique, de Robotique et de...
-
Upload
jacinthe-berard -
Category
Documents
-
view
104 -
download
0
Transcript of ©2008 Landrault Christian LANDRAULT [email protected] Laboratoire dInformatique, de Robotique et de...
©2008 Landrault
Christian LANDRAULT
Laboratoire d’Informatique, de Robotique
et de Microélectronique de Montpellier
(LIRMM)
TEST ET TESTABILITE DES CIRCUITS INTEGRES DIGITAUX
©2008 Landrault
Vérification et Test
Vérifier la correction de la conception
Effectuée par simulation, émulation matérielle, preuve formelle
Effectuée une fois avant la fabrication
Responsable de la qualité de la conception
Vérifier la correction du matériel fabriqué
Deux étapes Génération du programme
de test réalisée une fois pendant la conception
Application du test: tests électriques appliqués au matériel
Le test électrique est appliqué à chaque matériel produit
Responsable de la qualité du circuit
©2008 Landrault
Réduction du coût de production
Coût du testCoût du test
Coût du boîtierCoût du boîtier
Coût du siliciumCoût du silicium
Réduction par augmentationRéduction par augmentationdes volumes, du rendementdes volumes, du rendementet diminution de la surfaceet diminution de la surfacede la pucede la puce
Réduction par augmentationRéduction par augmentationdes volumes (boîtier moinsdes volumes (boîtier moinscher) ou diminution du nombrecher) ou diminution du nombrede brochesde broches
Coût totalRéduction :Réduction :
- volume données de test- volume données de test- coût du testeur- coût du testeur- temps de test- temps de test
©2008 Landrault
Pourquoi tester ?
Clauses contractuelles au niveau : d’une inspection d ’entrée, de performances de fiabilité
Imposé par un environnement de plus en plus compétitif où la qualité des produits et leur fiabilité sont parmi les points importants mis en avant par la clientèle (consommateurs)
©2008 Landrault
Quand tester ?
©2008 Landrault
Quand tester ?
Dispositif sous testWafer Boîtier Plaque SystèmeTest du
processustechnologique
Testparamétrique
Test d'entrée Test du système
Test des puces Test logique Test de laplaque nue
Test enutilisation
Vieillissement Test de laplaque montée
Test complet suréchantillon
Vieillissement
©2008 Landrault
Le test est un filtre
TEST:testeur,
séquence,paramètres
OK (€,$)
OK (DL)
OK
OK
Résultatdutest
Réalité
©2008 Landrault
Le test met en œuvre des matériels coûteux
©2008 Landrault
Définition du test
Le test est possible quand on peut appliquer un stimulus connu à une entité dans un état connu et que la réponse connue peut être évaluée
stimulus connu : avoir accès aux entrées de l'entité et appliquer une valeur connue
CONTROLABILITE état connu : déterminisme de l'influence des entrées
sur le circuit réponse connue : avoir accès aux sorties de l'entité
et comparer la réponse du circuit à une valeur réputée bonne
OBSERVABILITE
©2008 Landrault
Définitions et terminologie
Quelque chose fait que le système ne fonctionne pas : erreur, faute, panne, défaut, . . . Erreur : comportement erroné observé Faute : déviation de la structure par rapport aux
spécifications Défaut : déviation de la réalisation physique par
rapport aux spécifications de fabrication Panne: mauvais fonctionnement en opération Test : détection du défaut Diagnostique : détection et localisation du défaut
©2008 Landrault
Test et testabilité des circuits intégrés digitaux
Défaillances physiques et modélisation de fautes
Analyse de testabilité Génération automatique de vecteurs de test Simulation de fautes Conception en vue du test Test intégré
©2008 Landrault
Christian LANDRAULT
Laboratoire d’Informatique, de Robotique
et de Microélectronique de Montpellier
(LIRMM)
Défaillances physiques et modélisation de fautes
©2008 Landrault
Défaillances physiques et modélisation de fautes
Généralités Caractérisation des défauts Modélisation des défauts
collage court circuit technologie CMOS fautes de délais
Equivalence de fautes
©2008 Landrault
Comment obtenir une séquence de test ?
Utiliser une séquence fonctionnelle produite pour vérifier le fonctionnement par simulation lors de la phase de conception : facile à trouver, plus difficile à valider, encore plus difficile à améliorer.
Appliquer une séquence exhaustive des entrées trop long
Utiliser un modèle de faute, l ’appliquer au circuit et essayer de détecter toutes les fautes validité du modèle (taux de couverture et "defect
level") outils de génération
©2008 Landrault
Quoi tester ?
A B C D G E F+ *
Défaillances dans le processus de fabrication
©2008 Landrault
Défaillances dans le processus de fabrication (1)
Court-circuit
Via correctVia malformé
Court-circuit
Court circuit
©2008 Landrault
Défaillances dans le processus de fabrication (2)
Encochesdans du métalétroit
Métalpiqué
Extrusion d'aluminiumà travers la passivation
longue fracture de fatigue du diélectriquePhénomènes
d'électromigration
©2008 Landrault
Défaillances physiques et modélisation de fautes
Généralités Caractérisation des défauts Modélisation des défauts
collage court circuit technologie CMOS fautes de délais
Equivalence de fautes
©2008 Landrault
Caractérisation des défauts Mécanismes de défaillance
Défauts du wafer (contamination, micro-crevasse) Erreurs humaines (interactions humaines avec le processus
de production) Défaillance d'équipements (utilisation de maintenance
préventive) Impact de l'environnement (contaminations diverses,
vibrations, ..) Instabilités du processus technologique de production
DEFAUTS GLOBAUX DEFAUTS LOCAUX
©2008 Landrault
Caractérisation des défauts Monitoring des défauts globaux
utilisation de PCM ("Process Control Monitor")
composés de structures de base (transistors, lignes de conducteur, chaîne de vias, …)
distribués sur le wafer (éventuellement placés sur les lignes de découpe)
utilisation d'oscillateur en anneau monitoring de paramètres de haut
niveau fréquence d'oscillation fonction des
paramètres de plus bas niveau du processus technologique
résultats peuvent être mal interprétés
PCM
©2008 Landrault
Caractérisation des défauts Monitoring des défauts locaux
Monitoring en ligne par inspection à différentes étapes du processus de fabrication (surfscan, réflectométrie, évaluation d'image, ...)
Moniteurs d'oxyde de grille (combinaison de condensateurs de différentes formes et tailles, mesure de courant de fuite et de capacités)
Moniteurs d'interconnexions
Méandre Double peigne Méandre+ peignes
©2008 Landrault
Défaillances physiques et modélisation de fautes
Généralités Caractérisation des défauts Modélisation des défauts
collage court circuit technologie CMOS fautes de délais
Equivalence de fautes
©2008 Landrault
Modélisation des défauts
Nécessaire pour : l'estimation du rendement du processus, les stratégies de test orientées défauts
Modélisation au niveau global combinaison entre défaut global et variation aléatoire locale
VVariation aléatoire du processus
Impact dudéfaut global 1
Impact combiné 1
Limitesupérieure
du processus
Valeur duparamètre
Position surle wafer
Impact dudéfaut global 2
Impact combiné 2
©2008 Landrault
Modélisation des défauts
Modélisation au niveau local chaque défaut est supposé comme un ajout ou un manque de matériau conducteur chaque défaut est supposé avoir une forme circulaire les défauts sont caractérisés par :
– leur densité
– la distribution de leur taille
– leur apparition en cluster plutôt qu'aléatoire
Densitérelative
Ajout de matériauconducteur
Manque dematériau conducteur
Metal 100 1Polysilicium 50 1Oxyde épais 2 5Oxyde de grille 20 -Zone dopée 1 1
DistributionsDistributionstypiquestypiques
Taille du défaut
©2008 Landrault
Le modèle de collage (simple)
Avec le modèle de collage, une (et une seule) ligne de la description est collée de manière permanente à la valeur 0 ou à la valeur 1
On utilise parfois uniquement le collage des ports d'entrée et de sortie des modules (ces deux modèles sont équivalents sauf en cas de divergence)
Collage à 011
11
11
0
XX
11
1
1
10XX0
10XX0
0
0
©2008 Landrault
Le modèle de collagePrincipales caractéristiques et avantages
Il permet de représenter de nombreux défauts physiques différents Il est indépendant de la technologie Il permet d'utiliser l'algèbre booléenne pour trouver les vecteurs de
test Les vecteurs de test générés avec ce modèle de collage détectent
aussi d'autres défauts L'ensemble des fautes obtenu avec ce modèle est limité Le taux de couverture (TC) associé à ce modèle de fautes est une
métrique admise entre fournisseurs et clients
Le modèle de collage peut être utilisé pour modéliser d'autres
types de fautestotalfautes de Nbre
détectéesfautes de NbreTC
©2008 Landrault
Le modèle de collageModélisation d'autres fautes
X Z
X Z0
1
Z'
f
Z' = Z si f = 0
Z' = Zf si f=1
Zf
Perte d'inversion
X Z0
1
Z'
f
Zf
Changement de délai
f
Inverseur de départ
©2008 Landrault
Le modèle de collage multiple
Extension du modèle de collage avec plusieurs lignes collées simultanément
Avec n sites possibles pour une faute de collage simple il y a 3n-1 fautes de collage multiple possibles (2n fautes de collage simple)
Les fautes de collage multiple ont été introduites à cause des masquages (phénomène peu courant en pratique)
1/1
0/1
0/1 0/10/1
1/11/0
1/0
1/1
1/10/0
Collage multiple à 1
Séquence de testcomplète pour lesfautes de collage
©2008 Landrault
Le modèle de "Bridging Fault"
Z(v,v) = v la valeur de Z(v,v) quand à elle dépend de la technologie :
Z(0,1) = 0 correspond au modèle de ET cablé Z(0,1) = 1 correspond au modèle de OU cablé
X
Y
a
cd
e
b X
Y
a
cd
e
b
Court-circuit Z(x,y)
©2008 Landrault
Le modèle de "Bridging Fault"Caractéristiques principales
Introduit à l'origine pour les technologies TTL et ECL Généralement appliqué sur une description à portes, le
court-circuit est défini entre les sorties de portes et/ou les entrées primaires (pas de différence entre racine et branches de divergence)
S'il existe un chemin fonctionnel entre les deux extrémités du court-circuit, celui-ci créé une boucle de contre-réaction (transformant par exemple un circuit combinatoire en circuit séquentiel avec possibilité d'oscillations)
Les fautes de court-circuit multiples ont également été introduites (uniquement au niveau théorique)
Le modèle de "bridging fault" n'est pas très bien adapté pour les technologies CMOS pour lesquelles la fonction Z(v,v) ne correspond pas toujours à une valeur logique
©2008 Landrault
Inadaptation du modèle de collageProblèmes dus à la modélisation au niveau porte
S
b b c c
d1
d2
d3
d4
Vss
a b
Vdd
S
Utilisation du transistor interrupteur dans une logique à relais
Utilisation de logique dynamique
Fonction multiplexage
Porte NAND
H1
H2
©2008 Landrault
Inadaptation du modèle de collageProblèmes dus à la modélisation au niveau porte
Non correspondance entre la description à porte et la description électrique
?VDD
VSS
S
a b
c d
e
f
a
b
c
de
f
S
Problem due to gate-level structural modelling
Inadequacy Of Stuck-at Fault Models
?
©2008 Landrault
Inadaptation du modèle de collageProblèmes dus à la nature des défauts
Les conséquences électriques principales des défauts physiques dans les technologies CMOS se manifestent le plus souvent par des courts-circuits et des circuits ouverts
Ces perturbations peuvent entraîner des dysfonctionnements du circuit tels que :
modifications de la fonction logique réalisée par le circuit, effet mémoire comportement analogique
Dans la plupart des cas, ces dysfonctionnements ne sont pas modélisables par des fautes de collage
©2008 Landrault
Inadaptation du modèle de collageModification de la fonction logique
V d d
V s s
a
b
c
d
ab
cd
O
O
Modification of the logical functions
a
b
c
d
O
Inadequacy Of Stuck-at Fault Models
+
©2008 Landrault
Inadaptation du modèle de collageEffet Mémoire
ab
V d d
V s s
O
a
b
O
Memory Effect
Inadequacy Of Stuck-at Fault Models
Collage à 0
©2008 Landrault
Inadaptation du modèle de collageComportement analogique
ab
V d d
V s s
O
a
b
O
Memory Effect
Inadequacy Of Stuck-at Fault Models
Collage à 1
Valeur intermédiairedépendant de larésistance passantedes transistors
©2008 Landrault
Inadaptation du modèle de collageComportement analogique
Valeur intermédiaire dépendant de la résistance passante des transistors
Valeur logique correcte : pas d'erreur logique
détectable en statique augmentation du
courant consommé ("IDDQ testing")
fautes de délais après régénération du signal par les éléments avals
Valeur logique erronée : possibilité de détection
par un test logique classique
augmentation du courant consommé ("IDDQ testing")
©2008 Landrault
Inadaptation du modèle de collageComportement analogique
Faute de délai
tension
temps
Sortie correcte
Sortie en présence de la faute
Signal d'entrée
Retard aprèsrégénération
Niveaubas
Niveauhaut
©2008 Landrault
Fautes de délaisDéfinitions
Du fait de structures plus complexes et de vitesse d'opération plus élevées, les fautes de délais prennent de plus en plus d'importance
Lorsqu'un circuit fonctionne à une certaine fréquence et présente un dysfonctionnement à fréquence plus élevée, on dit qu'il est le siège d'une faute de délai
Le test d'une faute de délai nécessite l'application de deux vecteurs afin de provoquer une transition au site de la faute et de propager l'erreur vers les sorties primaires
©2008 Landrault
Fautes de délaisDéfinitions
BlocCombinatoire
Bas
cule
s d'
entr
ée
Bas
cule
s de
sor
tie
Horloge d'entrée Horloge de sortie
délai nominal
période d'horloge système
"slack"
©2008 Landrault
Fautes de délaisOrigine
A
SE
Entrée Sortie
Acircuit ouvert
A
ESortie saine
Sortie aveccircuit-ouvert
t
©2008 Landrault
Fautes de délaisOrigine
A
B
S
Vdd
Vdd
Circuitouvert
S sain S fautif
Tps montée
A B
0 0 0 0
0 1 1 1
2,2 ns 8,5 ns
©2008 Landrault
Fautes de délaisOrigine
AB S
Vddgrille flottante Volts
2.00.0 10.0 20.0 ns
A B S S fautif
12.0 16.0
543210
©2008 Landrault
Fautes de délaisClassification
Faute de délai de porte
Défaut temporel
Modèle local Modèle global
Faute de transition
Faute de délai de chemin
Faute de délai de porte multiple
©2008 Landrault
Faute de délaide chemin
Une faute de délai est associée à chaque chemin de propagation (entre une entrée primaire et une sortie primaire)
Un chemin présente une faute de délai si le temps de propagation selon ce chemin (et suivant une certaine polarité) excède la période d'horloge spécifiée
BlocCombinatoire
Ba
scu
les
d'e
ntr
ée
Ba
scu
les
de
so
rtie
Horloge d'entrée Horloge de sortie
période d'horloge système
©2008 Landrault
Faute de délai de cheminCaractéristiques principales
la faute de délai peut être répartie sur tout le chemin (prise en compte de défauts non locaux tels que dérives, désalignement, ..)
la réponse de la sortie est observée à l'intervalle de fonctionnement nominal le modèle de chemin est efficace avec des fautes de n'importe quelle taille la présence d'autres fautes n'affectent (théoriquement) pas la possibilité de tester un
chemin donné. Ceci permet donc de gérer les fautes multiple. Le modèle de chemin est réaliste et parfaitement efficace si tous les chemins sont testés
©2008 Landrault
Faute de délai de cheminCaractéristiques principales
Le nombre de chemins structurels dans un circuit réel est en général important
le nombre de chemins fonctionnels est en général plus faible mais reste important
nécessité de choisir un sous-ensemble plus réduit
par exemple les chemins structurels les plus longs
ATTENTION s'il existe une faute non sensibilisée par le sous-ensemble choisi, elle ne sera jamais détectée
©2008 Landrault
Défaillances physiques et modélisation de fautes
Généralités Caractérisation des défauts Modélisation des défauts
collage court circuit technologie CMOS fautes de délais
Equivalence de fautes
©2008 Landrault
Equivalence de fautesDéfinitions
Soit T(fi) l'ensemble de tous les tests qui détectent la faute fi
Deux fautes fi et fj sont équivalentes si et seulement si
T(fi) T(fj)
Tout test qui détecte fi détecte fj et vice-versa
I1
I2
S T(I1/Cà1) = {00}
T(I2/Cà1) = {00}
T(S/Cà0) = {00}
I1 collée à 1, I2collée à 1 et Ocollée à 0 sonttrois fauteséquivalentes
©2008 Landrault
Equivalence de fautesDéfinitions
Une faute fi domine la faute fk si et seulement si
T(fk) T(fi)
Tout test qui détecte fk détecte fi
On dit aussi que le test de fk implique le test de fi
T(fk)
T(fi)
©2008 Landrault
Equivalence de fautesExemple de dominance
I1
I2
S T(I1/Cà0) = {10}
T(I2/Cà0) = {01}
T(S/Cà1) = {01, 10,11}
• Le test de I1 collée à 0
implique le test de S collée à 1• Le test de I2 collée à 0
implique le test de S collée à 1
10
01
11
©2008 Landrault
Equivalence de fautes
En toute généralité, la détermination de savoir si deux fautes sont équivalentes est un problème NP-difficile équivalent au problème de générer tous les vecteurs de test d'un circuit
D'un point de vue, réaliste seules des équivalences structurelles locales peuvent être prises en compte
Functional Fault Equivalence (circuit level)
lent is a NP-completeproblem
A
B
S
A B O O with O with ¬
0 0
0
0
1
1
1 1
0 1 1
1
1
0
1 1
1 1
0 0
f1 - Collage à 1
f2 - Collage à 1
©2008 Landrault
Equivalence StructurelleNiveau porte
Généralisation Pour une porte avec une valeur prioritaire c et une inversion i, toute
faute de collage à c d'une entrée est équivalente au collage à ci (équivalence stricte) de la sortie
Pour une porte avec une valeur prioritaire c et une inversion i, tout test de la faute de collage à c d'une entrée implique le test au collage à ci (dominance seulement) de la sortie
I1
I2
S
©2008 Landrault
Equivalence StructurelleNiveau Porte
x1
x2
x3
x4( ) : collage à 0 (1)
: relation d'implication
Théorème 1 Dans un arbre (pas de divergence) combinatoire réalisé avec
des portes conventionnelles, tout test détectant toutes les fautes de collage des entrées primaires détecte toutes les fautes de collage
©2008 Landrault
Equivalence StructurelleNiveau Porte
Problème avec les portes OU exclusif
©2008 Landrault
Equivalence StructurelleNiveau Porte
Théorème 2 Dans un circuit combinatoire réalisé avec des portes
conventionnelles, tout test détectant toutes les fautes de collage des entrées primaires et des branches de divergences détecte toutes les fautes de collage
Les entrées primaires et les branches de divergence sont appelés "checkpoints"
Attention ce théorème n'est malheureusement valable que pour les circuits non redondants
L'ensemble des "checkpoints" peut encore être réduit en utilisant des relations au niveau porte
©2008 Landrault
Equivalence StructurelleNiveau Porte : Exemple
Collage à 1Collage à 0
Théorème 2Eq. Struc.
Eq. Struc.+ dom.
Ensemble initial de 24 fautes
réduit à 10 par équivalence