1 DIODES DIODE A JONCTION PN DIODE A JONCTION PN DIODE ZENER DIODE ZENER DIODES ELECTROLUMINESCENTES...

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  • 1 DIODES DIODE A JONCTION PN DIODE A JONCTION PN DIODE ZENER DIODE ZENER DIODES ELECTROLUMINESCENTES LED DIODES ELECTROLUMINESCENTES LED PHOTODIODE PHOTODIODE AUTRES DIODES AUTRES DIODES
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  • 2 DIODE A JONCTION PN Cration dune jonction PN Cration dune jonction PN Polarisation dune jonction PN Polarisation dune jonction PN Caractristique statique dune diode Caractristique statique dune diode Point de fonctionnement dune diode Point de fonctionnement dune diode Limitation demploi dune diode Limitation demploi dune diode Applications de la diode Applications de la diode
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  • 3 CREATION DUNE JONCTION PN Trous majoritaires Electrons majoritaires ZCE l I D l = l I m l A lquilibre: I = l I D l - l I m l = 0 IDID ImIm I = l I D l - l I drift l = 0
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  • 4 POLARISATION DUNE JONCTION PN Sens passant l I D l > l I m l I = l I D l - l I m l Sens bloquant l I m l > l I D l I = l I m l - l I D l Courant important Courant faible diode jonction PN ou diode semiconductrice
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  • 5 POLARISATION DUNE JONCTION PN diode jonction PN ou diode semiconductrice
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  • 6 CARACTERISTIQUE STATIQUE I(V) Relation reprsentant les deux tats de la diode SC Is est le courant inverse de saturation. V T est la tension thermodynamique qui vaut V T = kT/e (k est la constante de Boltzmann, T la temprature absolue en K et e la charge lectrique lmentaire. A 25C, V T = 25mV; n est le coefficient dmission. Il dpend du matriau, voisin de 1 dans les diodes au Ge, et compris entre 1 et 2 dans les diodes au Si. anodecathode + V d -
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  • 7 CARACTERISTIQUE STATIQUE I(V) Relation reprsentant les deux tats de la diode SC Polarisation directe Polarisation inverse sens passant: V d > 0 ; V d >> V T sens bloquant: V d < 0 ; V d
  • Diode Laser dopage n >> dopage p Inversion de population dans la zone dpeuple au-del dune tension seuil n p e-e- p+p+ + - Pierre Aigrain - 1958
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  • Diodes laser = htrojonctions e-e- mission dans la couche de GaAs Guide d onde n 1 n 2 laser p n + - GaAs Al x Ga 1-x As np p+p+ Eg = 1,9 eV 1,4 eV
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  • Diode Laser face rflchissante face semi-rflchissante Jonction mission laser
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  • Diode laser pointeur laser Imprimante laser compact disque